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刘鹏飞

作品数：4 被引量：0H指数：0
供职机构：株洲南车时代电气股份有限公司更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇中文专利

主题

  • 4篇对准标记
  • 4篇光刻
  • 4篇半导体
  • 4篇半导体器件
  • 2篇刻蚀
  • 2篇功率半导体
  • 2篇功率半导体器...
  • 2篇凹凸型
  • 2篇保护膜
  • 1篇绝缘
  • 1篇绝缘层
  • 1篇光刻工艺

机构

  • 4篇株洲南车时代...

作者

  • 4篇程银华
  • 4篇陈辉
  • 4篇郭可
  • 4篇岳金亮
  • 4篇刘鹏飞

年份

  • 2篇2018
  • 1篇2017
  • 1篇2015
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
一种光刻对准标记的制备方法
本发明公开了一种光刻对准标记的制备方法，属于功率半导体器件技术领域，以解决在功率半导体器件制造过程中，光刻对准标记受到影响导致功率半导体器件后续制备工艺的精度下降的技术问题。该光刻对准标记的制备方法包括：通过第一次光刻工...
陈辉宋里千程银华郭可刘鹏飞岳金亮
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一种光刻对准标记的制备方法
本发明公开了一种光刻对准标记的制备方法，属于功率半导体器件技术领域，以解决在功率半导体器件制造过程中，光刻对准标记受到影响导致功率半导体器件后续制备工艺的精度下降的技术问题。该光刻对准标记的制备方法包括：通过第一次光刻工...
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一种半导体器件制作光刻对准方法
本发明公开了一种半导体器件制作光刻对准方法，用于半导体器件制作过程中，当工艺对准层或光刻对准标记不清晰，但基底层具有凹凸型台阶结构的光刻对准标记时对工艺对准层进行光刻对准。半导体器件制作光刻对准方法包括：在基底层上形成工...
岳金亮陈辉宋里千程银华刘鹏飞郭可
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一种半导体器件制作光刻对准方法
本发明公开了一种半导体器件制作光刻对准方法，用于半导体器件制作过程中，当工艺对准层或光刻对准标记不清晰，但基底层具有凹凸型台阶结构的光刻对准标记时对工艺对准层进行光刻对准。半导体器件制作光刻对准方法包括：在基底层上形成工...
岳金亮陈辉宋里千程银华刘鹏飞郭可
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