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王毅

作品数:8 被引量:1H指数:1
供职机构:河北普兴电子科技股份有限公司更多>>
相关领域:化学工程经济管理自动化与计算机技术电子电信更多>>

文献类型

  • 6篇专利
  • 2篇期刊文章

领域

  • 3篇化学工程
  • 1篇经济管理
  • 1篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 3篇色度
  • 3篇高纯
  • 2篇电阻率
  • 2篇石墨
  • 2篇碳化硅
  • 2篇筒体
  • 2篇品质因数
  • 2篇坩埚
  • 2篇温度场
  • 2篇明度
  • 2篇反应器
  • 2篇半定量
  • 2篇测色
  • 1篇压力变送器
  • 1篇气体
  • 1篇转轴
  • 1篇氩气
  • 1篇氯化
  • 1篇氯化氢
  • 1篇密封

机构

  • 8篇河北普兴电子...

作者

  • 8篇王毅
  • 5篇赵丽霞
  • 5篇吴会旺
  • 4篇陈秉克
  • 2篇孟祥鹏

传媒

  • 1篇微纳电子技术
  • 1篇科技风

年份

  • 2篇2022
  • 1篇2021
  • 2篇2020
  • 2篇2019
  • 1篇2015
8 条 记 录,以下是 1-8
排序方式:
一种高纯碳化硅粉料品质的评价方法
本发明公开了一种高纯碳化硅粉料品质的评价方法。所述评价方法包括如下步骤:取高纯碳化硅粉料,采用测色装置测量其明度值L<Sup>*</Sup>及色度值a<Sup>*</Sup>和b<Sup>*</Sup>;将所得L<Sup...
王建江王毅高卫李召永赵丽霞吴会旺陈秉克
文献传递
一种高纯碳化硅粉料品质的评价方法
本发明公开了一种高纯碳化硅粉料品质的评价方法。所述评价方法包括如下步骤:取高纯碳化硅粉料,采用测色装置测量其明度值L<Sup>*</Sup>及色度值a<Sup>*</Sup>和b<Sup>*</Sup>;将所得L<Sup...
王建江王毅高卫李召永赵丽霞吴会旺陈秉克
PVT法制备碳化硅用坩埚及调节坩埚温度场的方法
本发明提供了一种PVT法制备碳化硅用坩埚,属于晶体生长技术领域,包括底板;顶盖;以及至少两个筒体,同轴设置且由下至上依次排布,相邻两个筒体可拆卸连接,至少两个筒体组装成坩埚筒,且至少两个筒体的电阻率不完全相同;其中,位于...
高卫李召永王建江王毅赵丽霞吴会旺陈秉克
文献传递
PVT法制备碳化硅用坩埚及调节坩埚温度场的方法
本发明提供了一种PVT法制备碳化硅用坩埚,属于晶体生长技术领域,包括底板;顶盖;以及至少两个筒体,同轴设置且由下至上依次排布,相邻两个筒体可拆卸连接,至少两个筒体组装成坩埚筒,且至少两个筒体的电阻率不完全相同;其中,位于...
高卫李召永王建江王毅赵丽霞吴会旺陈秉克
文献传递
压力变送器连接装置及硅外延尾气处理器
本实用新型提供了一种压力变送器连接装置及硅外延尾气处理器,压力变送器连接装置包括三通连接管、压力变送器以及非反应气源,本实用新型实施例提供的压力变送器连接装置,通过设置压力变送器接口、气源接口以及尾气反应器接口,连通了压...
康达陈振魁许斌武王毅孟祥鹏
探讨设备完整管理体系的建立与实施被引量:1
2015年
本文详细阐述了设备完整性管理体系的建立与实施,以期能提供一些建议与参考。
王毅
高纯SiC粉料中杂质浓度的控制和测试
2020年
采用燃烧合成法制备碳化硅(SiC)粉料,调整氢气和氩气体积流量比以及高纯氯化氢气体体积流量,使氮、铝和钒浓度低于二次离子质谱仪的检测下限,硼和钛浓度接近检测下限。使用制备的高纯SiC粉料生长单晶,获得电阻率大于1×10^9Ω·cm的衬底,粉料达到高纯半绝缘水平。通过研究发现,增加氢气体积流量可以降低粉料中的氮浓度,并使氮浓度低于检测限1×10^16 cm^-3,但是氢气体积流量过高会加重坩埚损耗,影响坩埚寿命和工艺稳定性;高纯氯化氢气体可以降低粉料中硼、铝、钒和钛的浓度,但其体积流量不宜过大,否则会引入新的氮杂质;粉料的色度a^*值与氮浓度呈反比关系,利用分光色差仪测试色度a^*值判断粉料氮浓度高低。
高卫赵丽霞李召永王毅王毅
关键词:氯化氢
旋转清理器及废气处理装置
本实用新型提供了一种旋转清理器及废气处理装置,所述旋转清理器包括连接座、转轴、至少两个密封件、刮清件,连接座上设有贯穿的内孔;转轴穿设于内孔中、且与连接座转动连接,转轴的两端均伸出连接座,转轴的直径小于连接座的内孔的直径...
王毅陈振魁许斌武孟祥鹏康达
共1页<1>
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