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  • 9篇中文期刊文章

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机构

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作者

  • 9篇张磊
  • 5篇高金环
  • 4篇杨瑞霞
  • 4篇武一宾
  • 4篇商耀辉
  • 1篇黄杰
  • 1篇高兆丰
  • 1篇杨克武
  • 1篇贾科进
  • 1篇徐立生

传媒

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  • 1篇电子工艺技术

年份

  • 2篇2013
  • 1篇2011
  • 2篇2009
  • 4篇2007
9 条 记 录,以下是 1-9
排序方式:
HC08芯片JVT测试方法的探究
2013年
本文介绍了HC08芯片JVT测试的原理、测试过程和测试环境,详细介绍了在J750硬件平台,通过IG-XL软件,对HC08芯片进行JVT测试的流程。通过与传统的开路/短路测试的对比,介绍了JVT测试在保障测试的安全性、可靠性方面的重要作用,尤其是在检测芯片管脚的连接二极管的可靠性方面具有无可替代的优势。
张磊
关于LED新发展的探讨被引量:10
2011年
LED作为第四代光源,是目前公认的"绿色光源"。该文结合LED光源的基本发光原理、主要优点,说明其在照明、显示、背光等领域的应用及发展。此外,该文也指出了LED光源在应用中的不足之处,最后对LED的现状和前景进行了总结和展望。
张磊
关键词:LED绿色光源半导体材料
共振隧穿二极管的设计、研制和特性分析
2007年
用分子束外延技术在半绝缘GaAs衬底上生长制备了不同结构的AlAs/GaAs/InGaAs两垒一阱RTD单管.经过材料生长设计和工艺的改进,测得室温下器件的最高PVCR为2·4,峰值电流密度达到36·8kA/cm2.进行直流参数测试,得到RTD的I-V特性曲线,对量子阱宽度和帽层厚度对I-V特性的影响进行了分析.
张磊杨瑞霞武一宾商耀辉高金环
关键词:共振隧穿二极管峰谷电流比负微分电阻
HC08单片机LVI模块功能分析及其测试过程
2009年
LVI模块作为HC08单片机的重要组成部分,保障了单片机的可靠运行,在工业应用中发挥着重要作用。文章阐述了HC08型单片机LVI模块组成结构,作用原理及其基本应用。特别介绍了LVI的常用指令,寄存器设置。分析了LVI模块的一般测试过程,并专门针对J750测试机分析了它的测试参数。
张磊
关键词:单片机
GaAs基共振隧穿二极管的研究被引量:1
2007年
对GaAs基共振隧穿二极管(RTD)进行了研究,首先用分子束外延(MBE)方法进行A lAs/GaAs/InGaAs双势垒单势阱材料结构的生长。接着用常温光致荧光(PL)方法对结构材料进行了测试分析,其结果显示,较好的外延结构材料的PL谱线半峰宽达到62.6 nm。最后通过制成RTD器件对材料进行验证,器件测试结果表现出良好的直流特性。
张磊杨瑞霞武一宾商耀辉高金环
关键词:RTD光致荧光MBE
InP材料体系RTD的研制
2007年
报道了InP衬底AlAs/In0.53Ga0.47As/AlAs结构共振隧穿二极管(RTD)的研制过程.衬底片选用(001)半绝缘InP单晶片,结构材料使用分子束外延(MBE)技术制备,并用PL谱对外延片进行测试,器件采用台面结构.测得RTD器件室温下的峰谷电流比(PVCR)为7.4,峰值电流密度(Jp)为1.06×105A/cm-2,是国内首例成功的InP材料体系RTD.
高金环杨瑞霞武一宾贾科进商耀辉张磊杨克武
关键词:共振隧穿二极管INP衬底PL谱峰谷电流比
MBE生长RTD材料的X射线双晶衍射研究
2007年
用分子束外延技术(MBE)生长了GaAs基共振隧穿二极管(RTD)的材料结构,利用X射线双晶衍射(XRD)方法对材料进行了测试分析.结果表明,材料的双晶衍射峰半峰宽达到16.17″,GaAs层与In0.1Ga0.9As层的相对晶格失配率仅为0.0156%.对实验样品进行了双晶衍射回摆曲线的模拟,模拟结果与测试结果符合较好,说明生长的RTD材料结构与设计相符合.通过制成器件对材料进行验证,室温下对器件进行直流测试,PVCR达到5.1,峰值电流密度达到73.6 kA/cm2.
张磊杨瑞霞武一宾商耀辉高金环
关键词:RTDX射线双晶衍射MBE
数字芯片ADC模块的常见失效分析被引量:3
2009年
本文简单介绍了数字芯片ADC(模数转换)模块,并以精度为3位ADC为例,针对其常见的失效模式进行了分析。特别针对零刻度误差,满量程误差,增益误差,微分非线性误差,代码缺失误差做了分析,指出每种误差产生的原因,给ADC带来的影响,并提出了减少误差的基本方法。
张磊
关键词:ADC偏置增益
LED光源寿命评估方法探讨被引量:4
2013年
简要介绍了北美体系(IES)和国际电工协会(IEC)体系中LED光源流明维持寿命评估标准的发展和现状。基于半导体产品可靠性相关知识,对美国照明工程学会2011年发布的IES TM-21-11 LED光源流明维持寿命的推算方法中的数据选用和数据处理方法提出了质疑,并通过文中提及的E3.0实例对问题观点进行了例证说明。建议选用设备可靠性试验的相关标准GB5080-85对LED光源流明维持寿命进行评估,期望能够给国内半导体照明行业相关人士提供参考。
高金环张磊高兆丰黄杰徐立生
关键词:点估计
共1页<1>
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