刘宇
- 作品数：6 被引量：14H指数：1
- 供职机构：中国科学院物理研究所更多>>
- 相关领域：理学更多>>
- 氮化钛/氮化镓异质结构材料及其制备方法和应用
- 本发明提供一种制备氮化钛/氮化镓异质结构材料的方法。本发明还提供一种本发明的方法制备的氮化钛/氮化镓异质结构材料，其中，所述氮化钛/氮化镓异质结构材料的形状为一维多孔纳米棒状，并且所述一维多孔纳米棒的长径比为1.5:1‑...
- 刘宇王文龙张晓伟逯丽莎赵昱白雪冬
- 文献传递
- 宽禁带半导体碳化硅单晶生长和物性研究进展被引量：14
- 2012年
- 本文介绍了最近几年在SiC单晶生长和晶片加工技术产业化进程中的系列进展。研究出SiC单晶生长的扩径技术,4英寸SiC晶体单晶直径达105 mm。晶体质量逐步提高,至2011年,大部分晶片微管密度小于1个/cm2,反映晶体结晶质量的X射线摇摆曲线半高宽小于20″;生长的导电型SiC晶体电阻率小于0.02Ω.cm,半绝缘型SiC晶体电阻率大于108Ω.cm,电阻率分布均匀性良好。研究出即开即用SiC晶片批量加工技术,晶片表面粗糙度低于0.2 nm,翘曲度和总厚度变化满足工业化批量生产要求。与此同时,在基础物性研究方面也取得了系列研究成果。首次在实验上给出了直接证据证明SiC晶体中的双空位能够诱导出磁性,并从理论上予以证明。利用多种方法在SiC衬底上成功制备出大面积、高质量、性能优异的石墨烯。
- 彭同华刘春俊王波王锡铭郭钰赵宁李龙远刘宇黄青松贾玉萍王刚郭丽伟陈小龙
- 关键词：SIC晶体单晶生长晶片加工磁性
- Al掺杂SiC的磁性研究
- 稀磁半导体(Diluted Magnetic Semiconductors,DMSs)同时利用电子的电荷属性和自旋属性,具有新颖而独特的性质,是自旋电子学的材料基础,已成为当前国际材料研究领域中的热点。2000年,Die...
- 王刚宋波刘宇彭同华陈小龙
- 文献传递
- 氮化钛/氮化镓异质结构材料及其制备方法和应用
- 本发明提供一种制备氮化钛/氮化镓异质结构材料的方法。本发明还提供一种本发明的方法制备的氮化钛/氮化镓异质结构材料，其中，所述氮化钛/氮化镓异质结构材料的形状为一维多孔纳米棒状，并且所述一维多孔纳米棒的长径比为1.5:1‑...
- 刘宇王文龙张晓伟逯丽莎赵昱白雪冬
- 文献传递
- 半绝缘碳化硅单晶
- 公开了一种半绝缘碳化硅单晶，包括本征点缺陷、深能级掺杂剂、本底浅施主和受主杂质；其中所述深能级掺杂剂和本征点缺陷的浓度之和大于浅施主和浅受主杂质浓度之间差值，且所述本征点缺陷的浓度小于深能级掺杂剂的浓度。该半绝缘碳化硅单...
- 陈小龙刘春俊彭同华李龙远王刚刘宇
- 文献传递
- 半绝缘碳化硅单晶
- 公开了一种半绝缘碳化硅单晶，包括本征点缺陷、深能级掺杂剂、本底浅施主和受主杂质；其中所述深能级掺杂剂和本征点缺陷的浓度之和大于浅施主和浅受主杂质浓度之间差值，且所述本征点缺陷的浓度小于深能级掺杂剂的浓度。该半绝缘碳化硅单...
- 陈小龙刘春俊彭同华李龙远王刚刘宇
- 文献传递
