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氢气体积流量对n型4H-SiC同质外延生长的影响: 2023年; 在商业化偏4°导电型4H碳化硅(SiC)衬底上采用化学气相沉积(CVD)的方法进行n型4H-SiC同质外延层生长,研究反应过程中氢气(H2)对外延生长的影响,并使用表面缺陷测试仪、汞探针和红外膜厚仪等设备对外延层进行分析和表征。结果表明,氢气体积流量由基础值80增加到120 L/min,生长速率呈先增加后降低的趋势,生长速率的增加值最大为2μm/h,但缺陷呈先减少后增加的趋势。在高温CVD外延过程中,生长速率阶段性变化的原因:一是生长速率由气相质量转移系数和表面化学反应速率共同决定;二是氢气体积流量过大时,大量的析出氢难以及时离开生长表面,不利于反应物的有效分解和再沉积过程。综上所述,采用100 L/min氢气体积流量的生长工艺可在较高生长速率下制备高质量、厚度均匀性0.91%和载流子浓度均匀性1.81%的SiC外延片。; 袁肇耿张国良吴会旺吴会旺

PVT法制备碳化硅用坩埚及调节坩埚温度场的方法: 本发明提供了一种PVT法制备碳化硅用坩埚，属于晶体生长技术领域，包括底板；顶盖；以及至少两个筒体，同轴设置且由下至上依次排布，相邻两个筒体可拆卸连接，至少两个筒体组装成坩埚筒，且至少两个筒体的电阻率不完全相同；其中，位于...; 高卫李召永王建江王毅赵丽霞吴会旺陈秉克; 文献传递

FRD用硅外延片制备方法: 本发明公开了一种FRD用硅外延片制备方法，涉及半导体材料在基片上的沉积方法技术领域。包括如下步骤：在硅衬底上表面生长一层本征层；固定硅源流量，将注入的掺杂剂流量逐渐变小，同时将稀释氢流量逐渐变大，在本征层的上表面生长杂质...; 吴会旺; 文献传递

150mm高质量15kV器件用4H-SiC同质外延生长被引量：1: 2022年; 采用化学气相沉积法进行6英寸(1英寸=2.54 cm)厚层4H-SiC同质外延片的快速生长,通过对工艺中预刻蚀、碳硅比(C/Si)和温度等关键参数优化,有效降低了厚层外延片表面缺陷密度。同时,采用傅里叶变换红外法、汞探针电容电压法和表面缺陷测试仪对厚层4H-SiC同质外延片各项参数进行表征。结果表明,生长的厚150μm外延层表面缺陷(三角形、掉落物以及掉落物引起的三角形)密度可降低至0.5 cm^(-2)。外延片厚度均匀性为0.66%,外延层氮(N)掺杂浓度为2×10^(14) cm^(-3),N掺杂浓度均匀性为1.97%。此外,通过生长前对系统进行烘烤处理有效降低了反应腔系统的背景浓度,连续生长10炉次低掺杂浓度外延片,片间N掺杂浓度均匀性为4.56%,大大提高了炉次间的掺杂浓度均匀性。通过对工艺参数进行优化及外延前烘烤系统的方式,成功制备了150 mm高质量15 kV器件用4H-SiC同质外延片。; 吴会旺杨龙薛宏伟薛宏伟; 关键词：4H-SIC

硅外延片及其制备方法: 本发明公开了一种硅外延片及其制备方法，涉及半导体器件的制造或处理方法技术领域。所述方法包括如下步骤：在硅衬底的上表面直接生长一层低阻外延层；在所述低阻外延层的上表面每5μm‑10μm生长一层线性渐变外延层，生长时计算所述...; 高国智陈秉克赵丽霞袁肇耿薛宏伟吴会旺张绪刚; 文献传递

一种碳化硅外延生长控制方法: 本发明实施例提供一种碳化硅外延生长控制方法，应用于碳化硅外延设备；外延气体经多个导流管至出气口后，碳化硅衬底在外延气体的作用下形成条形外延区域；方法包括：获取各导流管的出气口处条形外延区域的外延层厚度；根据导流管的出气口...; 杨龙吴会旺李召永张永强尹志鹏袁肇耿赵丽霞

一种碳化硅籽晶的粘贴方法: 本发明涉及一种碳化硅籽晶的粘贴方法，包括：将高温胶薄膜铺在石墨平板上；将碳化硅籽晶置于高温胶薄膜上，对碳化硅籽晶施加2～4kgf/cm2的压力使其与高温胶薄膜贴合；在真空条件下，碳化硅籽晶及高温胶薄...; 肖凌吴会旺赵丽霞陈秉克; 文献传递

一种高纯碳化硅粉料品质的评价方法: 本发明公开了一种高纯碳化硅粉料品质的评价方法。所述评价方法包括如下步骤：取高纯碳化硅粉料，采用测色装置测量其明度值L*及色度值a*和b*；将所得L<Sup...; 王建江王毅高卫李召永赵丽霞吴会旺陈秉克; 文献传递

用于碳化硅外延生长的石墨基座: 本实用新型提供了一种用于碳化硅外延生长的石墨基座，包括基座本体以及嵌块，基座本体顶部设有开口朝上、用于容纳碳化硅衬底并供其进行外延生长的片槽，片槽的侧壁上开设有连通片槽与基座本体外部空间的凹槽；片槽的侧壁用于与碳化硅衬底...; 杨龙赵丽霞吴会旺李伟峰陈秉克; 文献传递

一种高纯碳化硅粉料品质的评价方法: 本发明公开了一种高纯碳化硅粉料品质的评价方法。所述评价方法包括如下步骤：取高纯碳化硅粉料，采用测色装置测量其明度值L*及色度值a*和b*；将所得L<Sup...; 王建江王毅高卫李召永赵丽霞吴会旺陈秉克

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吴会旺