张飞
- 作品数：26 被引量：1H指数：1
- 供职机构：中国科学院上海技术物理研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 一种太赫兹亚波长分辨成像装置
- 本发明公开了一种太赫兹亚波长分辨成像装置。本发明针对现有技术存在的问题，提供一种太赫兹波近场探测亚波长分辨成像装置，将太赫兹波近场成像的空间分辨率提高到优于0.02λ量级，提高近场成像质量，拓展太赫兹近场成像技术的应用领...
- 黄志明周炜姚娘娟曲越吴敬高艳卿黄敬国张飞尹一鸣褚君浩
- 一种激光上转化太赫兹差频源探测系统
- 本发明公开一种激光上转化太赫兹差频源探测系统，该系统基于非线性光学激光上转化的原理，在非线性晶体中对目前已有的太赫兹脉冲差频信号进行上转化探测，依据高灵敏度近红外探测器以及窄带滤光片技术，实现太赫兹的近红外光探测，最终实...
- 黄敬国黄志明杨秋杰李高芳周炜曲越姚娘娟张飞吴敬高艳卿褚君浩
- 一种制备柔性热敏薄膜材料的方法
- 本发明公开了一种制备柔性热敏薄膜的方法，该方法以MnCO<Sub>3</Sub>、Co<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>、Ni<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>粉末为原料经研磨、过筛、合成...
- 吴敬黄志明周炜江林欧阳程高艳卿张飞褚君浩
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- 一种微桥结构锰钴镍氧薄膜红外探测器
- 本专利公开了一种微桥结构锰钴镍氧薄膜红外探测器件。探测器的微桥结构为一平台，将锰钴镍氧薄膜材料沉积在该平台上制作红外探测器，其微桥结构的牺牲层采取直接加热的方式去除，而无需在锰钴镍氧探测元上再沉积一层钝化层，且牺牲层可以...
- 黄志明张飞周炜吴敬黄敬国高艳卿曲越孙雷江林姚娘娟褚君浩
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- 一种种子光注入高功率太赫兹差频源系统
- 本发明公开一种种子光注入高功率太赫兹差频源系统，该系统包括1064nm脉冲激光器、光学参量振荡器、种子太赫兹激光器、光束延迟线、半波片、偏振分光棱镜、太赫兹合束镜、硒化镓晶体和太赫兹透镜。该发明基于种子光注入放大原理，首...
- 黄敬国黄志明杨秋杰李高芳周炜曲越姚娘娟张飞吴敬高艳卿褚君浩
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- 一种激光上转化太赫兹差频源探测系统
- 本专利公开一种激光上转化太赫兹差频源探测系统，该系统基于非线性光学激光上转化的原理，在非线性晶体中对目前已有的太赫兹脉冲差频信号进行上转化探测，依据高灵敏度近红外探测器以及窄带滤光片技术，实现太赫兹的近红外光探测，最终实...
- 黄敬国黄志明杨秋杰李高芳周炜曲越姚娘娟张飞吴敬高艳卿褚君浩
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- 一种微桥结构锰钴镍氧薄膜红外探测器及其制备方法
- 本发明公开了一种微桥结构锰钴镍氧薄膜红外探测器件及其制备方法。探测器的微桥结构为一平台，将锰钴镍氧薄膜材料沉积在该平台上制作红外探测器，其微桥结构的牺牲层采取直接加热的方式去除，而无需在锰钴镍氧探测元上再沉积一层钝化层，...
- 黄志明张飞周炜吴敬黄敬国高艳卿曲越孙雷江林姚娘娟褚君浩
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- 退火对Mn-Co-Ni-O薄膜器件性能的影响
- 2016年
- 采用磁控溅射法制备了厚度为6.5μm的Mn_(1.95)Co_(0.77)Ni_(0.28)O_4组分的薄膜材料,把材料分别在400℃,500℃,600℃,700℃,800℃下进行后退火处理.结果表明,室温下的负电阻温度系数α295值随退火温度增加先增大后减小,而电阻率ρ_(295)则是随退火温度增加逐渐减小的;在相同频率下,500℃退火样品的归一化噪声谱密度(S_V·V_R/V^2)最小,700℃退火样品的归一化噪声谱密度最大.退火温度越高会造成越多的晶体缺陷,从而降低有效导热系数、增大时间常数τ和器件噪声.
- 张飞欧阳程周炜吴敬高艳卿黄志明
- 关键词：退火温度探测率
- 电磁诱导势阱半导体禁带下室温光电导探测器件
- 本专利公开一种电磁诱导势阱半导体禁带下室温光电导探测器件，该器件由半导体衬底上依次生长半导体外延层，钝化保护层和正负电极金属层构成。该器件基于电磁诱导势阱、远禁带下室温光电导机制，选用适宜参数(载流子浓度，迁移率等)的半...
- 黄志明周炜姚娘娟曲越吴敬高艳卿黄敬国张飞尹一鸣褚君浩
- 文献传递
- 一种太赫兹差频源远距离主动探测系统
- 本发明公开一种太赫兹差频源远距离主动探测系统，该系统包括高功率1064nm激光器、光学参量振荡器、光束延迟线、半波片、偏振分光棱镜、硒化镓晶体、太赫兹透镜、太赫兹反射镜以及太赫兹探测器。该发明利用高功率太赫兹差频源辐射技...
- 黄志明黄敬国张娟杨秋杰李高芳周炜曲越姚娘娟张飞褚君浩
