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孙晓明

作品数：21 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 17篇专利
  • 3篇会议论文
  • 1篇期刊文章

领域

  • 4篇电子电信
  • 3篇理学
  • 2篇自动化与计算...

主题

  • 11篇探测器
  • 8篇砷化镓
  • 6篇砷化铝
  • 6篇砷化镓衬底
  • 6篇自旋
  • 6篇谐振腔
  • 6篇谐振腔增强型
  • 6篇谐振腔增强型...
  • 6篇光电
  • 6篇光电探测
  • 6篇光电探测器
  • 6篇衬底
  • 4篇模拟程序
  • 4篇反射谱
  • 3篇隧穿
  • 3篇共振隧穿
  • 3篇半导体
  • 2篇电池
  • 2篇电导
  • 2篇电子阻挡层

机构

  • 21篇中国科学院

作者

  • 21篇郑厚植
  • 21篇孙晓明
  • 10篇章昊
  • 9篇谈笑天
  • 9篇甘华东
  • 8篇朱汇
  • 7篇李桂荣
  • 6篇肖文波
  • 6篇张飞
  • 4篇谭平恒
  • 3篇朱科
  • 3篇刘剑
  • 3篇姬扬
  • 2篇罗晶
  • 2篇牛智川
  • 2篇吴昊
  • 2篇曾一平
  • 2篇扬威
  • 2篇申超
  • 2篇孙宝权

传媒

  • 1篇红外与毫米波...
  • 1篇第十六届全国...

年份

  • 6篇2011
  • 7篇2010
  • 3篇2009
  • 1篇2008
  • 4篇2007
共 21 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种谐振腔增强探测器腔模的控制方法
本发明一种谐振腔增强探测器腔的控制方法，包括：1)设计谐振腔增强探测器的腔模，初始设置探测器每一个结构层的厚度，由分子束外延设备生长样品；2)采用显微拉曼光谱仪测量样品的反射谱，得到高反带的中心位置以及样品实际腔模位置；...
孙晓明郑厚植章昊甘华东朱汇谈笑天肖文波李韫慧
文献传递
一套基于电池的半导体交流微分电导扫描测量系统
本发明是一套基于电池的半导体交流微分电导扫描测量系统：利用电池对放大器上跨导电容的充电原理，对样品施加直流偏压，使样品处于不同的直流偏置下，同时利用锁相内部交流输出信号加于样品上；测量样品在不同直流偏压下，对于输入的交流...
肖文波郑厚植刘剑姬扬孙宝权李桂荣谭平恒朱汇扬威张飞谈笑天孙晓明
文献传递
三势垒共振隧穿结构中极大增强的光生空穴共振隧穿(英文)
2007年
研究了电子隧穿出射端嵌入1.2μm厚n型弱掺杂GaAs层的三势垒双阱隧穿结构,观察到了隧穿峰谷比高达36的光生空穴共振隧穿峰.研究证实1.2μm厚n型弱掺杂GaAs层在光照下产生的大量光生空穴以及空穴隧穿出射端的23nm宽的量子阱中量子化的空穴能级对空穴隧穿谷电流的限制作用,是导致高峰谷比的光生空穴隧穿现象的主要原因.
朱汇郑厚植李桂荣谭平恒甘华东徐平张飞章昊肖文波孙晓明
关键词：光激发空穴共振隧穿
共焦显微中远红外探测器光谱响应测量系统
一种共焦显微中远红外探测器光谱响应测量系统，包括：一红外光源；一红外单色仪的输入端与红外光源的输出端相连接；一红外共焦显微系统位于红外单色仪输出光路上；一斩波限光单元位于红外共焦显微系统和三维微动平台之间，并位于红外单色...
朱汇郑厚植谭平恒章昊甘华东孙晓明李桂荣
文献传递
一种谐振腔增强探测器腔模的控制方法
本发明一种谐振腔增强探测器腔模的控制方法，包括：1)设计谐振腔增强探测器的腔模，初始设置探测器每一个结构层的厚度，由分子束外延设备生长样品；2)采用显微拉曼光谱仪测量样品的反射谱，得到高反带的中心位置以及样品实际腔模位置...
孙晓明郑厚植章昊甘华东朱汇谈笑天肖文波李韫慧
文献传递
光学自旋注入方法
一种光学自旋注入的方法，包括如下步骤：步骤1：取一衬底，在该衬底上生长缓冲层，缓冲层用于平滑衬底，使得后面生长的外延结构完整性好；步骤2：在缓冲层上生长有源层，有源层用来操控自旋极化的电子；步骤3：在有源层上生长共振隧穿...
张飞郑厚植肖文波谈笑天孙晓明吴昊朱科罗晶
文献传递
可实现自旋存储探测和光探测器复合功能的器件
一种可实现自旋存储探测和光探测器复合功能的器件，包括：一砷化镓衬底；一砷化镓缓冲层，该砷化镓缓冲层生长在砷化镓衬底上；一微腔结构，该微腔结构生长在砷化镓缓冲层上。本发明可实现自旋存储探测和光探测器复合功能的器件结构，运用...
孙晓明郑厚植甘华东申超
判定无上反射镜谐振腔增强型光电探测器有效腔模的方法
一种判定无上反射镜谐振腔增强型光电探测器有效腔模的方法，包括如下步骤：设计无上反射镜谐振腔增强型光电探测器的结构，形成探测器样品；将设计的探测器样品生长好以后，利用光谱仪测量样品的反射谱，标出反射谱中高反带区域的各个漏模...
孙晓明郑厚植章昊
光学自旋注入方法
一种光学自旋注入的方法，包括如下步骤：步骤1：取一衬底，在该衬底上生长缓冲层，缓冲层用于平滑衬底，使得后面生长的外延结构完整性好；步骤2：在缓冲层上生长有源层，有源层用来操控自旋极化的电子；步骤3：在有源层上生长共振隧穿...
张飞郑厚植肖文波谈笑天孙晓明吴昊朱科罗晶
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三势垒隧穿结构中的高峰谷比光生空穴共振隧穿
＜正＞峰谷电流比值（PVCR）是衡量一个共振隧穿二极管的特性好坏的一个最基本的参数。而由于轻重空穴态混合问题,p 型 GaAs/AlAs 结构的 RTD 在15K 的温度下的 PVCR 仅仅接近于4。另一方面,尽
朱汇郑厚植李桂荣牛智川曾一平张飞孙晓明谈笑天
关键词：光激发空穴共振隧穿
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