齐红基 作品数:173 被引量:240 H指数:8 供职机构: 中国科学院上海光学精密机械研究所 更多>> 发文基金: 国家自然科学基金 国家高技术研究发展计划 深圳市科技计划项目 更多>> 相关领域: 理学 电子电信 一般工业技术 机械工程 更多>>
KDP晶体中铝取代钾点缺陷第一性原理计算 被引量:2 2018年 为了明确Al3+在KDP晶体生长过程中对光学性质和力学性质的具体影响,采用第一性原理计算程序包VASP软件计算并分析了Al取代K对KDP晶体的晶体结构、电子能态密度和光学性质,并同理想KDP晶体进行对比研究。结果表明,KDP晶体中Al取代K的缺陷形成能为0.974 e V,并且Al替位K点缺陷引起的晶格畸变非常微弱,缺陷比较容易形成。Al取代K后晶体能带中价带顶附近的态密度发生了变化,并且带隙中存在缺陷能级,取代后KDP晶体的带隙宽度减小为4.37 e V,缺陷增加了KDP晶体对可见到紫外波段的光子吸收,影响KDP晶体光学质量及其激光损伤性能。计算力学性质发现,Al替位掺杂KDP晶体比理想KDP晶体的杨氏模量增加了,这会减弱晶体抗激光损伤能力。 周琦 王虎 齐红基 伍建春关键词:点缺陷 磷酸二氢钾 第一性原理 光吸收 高温环境下光学元件激光损伤阈值测试装置和测试方法 一种高温环境下光学元件激光损伤阈值测试装置和测试方法,其特点是,在传统的光学元件抗激光损伤阈值测试光路的测试平台上固定特殊设计的高温箱,被测光学元件样品置于高温箱内部,高温箱通过加热板及温度控制系统为被测试光学样品提供特... 齐红基 王虎 崔岩岩 胡国行 王斌 刘有臣 易葵纳秒激光作用下材料的多缺陷耦合效应 建立了纳秒激光作用下材料的多缺陷耦合模型。该模型描述在纳秒激光作用下,多缺陷耦合效应对材料损伤阈值的影响。从热传导方程入手,在单杂质缺陷模型基础上,利用Mie散射理论计算杂质缺陷的吸收截面,根据材料基质和杂质缺陷的热物性... 于振坤 齐红基 赵元安 贺洪波关键词:纳秒激光 热效应 纳米Mo膜的光学特性及最小连续膜厚研究 被引量:5 2005年 利用Lambda-900分光光度计,在波长为310~1250 nm范围内测量了离子束溅射沉积不同厚度纳米Mo膜的反射率和透射率.选定波长为310 nm,350 nm,400 nm,500 nm,550 nm,632 nm,800 nm,1200 nm时对薄膜的反射率、透射率和吸收率随膜厚变化的关系进行了讨论.实验结果显示,纳米Mo膜的光学特性有明显的尺寸效应.提出将薄膜对光波长为550 nm时的反射率和透射率随Mo膜厚度变化关系的交点对应的厚度作为特征厚度,该厚度可认为是纳米Mo膜生长从不连续膜进入连续膜的最小连续膜厚.利用原子力显微镜(AFM)观测膜厚在15.76 nm时的表面形貌,此时表面形貌已呈现连续膜的特征. 范平 邵建达 易葵 齐红基 范正修关键词:光学特性 尺寸效应 飞秒脉冲钛宝石激光器中的低振荡高色散镜对 被引量:2 2018年 基于高反射膜层和Gires-Tournois(G-T)腔,优化设计了一对低振荡高色散镜。该色散镜对的中心波长为800 nm,能够在680~920 nm的带宽范围内提供-200 fs^2的平坦的群延迟色散。基于双离子束溅射工艺,利用Nb_2O_5和SiO_2制备了低振荡高色散镜对,并将其应用于800 nm钛宝石激光器系统。通过高色散镜对2次,100.8 fs激光脉冲被压缩至19 fs。 刘加 王胭脂 赵睿睿 郭可升 陈瑞溢 齐红基 朱美萍 王丁 易葵 冷雨欣 邵建达关键词:脉冲压缩 钛宝石激光 DKDP晶体快速生长技术研究进展 大口径高质量的DKDP晶体是目前神光三装置急需的混频元件。围绕DKDP晶体抗激光损伤性能的提升,项目组自主研发了新型的多级过滤器,溶液的颗粒度抑制效果提升了2个数量级;自主研发了晶体生长实时监控系统,能够实现晶体生长过程... 齐红基 王斌 陈端阳 邵建达关键词:DKDP晶体 文献传递 超声清洗万能夹具 张东平 齐红基 尚淑珍 范树海 邵建达 贺洪波 范正修 一种用于超声清洗万能夹具,由滑动框架、固定框架、四根滑杆、若干夹件合一导水支撑棒组成,可提高镀膜基片超声清洗的效果和效率,提高所镀制的薄膜的质量。关键词:关键词:超声清洗 一种KDP类长籽晶单锥晶体生长的载晶架 一种KDP类长籽晶单锥晶体生长的载晶架,包括上横梁、下托盘、两个搅拌桨以及连接杆,所述的搅拌桨为等腰三角立柱结构;所述的下托盘的上表面的正中央为籽晶的固定位置,所述的两个搅拌桨的顶点棱边朝向下托盘的中心,所述的两个搅拌桨... 王斌 齐红基 邵建达 王虎 陈端阳 王晓亮文献传递 剥离法薄膜附着力的测量装置 张东平 黄建兵 齐红基 赵元安 张大伟 邵建达 范正修 该产品由支架、螺杆、螺母、弹簧和测量小坫组成,支架上下横框中心同一轴线上分别设有“O”形上通孔和圆形下通孔,竖直平面上设有标尺,带有较长手柄的螺母的螺孔四周设有等分圆的刻度,测量小坫上端设有圆孔,螺杆穿过上通孔,测量小坫...关键词: 一种氧化镓外延薄膜及其制备方法与应用 本发明公开一种氧化镓外延薄膜及其制备方法,涉及半导体外延薄膜制备技术领域,所述制备方法包括步骤:对提供的氧化镓晶锭进行切割,得到带有斜切角度的(100)晶面氧化镓衬底,所述斜切角度为1.0±0.05°,斜切方向为沿<Im... 齐红基 王映霖 陈端阳 赛青林