您的位置： 专家智库 > >

谈笑天

作品数：14 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 10篇专利
  • 3篇会议论文
  • 1篇学位论文

领域

  • 4篇电子电信
  • 2篇理学

主题

  • 4篇欧姆接触
  • 3篇迁移率
  • 3篇晶体管
  • 3篇半导体
  • 2篇电池
  • 2篇电导
  • 2篇电子迁移率
  • 2篇电子阻挡层
  • 2篇淀积
  • 2篇调制
  • 2篇动态电阻
  • 2篇盐酸
  • 2篇盐酸溶液
  • 2篇扫描测量
  • 2篇扫描测量系统
  • 2篇砷化铝
  • 2篇砷化镓
  • 2篇砷化镓表面
  • 2篇酸溶液
  • 2篇隧穿

机构

  • 14篇中国科学院

作者

  • 14篇谈笑天
  • 13篇郑厚植
  • 9篇孙晓明
  • 6篇肖文波
  • 6篇朱汇
  • 6篇张飞
  • 5篇李桂荣
  • 5篇刘剑
  • 3篇朱科
  • 3篇甘华东
  • 3篇姬扬
  • 2篇罗晶
  • 2篇牛智川
  • 2篇吴昊
  • 2篇曾一平
  • 2篇杨富华
  • 2篇扬威
  • 2篇章昊
  • 2篇孙宝权
  • 2篇谭平恒

传媒

  • 1篇第十六届全国...

年份

  • 3篇2011
  • 4篇2010
  • 4篇2009
  • 3篇2007
共 14 条 记 录，以下是 1-10
全选 清除 导出
排序方式：
一套基于电池的半导体交流微分电导扫描测量系统
本发明是一套基于电池的半导体交流微分电导扫描测量系统：利用电池对放大器上跨导电容的充电原理，对样品施加直流偏压，使样品处于不同的直流偏置下，同时利用锁相内部交流输出信号加于样品上；测量样品在不同直流偏压下，对于输入的交流...
肖文波郑厚植刘剑姬扬孙宝权李桂荣谭平恒朱汇扬威张飞谈笑天孙晓明
文献传递
光学自旋注入方法
一种光学自旋注入的方法，包括如下步骤：步骤1：取一衬底，在该衬底上生长缓冲层，缓冲层用于平滑衬底，使得后面生长的外延结构完整性好；步骤2：在缓冲层上生长有源层，有源层用来操控自旋极化的电子；步骤3：在有源层上生长共振隧穿...
张飞郑厚植肖文波谈笑天孙晓明吴昊朱科罗晶
文献传递
一套基于电池的半导体交流微分电导扫描测量系统
本发明是一套基于电池的半导体交流微分电导扫描测量系统：利用电池对放大器上跨导电容的充电原理，对样品施加直流偏压，使样品处于不同的直流偏置下，同时利用锁相内部交流输出信号加于样品上；测量样品在不同直流偏压下，对于输入的交流...
肖文波郑厚植刘剑姬扬孙宝权李桂荣谭平恒朱汇扬威张飞谈笑天孙晓明
文献传递
一种增强型高电子迁移率晶体管结构及其制作方法
本发明涉及半导体器件技术领域，公开了一种调制掺杂增强型高电子迁移率晶体管结构，该增强型高电子迁移率晶体管结构由下至上依次包括：衬底、GaAs/AlAs超晶格层、GaAs量子阱层、Al<Sub>0.3</Sub>Ga<Su...
谈笑天郑厚植
一种谐振腔增强探测器腔模的控制方法
本发明一种谐振腔增强探测器腔模的控制方法，包括：1)设计谐振腔增强探测器的腔模，初始设置探测器每一个结构层的厚度，由分子束外延设备生长样品；2)采用显微拉曼光谱仪测量样品的反射谱，得到高反带的中心位置以及样品实际腔模位置...
孙晓明郑厚植章昊甘华东朱汇谈笑天肖文波李韫慧
文献传递
在本征砷化镓表面77K以下实现欧姆接触的方法
一种在本征砷化镓表面温度77K以下实现欧姆接触的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1：在制备好的GaAs基片上进行涂胶、均胶、前烘、光刻、显影；步骤2：将显影后的GaAs基片置入氧离子轰击炉中，对基片轰击；步骤3：将轰...
谈笑天郑厚植刘剑杨富华
光学自旋注入方法
一种光学自旋注入的方法，包括如下步骤：步骤1：取一衬底，在该衬底上生长缓冲层，缓冲层用于平滑衬底，使得后面生长的外延结构完整性好；步骤2：在缓冲层上生长有源层，有源层用来操控自旋极化的电子；步骤3：在有源层上生长共振隧穿...
张飞郑厚植肖文波谈笑天孙晓明吴昊朱科罗晶
文献传递
一种增强型高电子迁移率晶体管结构及其制作方法
本发明涉及半导体器件技术领域，公开了一种调制掺杂增强型高电子迁移率晶体管结构，该增强型高电子迁移率晶体管结构由下至上依次包括：衬底、GaAs/AlAs超晶格层、GaAs量子阱层、Al<Sub>0.3</Sub>Ga<Su...
谈笑天郑厚植
文献传递
一种谐振腔增强探测器腔模的控制方法
本发明一种谐振腔增强探测器腔的控制方法，包括：1)设计谐振腔增强探测器的腔模，初始设置探测器每一个结构层的厚度，由分子束外延设备生长样品；2)采用显微拉曼光谱仪测量样品的反射谱，得到高反带的中心位置以及样品实际腔模位置；...
孙晓明郑厚植章昊甘华东朱汇谈笑天肖文波李韫慧
文献传递
三势垒隧穿结构中的高峰谷比光生空穴共振隧穿
＜正＞峰谷电流比值（PVCR）是衡量一个共振隧穿二极管的特性好坏的一个最基本的参数。而由于轻重空穴态混合问题,p 型 GaAs/AlAs 结构的 RTD 在15K 的温度下的 PVCR 仅仅接近于4。另一方面,尽
朱汇郑厚植李桂荣牛智川曾一平张飞孙晓明谈笑天
关键词：光激发空穴共振隧穿
文献传递
全选 清除 导出
共2页<12>
聚类工具0