王波
- 作品数：8 被引量：14H指数：1
- 供职机构：中国科学院物理研究所更多>>
- 相关领域：电子电信理学化学工程更多>>
- 一种无石墨包裹物的导电碳化硅晶体生长工艺
- 一种无石墨包裹物的导电碳化硅晶体生长工艺，利用氢原子可以在高温下与石墨颗粒反应生成气态的碳氢化合物或碳氢自由基，将石墨颗粒在原料中或从料面到晶体生长面的输运过程中消除，从而生长出无石墨包裹物导电碳化硅晶体；其过程为：将可...
- 王波彭同华刘春俊赵宁娄艳芳王文军王刚陈小龙
- 文献传递
- 一种无石墨包裹物的导电碳化硅晶体生长工艺
- 一种无石墨包裹物的导电碳化硅晶体生长工艺，利用氢原子可以在高温下与石墨颗粒反应生成气态的碳氢化合物或碳氢自由基，将石墨颗粒在原料中或从料面到晶体生长面的输运过程中消除，从而生长出无石墨包裹物导电碳化硅晶体；其过程为：将可...
- 王波彭同华刘春俊赵宁娄艳芳王文军王刚陈小龙
- 文献传递
- 碳化硅晶体制备技术
- 陈小龙吴星胡伯清李龙远彭同华王皖燕倪代秦鲍慧强张贺刘春俊王波王文军许燕萍朱丽娜
- 碳化硅(SiC)作为重要的第三代半导体材料，是制作高温、高频、大功率、高压以及抗辐射电子器件的理想材料，在军工、航天、固态照明和电力电子等领域具有重要的应用价值，因此成为全球半导体材料产业的前沿和制高点之一。物理气相传输...
- 关键词：
- 关键词：半导体材料
- 宽禁带半导体碳化硅单晶产业化进展
- 本研究组自1999年起一直致力于SiC晶体生长和加工技术的研究，在该研究领域己有十多年的积累，并率先在国内开展产业化工作，于2006年8月成立了国内第一家，也是目前国内规模最大的专业从事宽禁带半导体碳化硅研发、生产、销售...
- 刘春俊王波赵宁郭钰张贺王刚王文军陈小龙彭同华
- 关键词：晶体生长
- 文献传递
- 宽禁带半导体碳化硅单晶生长和物性研究进展被引量：14
- 2012年
- 本文介绍了最近几年在SiC单晶生长和晶片加工技术产业化进程中的系列进展。研究出SiC单晶生长的扩径技术,4英寸SiC晶体单晶直径达105 mm。晶体质量逐步提高,至2011年,大部分晶片微管密度小于1个/cm2,反映晶体结晶质量的X射线摇摆曲线半高宽小于20″;生长的导电型SiC晶体电阻率小于0.02Ω.cm,半绝缘型SiC晶体电阻率大于108Ω.cm,电阻率分布均匀性良好。研究出即开即用SiC晶片批量加工技术,晶片表面粗糙度低于0.2 nm,翘曲度和总厚度变化满足工业化批量生产要求。与此同时,在基础物性研究方面也取得了系列研究成果。首次在实验上给出了直接证据证明SiC晶体中的双空位能够诱导出磁性,并从理论上予以证明。利用多种方法在SiC衬底上成功制备出大面积、高质量、性能优异的石墨烯。
- 彭同华刘春俊王波王锡铭郭钰赵宁李龙远刘宇黄青松贾玉萍王刚郭丽伟陈小龙
- 关键词：SIC晶体单晶生长晶片加工磁性
- 一种清洗碳化硅晶片表面污染物的方法
- 本发明提供了一种用于碳化硅晶片表面污染物的清洗工艺，该清洗工艺包括有机清洗和无机清洗两部分内容。有机清洗包括去除表面黏着的蜡质和表面其余的部分有机污染物的步骤；无机清洗包括通过氧化-去除氧化层来去除碳化硅表面残留的有机污...
- 郭钰陈小龙王波张贺王锡铭彭同华郭晨丽鲍惠强李龙远郑红军
- 文献传递
- 快速生长6H导电SiC晶体
- SiC(碳化硅)作为目前发展最成熟的宽带隙半导体材料,具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率和高键合能等优点,其优异的性能可以满足现代电子技术对高温、高频、高功率、高压以及抗辐射的要求,而被看作是半导体材料领域最有...
- 王波彭同华刘春俊赵宁陈小龙
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- 一种清洗碳化硅晶片表面污染物的方法
- 本发明提供了一种用于碳化硅晶片表面污染物的清洗工艺，该清洗工艺包括有机清洗和无机清洗两部分内容。有机清洗包括去除表面黏着的蜡质和表面其余的部分有机污染物的步骤；无机清洗包括通过氧化-去除氧化层来去除碳化硅表面残留的有机污...
- 郭钰陈小龙王波张贺王锡铭彭同华郭晨丽鲍惠强李龙远郑红军
