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周阳

作品数：26 被引量：0H指数：0
供职机构：中国工程物理研究院电子工程研究所更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 26篇中文专利

领域

  • 4篇电子电信
  • 3篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 10篇刻蚀
  • 8篇碳化硅
  • 7篇芯片
  • 5篇碳化硅器件
  • 5篇硅器件
  • 5篇干法刻蚀
  • 4篇氮化镓
  • 4篇氮化镓基材料
  • 4篇封装
  • 4篇封装形式
  • 3篇湿法腐蚀
  • 3篇碳化硅材料
  • 3篇透层
  • 3篇图形化
  • 3篇阻挡层
  • 3篇耐压
  • 3篇开关
  • 3篇可见光LED
  • 3篇刻蚀技术
  • 3篇互联

机构

  • 26篇中国工程物理...

作者

  • 26篇周阳
  • 16篇代刚
  • 13篇肖承全
  • 13篇徐星亮
  • 13篇张林
  • 8篇向安
  • 7篇张龙
  • 5篇张健
  • 4篇王文杰
  • 4篇李志强

年份

  • 2篇2024
  • 2篇2023
  • 2篇2021
  • 4篇2020
  • 3篇2019
  • 4篇2018
  • 5篇2017
  • 3篇2016
  • 1篇2015
共 26 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种碳化硅斜角台面刻蚀方法
本发明公开了一种碳化硅斜角台面刻蚀方法，该方法包括下述步骤：在碳化硅样品上沉积第一层刻蚀掩膜层，然后在第一层刻蚀掩膜层上涂覆光刻胶，通过光刻工艺形成台面的图形转移；去除光刻胶后在表面沉积第二层刻蚀掩膜层，再通过刻蚀工艺进...
李俊焘代刚徐星亮肖承全张林周阳
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一种GaN/AlGaN栅槽低损伤刻蚀的方法
本发明提供一种GaN/AlGaN栅槽低损伤刻蚀的方法，包括如下步骤：提供一半导体衬底；在半导体衬底上形成GaN/AlGaN多层外延材料层，所述多层外延材料层依次包括缓冲层、多层外延层、帽层；在帽层表面形成刻蚀阻挡层，图形...
李俊焘周阳代刚
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一种提升碳化硅功率器件反向阻断电压的方法
本发明公开了一种提升碳化硅功率器件反向阻断电压的方法，主要是将碳化硅功率器件放置在紫外光源下，在室温下经一定时间的紫外光照射，从而有效提升SiC功率器件的反向阻断电压的效果；本发明操作简单、成本低廉。
肖承全李俊焘代刚徐星亮向安周阳张林杨英坤张龙张健
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一种表面内嵌微纳结构增透层的可见光LED芯片及制备方法
本发明公开了一种表面内嵌微纳结构增透层的可见光LED芯片及制备方法，通过在衬底上逐层形成缓冲层、N型层、量子阱层、P型层和微结构增透层，然后在P型层和微结构增透层上形成透明导电层，微结构增透层为TiO<Sub>2</Su...
王文杰谢武泽徐哲周阳
一种GaN基材料的凹槽制备方法
本发明提供一种GaN基材料的凹槽制备方法，其制备步骤包括：在特定结构的氮化镓基材料表面涂敷光刻胶并光刻非凹槽区域；刻蚀非凹槽区域并去除光刻胶；将氮化镓基材料置于腐蚀性溶液中进行腐蚀；所述氮化镓基材料的结构自下而上包括：外...
徐哲周阳
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一种LED与HFET的集成外延片及其选区移除方法
本发明公开了一种LED与HFET的集成外延片及其选区移除方法，所述外延片是在LED外延结构与HFET外延结构之间插入一层刻蚀选择层，对于带刻蚀选择层的LED与HFET集成外延片的选区进行移除时，首先通过保护介质层对非选区...
周阳徐哲王文杰谢武泽
一种具有折射率可调的复合增透膜的可见光LED芯片
本发明涉及光电子技术，特别公开了一种具有折射率可调的复合增透膜的可见光LED芯片，其结构包括衬底、缓冲层、N型层、量子阱层、P型层、ITO层以及覆盖在ITO层上的带有多孔微结构的复合增透膜层，所述复合增透膜层包括多孔Al...
王文杰谢武泽徐哲周阳
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一种用于碳化硅高温退火表面保护的碳膜快速制备方法
本发明提供了一种用于碳化硅高温退火表面保护的碳膜快速制备方法，即在碳化硅器件离子注入激活前旋涂光敏抗蚀剂，对旋涂在碳化硅正反面的光敏抗蚀剂进行快速热退火，热分解后形成均匀碳膜；高温退火激活过程中，碳膜抑制碳化硅器件表层的...
向安李俊焘代刚徐星亮肖承全张林周阳杨英坤张龙
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一种GaN基材料的凹槽制备方法
本发明提供一种GaN基材料的凹槽制备方法，其制备步骤包括：在特定结构的氮化镓基材料表面涂敷光刻胶并光刻非凹槽区域；刻蚀非凹槽区域并去除光刻胶；将氮化镓基材料置于腐蚀性溶液中进行腐蚀；所述氮化镓基材料的结构自下而上包括：外...
徐哲周阳
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一种基于聚焦离子束诱导的有序砷化镓量子点的制备方法
本发明公开了一种基于聚焦离子束诱导的有序砷化镓量子点的制备方法，涉及半导体材料制备技术领域，该方法包括下步骤：提供GaAs衬底材料，并对GaAs衬底材料进行表面清洁；利用聚焦离子束（FIB）轰击GaAs衬底，通过改变离子...
徐星亮李俊焘代刚向安肖承全张林周阳
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