孙静
- 作品数：6 被引量：9H指数：2
- 供职机构：中国空间技术研究院更多>>
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- 相关领域：电子电信航空宇航科学技术核科学技术更多>>
- 高功率微波作用下高电子迁移率晶体管的损伤机理被引量：3
- 2016年
- 本文针对高电子迁移率晶体管在高功率微波注入条件下的损伤过程和机理进行了研究,借助SentaurusTCAD仿真软件建立了晶体管的二维电热模型,并仿真了高功率微波注入下的器件响应.探索了器件内部电流密度、电场强度、温度分布以及端电流随微波作用时间的变化规律.研究结果表明,当幅值为20 V,频率为14.9 GHz的微波信号由栅极注入后,器件正半周电流密度远大于负半周电流密度,而负半周电场强度高于正半周电场.在强电场和大电流的共同作用下,器件内部的升温过程同时发生在信号的正、负半周内.又因栅极下靠近源极侧既是电场最强处,也是电流最密集之处,使得温度峰值出现在该处.最后,对微波信号损伤的高电子迁移率晶体管进行表面形貌失效分析,表明仿真与实验结果符合良好.
- 李志鹏李晶孙静刘阳方进勇
- 关键词：高电子迁移率晶体管高功率微波
- 空间X射线通信技术研究现状分析被引量：3
- 2019年
- 美国国家航空航天局(NASA)计划于2019年上半年在国际空间站试验一种新型空间通信技术——X射线通信,首次开展X射线通信空间技术试验。该技术是近年来空间科学领域的前沿技术,X射线具有自由空间传输无衰减、超高带宽及不易被截获等特性,在深空探测、空间编队飞行及黑障通信等领域具有潜在应用优势。
- 张颖军蒙静古松彭凯朱鹏孙静方进勇
- 关键词：空间飞行探测器电子流光子能量
- 重离子单粒子效应试验标定系统
- 2021年
- 针对国内加速器束流快速标定的需求并参考欧洲航天局的单粒子翻转监测器,本文成功研制重离子单粒子效应标定系统,并成功应用于国内串列重离子加速器束流的单粒子效应试验标定。试验结果表明,11种重离子分别在入射角度为0°、45°和60°的辐照下,可以标定系统在"00"和"FF"数据模式下的SEU(Single Event Upset)截面数据。通过与国内外主要加速器的单粒子翻转试验数据结果的比对,分析标定系统内部单粒子翻转物理分布图,验证所设计的单粒子标定系统可以对重离子加速器中束流的准确性和均匀性进行准确监测。
- 刘浩林刘青张晓晖孙静古松钟征宇
- 关键词：超快光学单粒子效应重离子加速器
- 高功率微波作用下HEMT损伤效应与机理分析
- 本文利用半导体仿真软件Sentaurus-TCAD建立了Ga As高电子迁移率晶体管二维电热模型,考虑了高电场下的载流子迁移率退化和载流子雪崩产生效应,分析了由栅极注入高功率微波（HPM）情况下器件内部的瞬态响应,通过分...
- 薛沛雯方进勇李志鹏孙静
- 关键词：高功率微波高电子迁移率晶体管
- 文献传递
- 漏极注入HPM对高电子迁移率晶体管的损伤机理被引量：2
- 2017年
- 针对典型GaAs高电子迁移率晶体管(HEMT)低噪声放大器,利用半导体仿真软件Sentaurus-TCAD建立了HEMT低噪声放大器二维电热模型,考虑高电场下的载流子迁移率退化和载流子雪崩产生效应,分析了由漏极注入高功率微波(HPM)情况下器件内部的瞬态响应,通过分析器件内部电场强度、电流密度、温度分布随信号作用时间的变化,研究了其损伤效应与机理。研究结果表明,当漏极注入幅值17.5V、频率为14.9GHz的微波信号后,峰值温度随信号作用时间的变化呈现周期性"增加—减小—增加"的规律。在正半周期降温,在负半周期升温,总体呈上升趋势,正半周电场峰值主要出现在漏极,负半周电场峰值主要出现在栅极靠漏侧,端电流在第二周期之后出现明显的双峰现象。由于热积累效应,栅极下方靠漏侧是最先发生熔融烧毁的部位,严重影响了器件的可靠性,而漏极串联电阻可以有效提高器件抗微波损伤能力。最后,对微波信号损伤的HEMT进行表面形貌失效分析,表明仿真与试验结果基本相符。
- 薛沛雯方进勇李志鹏孙静
- 关键词：高功率微波高电子迁移率晶体管漏极
- 不同频率高功率微波对高电子迁移率晶体管的损伤效应被引量：2
- 2017年
- 针对典型的Ga As高电子迁移率晶体管(HEMT),研究了不同频率高功率微波从栅极注入HEMT后的影响。利用半导体仿真软件Sentaurus-TCAD建立了HEMT器件二维电热模型,考虑了高电场下的载流子迁移率退化和载流子雪崩产生效应,通过分析器件内部电场强度,电流密度,温度分布随信号作用时间的变化来探索其损伤过程及机理,获得了其在不同频率高功率微波作用下的烧毁时间,烧毁位置处的电场强度,电流密度以及温度的变化。研究结果表明,随着注入HPM频率的增大,烧毁时间不断减小,烧毁部位在栅极下方靠源侧,电场强度在栅极靠源侧以及漏侧出现峰值,并随频率增大而增大,电流密度随着频率的增大,先增大后减小,在6 GHz达到最大值,器件的烧毁点在栅极靠源侧,随着频率的增加,发热区逐渐缩小,在6 GHz烧毁点温度达到1 670 K。
- 薛沛雯方进勇李志鹏孙静
- 关键词：高电子迁移率晶体管高功率微波
