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李志鹏

作品数:8 被引量:10H指数:2
供职机构:中国空间技术研究院更多>>
相关领域:航空宇航科学技术电子电信电气工程更多>>

文献类型

  • 6篇期刊文章
  • 2篇会议论文

领域

  • 4篇电子电信
  • 4篇航空宇航科学...
  • 1篇电气工程

主题

  • 4篇电子迁移率
  • 4篇迁移率
  • 4篇晶体管
  • 4篇高电子迁移率
  • 4篇高电子迁移率...
  • 4篇高功率微波
  • 3篇波导
  • 3篇波导开关
  • 2篇阻抗匹配
  • 2篇微波开关
  • 2篇微波作用
  • 2篇功率
  • 2篇高功率
  • 1篇有效载荷
  • 1篇宇航
  • 1篇射频
  • 1篇设计方法
  • 1篇阻抗变换
  • 1篇阻抗变换器
  • 1篇漏极

机构

  • 8篇中国空间技术...
  • 1篇西安电子科技...
  • 1篇中国航天

作者

  • 8篇李志鹏
  • 4篇方进勇
  • 4篇孙静
  • 3篇崔宗涛
  • 1篇杨军
  • 1篇赵刚
  • 1篇刘阳
  • 1篇姜立伟

传媒

  • 3篇空间电子技术
  • 1篇物理学报
  • 1篇中国空间科学...
  • 1篇电子设计工程

年份

  • 1篇2024
  • 1篇2023
  • 2篇2018
  • 3篇2017
  • 1篇2016
8 条 记 录,以下是 1-8
排序方式:
高功率微波作用下HEMT损伤效应与机理分析
本文利用半导体仿真软件Sentaurus-TCAD建立了Ga As高电子迁移率晶体管二维电热模型,考虑了高电场下的载流子迁移率退化和载流子雪崩产生效应,分析了由栅极注入高功率微波(HPM)情况下器件内部的瞬态响应,通过分...
薛沛雯方进勇李志鹏孙静
关键词:高功率微波高电子迁移率晶体管
文献传递
波导R型开关射频转子的设计方法被引量:3
2018年
根据波导R型开关的工作原理,介绍了波导R型开关射频转子的设计方法。通过对1/4波长阻抗变换器以及非工作状态通道本征模的研究,将该理论应用于波导开关转子设计当中。该方法可有效满足对波导开关低插损、低驻波以及高隔离度的性能需求。通过相关理论计算给出了各微波参数的控制方法,结合HFSS仿真软件并通过优化最终得到理想的波导R型微波开关,实测与仿真结果一致性好。
崔宗涛李志鹏赵刚
关键词:阻抗匹配
宇航微波开关研究现状及发展趋势被引量:1
2023年
宇航微波开关大量应用于各类通信卫星中,是卫星有效载荷的基本组成单机之一,其主要功能是备份高失效率的微波通道单机,或作为路由器实现微波通道信号切换。国内外多家宇航公司对微波开关开展了多年的研究。在设计方面,微波开关涉及的学科领域包括高频电磁学、低频电磁学、力学和热学;在生产工艺方面,微波开关涉及高精密机械加工、热处理、表面处理以及精密装配,这是一种多学科交叉的空间高精密电子产品。主要对宇航微波开关国内外的研究现状、典型产品、技术方案和产品性能等方面进行了重点介绍,同时对微波开关中的关键技术进行了仿真分析,最后总结与分析了微波开关的发展趋势。
姜立伟李志鹏杨军
关键词:有效载荷微波开关
高功率微波作用下高电子迁移率晶体管的损伤机理被引量:3
2016年
