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张林

作品数：30 被引量：0H指数：0
供职机构：中国工程物理研究院电子工程研究所更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 30篇中文专利

领域

  • 7篇电子电信
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 15篇碳化硅
  • 10篇芯片
  • 9篇刻蚀
  • 7篇碳化硅器件
  • 7篇终端结构
  • 7篇功率器件
  • 7篇硅器件
  • 7篇封装
  • 6篇耐压
  • 5篇结终端
  • 5篇光刻
  • 4篇封装形式
  • 3篇掩膜
  • 3篇阵列
  • 3篇碳化硅材料
  • 3篇欧姆接触
  • 3篇漂移区
  • 3篇阻断电压
  • 3篇门极
  • 3篇门极可关断晶...

机构

  • 30篇中国工程物理...

作者

  • 30篇徐星亮
  • 30篇张林
  • 22篇代刚
  • 19篇李志强
  • 13篇肖承全
  • 13篇周阳
  • 8篇向安
  • 7篇张龙
  • 5篇张健
  • 1篇施志贵
  • 1篇宋宇
  • 1篇李沫

年份

  • 1篇2024
  • 2篇2023
  • 3篇2022
  • 2篇2021
  • 2篇2020
  • 3篇2019
  • 8篇2018
  • 4篇2017
  • 4篇2016
  • 1篇2015
共 30 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种碳化硅门极可关断晶闸管GTO的器件阵列
本实用新型提出了一种单个器件尺寸相对较小的碳化硅门极可关断晶闸管GTO的器件阵列，该器件阵列是按照相应光刻版图进行光刻形成的至少包括两个碳化硅门极可关断晶闸管的阵列结构；GTO器件单元的门极位于器件单元的台面中央，并与位...
李良辉周坤徐星亮李俊焘李志强张林代刚
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一种二氧化硅倾斜台面结构的制作方法及其应用
本发明公开了一种二氧化硅倾斜台面结构的制作方法及其应用，所述二氧化硅倾斜台面结构的斜坡顶部与底部具有1～15°的小角度，中部具有15～60°的大角度，为一种上小下大且边缘形貌圆润光滑的倾斜台面结构；该结构利用双层胶工艺对...
李良辉徐星亮徐哲张林李志强李俊焘
碳化硅门极可关断晶闸管GTO的器件阵列与其制备方法
本发明提出了一种单个器件尺寸相对较小的碳化硅门极可关断晶闸管器件阵列与其制备方法，该器件阵列是按照相应光刻版图进行光刻形成的至少包括两个碳化硅门极可关断晶闸管的阵列结构；GTO器件单元的门极位于器件单元的台面中央，并与位...
李良辉周坤徐星亮李俊焘李志强张林代刚
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一种SiC高压功率器件结终端的制备方法
本发明公开了一种SiC高压功率器件结终端的制备方法。首先，根据不同等级的阻断电压需求确定台阶级数（2<Sup>n</Sup>级）并进行掩膜版图形结构设计；然后在SiC样片上通过多次台阶制备工艺（包括制备硬掩膜层、刻蚀台阶...
李志强李俊焘徐星亮张林代刚
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一种用于碳化硅高温退火表面保护的碳膜快速制备方法
本发明提供了一种用于碳化硅高温退火表面保护的碳膜快速制备方法，即在碳化硅器件离子注入激活前旋涂光敏抗蚀剂，对旋涂在碳化硅正反面的光敏抗蚀剂进行快速热退火，热分解后形成均匀碳膜；高温退火激活过程中，碳膜抑制碳化硅器件表层的...
向安李俊焘代刚徐星亮肖承全张林周阳杨英坤张龙
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一种用于碳化硅功率器件的结终端结构及制作方法
本发明提供了一种用于碳化硅功率器件的结终端结构及制作方法，属于功率半导体器件技术领域；本发明在功率半导体器件的结终端耐压区(即第一传导类型浅掺杂区和第二传导类型重掺杂区)的引入一层第二传导类型掺杂层，然后通过多次刻蚀的方...
李俊焘代刚施志贵徐星亮宋宇李沫张林
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一种基于聚焦离子束诱导的有序砷化镓量子点的制备方法
本发明公开了一种基于聚焦离子束诱导的有序砷化镓量子点的制备方法，涉及半导体材料制备技术领域，该方法包括下步骤：提供GaAs衬底材料，并对GaAs衬底材料进行表面清洁；利用聚焦离子束（FIB）轰击GaAs衬底，通过改变离子...
徐星亮李俊焘代刚向安肖承全张林周阳
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基于小角度深刻蚀工艺的碳化硅功率器件终端及制作方法
本发明提出了一种基于小角度深刻蚀工艺的碳化硅功率器件终端及制作方法；该SiC小角度深刻蚀终端制作方法采用双层胶剥离工艺制备刻蚀所需的极小倾角金属掩膜，其工艺原理主要是通过控制双层胶工艺形成的光刻胶倒台面形貌来控制剥离之后...
李良辉周坤李志强张林徐星亮杨英坤代方李俊焘
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应用于碳化硅大尺寸高压器件的小角度倾斜台面终端结构
本实用新型提供了一种应用于碳化硅大尺寸高压器件的小角度倾斜台面终端结构，此类高压器件包括SiC GTO、SiC PiN以及其他使用小角度倾斜台面终端结构的SiC器件；本实用新型的刻蚀技术使用厚光刻胶作为掩膜方式及实现了大...
李良辉李俊焘徐星亮李志强周坤张林代刚
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基于纳米银焊膏的SiC器件三维堆叠互连结构及制备方法
本发明提供了一种基于纳米银焊膏的SiC器件三维堆叠互连结构及制备方法，该互连结构包含纳米银焊膏和陶瓷板，用纳米银焊膏填充陶瓷板的通孔，烧结形成导电通路，进一步通过纳米银焊膏烧结，实现芯片电极的堆叠互连；陶瓷基板作为绝缘板...
杨英坤张龙李俊焘代刚肖承全古云飞银杉张林徐星亮向安周阳李志强崔潆心
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