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程银华
作品数:
10
被引量:1
H指数:1
供职机构:
株洲南车时代电气股份有限公司
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相关领域:
电子电信
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合作作者
陈芳林
株洲南车时代电气股份有限公司
刘鹏飞
株洲南车时代电气股份有限公司
岳金亮
株洲南车时代电气股份有限公司
郭可
株洲南车时代电气股份有限公司
陈辉
株洲南车时代电气股份有限公司
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IGCT阴极图形排布的优化设计
被引量:1
2010年
简单分析了集成门极换流晶闸管(IGCT)门-阴极结构和工作原理,并在原有均匀矩形排布和均匀圆周排布的阴极图形基础上提出了一种新的排布方式——梳条分区复合排布。它不仅增加了IGCT阴极的有效面积,增大了电流容量,而且减小了热阻,改善了门极电流通道。
程银华
陈芳林
彭文华
关键词:
IGCT
一种光刻对准标记的制备方法
本发明公开了一种光刻对准标记的制备方法,属于功率半导体器件技术领域,以解决在功率半导体器件制造过程中,光刻对准标记受到影响导致功率半导体器件后续制备工艺的精度下降的技术问题。该光刻对准标记的制备方法包括:通过第一次光刻工...
陈辉
宋里千
程银华
郭可
刘鹏飞
岳金亮
文献传递
一种半导体器件制作光刻对准方法
本发明公开了一种半导体器件制作光刻对准方法,用于半导体器件制作过程中,当工艺对准层或光刻对准标记不清晰,但基底层具有凹凸型台阶结构的光刻对准标记时对工艺对准层进行光刻对准。半导体器件制作光刻对准方法包括:在基底层上形成工...
岳金亮
陈辉
宋里千
程银华
刘鹏飞
郭可
文献传递
一种电力半导体器件阴极图形及其阴极梳条图形排布方法
本发明公开了一种电力半导体器件阴极图形及其阴极梳条图形排布方法,广泛应用于电力半导体、电力电子器件、全控型晶闸管等的阴极图形设计。阴极图形包括:以圆心为轴划分的等分扇区和同心圆环,扇区与同心圆环相交处为图形单元,分布在扇...
陈芳林
程银华
陈勇民
彭文华
张明
文献传递
一种原始对中装置和系统
本发明公开了一种原始对中装置和原始对中系统,其中,所述原始对中装置的上表面开有第一圆槽孔,用于容置晶圆片,所述第一圆槽孔的深度低于晶圆片的厚度;所述装置上表面还具有直径大于第一圆槽孔且与第一圆槽孔同心的标记线,所述装置上...
张明
李继鲁
邹昌
程银华
刘旭君
文献传递
GCT/GTO阴极梳条修理的方法
2010年
在分析GCT/GTO阴极结构的基础上,指出了阴极失效梳条的成因及其危害,就减少失效梳条带来的影响,介绍了阴极梳条修理方法和装置。实际生产的统计数据表明,修理梳条方法降低了GCT和GTO芯片废品率和生产成本。
陈芳林
邹昌
程银华
关键词:
GCT
GTO
一种光刻对准标记的制备方法
本发明公开了一种光刻对准标记的制备方法,属于功率半导体器件技术领域,以解决在功率半导体器件制造过程中,光刻对准标记受到影响导致功率半导体器件后续制备工艺的精度下降的技术问题。该光刻对准标记的制备方法包括:通过第一次光刻工...
陈辉
宋里千
程银华
郭可
刘鹏飞
岳金亮
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一种半导体器件制作光刻对准方法
本发明公开了一种半导体器件制作光刻对准方法,用于半导体器件制作过程中,当工艺对准层或光刻对准标记不清晰,但基底层具有凹凸型台阶结构的光刻对准标记时对工艺对准层进行光刻对准。半导体器件制作光刻对准方法包括:在基底层上形成工...
岳金亮
陈辉
宋里千
程银华
刘鹏飞
郭可
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一种原始对中装置和系统
本发明公开了一种原始对中装置和原始对中系统,其中,所述原始对中装置的上表面开有第一圆槽孔,用于容置晶圆片,所述第一圆槽孔的深度低于晶圆片的厚度;所述装置上表面还具有直径大于第一圆槽孔且与第一圆槽孔同心的标记线,所述装置上...
张明
李继鲁
邹昌
程银华
刘旭君
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一种电力半导体器件阴极图形及其阴极梳条图形排布方法
本发明公开了一种电力半导体器件阴极图形及其阴极梳条图形排布方法,广泛应用于电力半导体、电力电子器件、全控型晶闸管等的阴极图形设计。阴极图形包括:以圆心为轴划分的等分扇区和同心圆环,扇区与同心圆环相交处为图形单元,分布在扇...
陈芳林
程银华
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