本文针对高电子迁移率晶体管在高功率微波注入条件下的损伤过程和机理进行了研究,借助SentaurusTCAD仿真软件建立了晶体管的二维电热模型,并仿真了高功率微波注入下的器件响应.探索了器件内部电流密度、电场强度、温度分布以及端电流随微波作用时间的变化规律.研究结果表明,当幅值为20 V,频率为14.9 GHz的微波信号由栅极注入后,器件正半周电流密度远大于负半周电流密度,而负半周电场强度高于正半周电场.在强电场和大电流的共同作用下,器件内部的升温过程同时发生在信号的正、负半周内.又因栅极下靠近源极侧既是电场最强处,也是电流最密集之处,使得温度峰值出现在该处.最后,对微波信号损伤的高电子迁移率晶体管进行表面形貌失效分析,表明仿真与实验结果符合良好.
李志鹏李晶孙静刘阳方进勇
关键词:高电子迁移率晶体管高功率微波
漏极注入HPM对高电子迁移率晶体管的损伤机理被引量:2
2017年
针对典型GaAs高电子迁移率晶体管(HEMT)低噪声放大器,利用半导体仿真软件Sentaurus-TCAD建立了HEMT低噪声放大器二维电热模型,考虑高电场下的载流子迁移率退化和载流子雪崩产生效应,分析了由漏极注入高功率微波(HPM)情况下器件内部的瞬态响应,通过分析器件内部电场强度、电流密度、温度分布随信号作用时间的变化,研究了其损伤效应与机理。研究结果表明,当漏极注入幅值17.5V、频率为14.9GHz的微波信号后,峰值温度随信号作用时间的变化呈现周期性"增加—减小—增加"的规律。在正半周期降温,在负半周期升温,总体呈上升趋势,正半周电场峰值主要出现在漏极,负半周电场峰值主要出现在栅极靠漏侧,端电流在第二周期之后出现明显的双峰现象。由于热积累效应,栅极下方靠漏侧是最先发生熔融烧毁的部位,严重影响了器件的可靠性,而漏极串联电阻可以有效提高器件抗微波损伤能力。最后,对微波信号损伤的HEMT进行表面形貌失效分析,表明仿真与试验结果基本相符。
薛沛雯方进勇李志鹏孙静
关键词:高功率微波高电子迁移率晶体管漏极
不同频率高功率微波对高电子迁移率晶体管的损伤效应被引量:2
2017年
针对典型的Ga As高电子迁移率晶体管(HEMT),研究了不同频率高功率微波从栅极注入HEMT后的影响。利用半导体仿真软件Sentaurus-TCAD建立了HEMT器件二维电热模型,考虑了高电场下的载流子迁移率退化和载流子雪崩产生效应,通过分析器件内部电场强度,电流密度,温度分布随信号作用时间的变化来探索其损伤过程及机理,获得了其在不同频率高功率微波作用下的烧毁时间,烧毁位置处的电场强度,电流密度以及温度的变化。研究结果表明,随着注入HPM频率的增大,烧毁时间不断减小,烧毁部位在栅极下方靠源侧,电场强度在栅极靠源侧以及漏侧出现峰值,并随频率增大而增大,电流密度随着频率的增大,先增大后减小,在6 GHz达到最大值,器件的烧毁点在栅极靠源侧,随着频率的增加,发热区逐渐缩小,在6 GHz烧毁点温度达到1 670 K。
薛沛雯方进勇李志鹏孙静
关键词:高电子迁移率晶体管高功率微波
一种波导R型开关射频通道和驱动系统的设计方法
本文介绍了一种R型波导开关的设计方法。包括R型波导开关射频通道的设计和波导开关驱动机构的设计。该方法可有效满足对波导开关低插损、低驻波以及高隔离度的等射频性能需求,同时可以得到功能切换最小工作电压。文章通过相关理论计算给...
崔宗涛徐贺李志鹏
关键词:阻抗匹配
文献传递
基于3D打印技术的微波开关设计与实践
2024年
文章介绍了一种基于3D打印技术的R型波导开关的设计方法,并对影响微波开关性能指标的射频参数、切换时间进行了验证。验证结果表明,微波开关的射频指标无恶化,切换时间缩短,微波开关可靠性得到提升。通过3D打印技术的应用,减轻开关重量17%以上,生产周期缩短60%以上。文章论述了微波开关射频指标、切换时间的设计过程和验证结果,解决了X频段R型波导开关切换时间长和重量大的不足,为波导微波开关制造提供了一种新的途径。
邱润锁崔宗涛李志鹏
关键词:波导开关3D打印减重
共1页<1>
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