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赵洪信
作品数:
1
被引量:1
H指数:1
供职机构:
中国科学院半导体研究所
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相关领域:
自动化与计算机技术
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合作作者
刘宇
西安交通大学
崔昭华
中国科学院半导体研究所
王国裕
西安交通大学
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王国裕
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崔昭华
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赵洪信
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刘宇
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1篇
半导体光电
年份
1篇
2005
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基于0.35μLm工艺设计的APSCMOS图像传感器
被引量:1
2005年
介绍了一种基于CHRT公司0.35μm工艺而设计的CMOS图像传感器。该图像传感器采用APS像素结构,像素阵列256×256,包含有列放大器、阵列扫描、串行接口、控制逻辑和ADC等模块。该图像传感器采用动态数字双采样(DDDS)的新方法消除FPN噪音并已经通过MPW采用CHRT0.35μm salicide 2P4M工艺流片。
刘宇
王国裕
赵洪信
崔昭华
关键词:
图像传感器
填充因数
FPN
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