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王林军

作品数：3 被引量：9H指数：1
供职机构：中国科学院上海光学精密机械研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：理学电子电信一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 3篇单晶
  • 3篇晶体
  • 2篇电阻率
  • 2篇氧化镓
  • 2篇载流子
  • 2篇共掺
  • 2篇共掺杂
  • 2篇掺杂
  • 1篇导体
  • 1篇探测器
  • 1篇紫外光探测器
  • 1篇禁带
  • 1篇晶体生长
  • 1篇宽禁带
  • 1篇宽禁带半导体
  • 1篇光探测
  • 1篇光探测器
  • 1篇半导体
  • 1篇LED
  • 1篇MOSFET

机构

  • 3篇中国科学院上...
  • 1篇上海大学

作者

  • 3篇夏长泰
  • 3篇赛青林
  • 3篇王林军
  • 2篇齐红基
  • 1篇张宏哲
  • 1篇肖海林

传媒

  • 1篇人工晶体学报

年份

  • 1篇2019
  • 1篇2017
  • 1篇2015
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
高电导率的共掺杂氧化镓晶体及其制备方法
本发明公开了一种电阻率低至10<Sup>‑3</Sup>Ω·cm量级的共掺杂氧化镓晶体，通过Sn和In离子掺入氧化镓形成的n型导电晶体，化学式为Ga<Sub>2‑2x‑</Sub><Sub>2y</Sub>In<Sub>...
夏长泰张宏哲王林军赛青林周威齐红基潘明艳
高电导率的共掺杂氧化镓晶体及其制备方法
本发明公开了一种电阻率低至10<Sup>‑3</Sup>Ω·cm量级的共掺杂氧化镓晶体，通过Sn和In离子掺入氧化镓形成的n型导电晶体，化学式为Ga<Sub>2‑2x‑</Sub><Sub>2y</Sub>In<Sub>...
夏长泰张宏哲王林军赛青林周威齐红基潘明艳
文献传递
宽禁带半导体β-Ga_2O_3单晶的研究进展被引量：9
2015年
本论文综述了宽禁带半导体β-Ga_2O_3材料的研究进展,包括晶体结构,生长方法,掺杂离子,光学性质和电学性质。β-Ga_2O_3可以作为GaN基LEDs的潜在衬底,同时它也在MOSFET和紫外光探测器方面有着重要的应用前景。
张宏哲王林军夏长泰赛青林肖海林
关键词：晶体生长LEDMOSFET紫外光探测器
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共1页<1>
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