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徐凌燕

作品数:11 被引量:2H指数:1
供职机构:西北工业大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:理学电子电信金属学及工艺核科学技术更多>>

文献类型

  • 7篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 4篇理学
  • 2篇金属学及工艺
  • 2篇电子电信
  • 1篇核科学技术
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇文化科学

主题

  • 3篇单晶
  • 3篇晶体
  • 2篇籽晶
  • 2篇半导体
  • 2篇CDZNTE...
  • 2篇大尺寸
  • 1篇单晶材料
  • 1篇单晶片
  • 1篇低毒性
  • 1篇毒性
  • 1篇对二甲苯
  • 1篇对光
  • 1篇钝化
  • 1篇形核
  • 1篇形貌
  • 1篇亚稳态
  • 1篇乙酸
  • 1篇乙酸乙酯
  • 1篇乙酯
  • 1篇载流子

机构

  • 11篇西北工业大学

作者

  • 11篇徐凌燕
  • 7篇介万奇
  • 2篇王涛
  • 2篇徐亚东
  • 2篇查钢强
  • 2篇席守智
  • 1篇郑伟
  • 1篇周伯儒
  • 1篇杨帆
  • 1篇刘欣
  • 1篇张昊
  • 1篇于晖

传媒

  • 1篇功能材料

年份

  • 5篇2024
  • 2篇2023
  • 1篇2018
  • 1篇2017
  • 1篇2015
  • 1篇2014
11 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种锑化镓单晶片的手工抛光方法
本发明涉及一种锑化镓单晶片的手工抛光方法,通过手工进行研磨抛光,结合配置的抛光浆料与抛光液,以及与之配合的手工抛光工艺与流程进行结合,实现了锑化镓单晶片表面平坦手工化成型的方法。与传统的机加工抛光工艺相比,本发明的手工抛...
秦镇涛徐凌燕梁璐王英明介万奇
一种1,8-萘二甲酰亚胺有机单晶的生长方法
本发明提供一种1,8‑萘二甲酰亚胺有机单晶的生长方法,解决现有方法制备的NTI有机单晶存在严重的一维生长取向、晶粒尺寸小、单晶质量差、无法完全发挥单晶优势的问题。本发明通过溶剂选择、溶液配比及降温曲线改进晶体质量,根据溶...
徐凌燕尚镕锦
一种α-氨基丁酸二维金属卤化物钙钛矿单晶材料、制备方法及其应用
本发明提供了一种α‑氨基丁酸二维金属卤化物钙钛矿单晶材料、制备方法及其应用解决目前二维金属卤化物钙钛矿结构稳定性差以及生长周期长的技术问题。本发明基于降温结晶法,利用APB晶体在氢溴酸中溶解度大的特点,在前驱体溶液迅速降...
刘崇琦徐凌燕郑伟介万奇
一种通过溶剂挥发法生长大尺寸9,10-二苯基蒽的方法
本发明提供了一种通过溶剂挥发法生长大尺寸9,10‑二苯基蒽的方法,解决现有制备大尺寸9,10‑二苯基蒽单晶的方法存在设备复杂、成本较高以及籽晶残留在晶体内部对晶体质量和性能影响较大的问题。该方法包括:1)将9,10‑二苯...
王英明徐凌燕介万奇
半导体核辐射探测晶体中载流子输运与收集机理研究
介万奇徐亚东张滨滨徐凌燕席守智刘欣
半导体核辐射探测器因其优异的能量分辨率、高探测灵敏度、宽动态范围、尺寸紧凑等特点在核物理、粒子物理以及核技术应用研究中发挥着至关重要的作用,并广泛应用于医学诊断、环境监测、无损检测、安全检查、天文观测和高能物理等领域,足...
关键词:
一种通过溶剂挥发法生长大尺寸1,3,5-三苯基苯的方法
本发明提供了一种通过溶剂挥发法生长大尺寸1,3,5‑三苯基苯的方法,解决现有生长方法存在成本高、工艺复杂、不环保、籽晶遗留、生长尺寸受限、表面平整性差、碎晶的不足之处。本发明采用溶剂挥发法,通过溶剂混溶的方式,利用TPB...
徐凌燕姜凯尚镕锦王英明
一种高质量大尺寸Cs<Sub>3</Sub>Cu<Sub>2</Sub>I<Sub>5</Sub>单晶闪烁体制备方法
本发明提供了一种高质量大尺寸Cs<Sub>3</Sub>Cu<Sub>2</Sub>I<Sub>5</Sub>单晶闪烁体制备方法,解决现有制备Cs<Sub>3</Sub>Cu<Sub>2</Sub>I<Sub>5</Su...
徐凌燕连丽香雷艳艳王英明介万奇
CdZnTe平面探测器表面处理方法
本发明公开了一种CdZnTe平面探测器表面处理方法,用于解决现有平面探测器表面处理方法处理后的平面探测器能量分辨率差的技术问题。技术方案是在CdZnTe晶片腐蚀之后,用(NH<Sub>4</Sub>)<Sub>2</Su...
介万奇侯文欣王涛查钢强徐凌燕
文献传递
氩气压对磁控溅射制备CdZnTe薄膜形貌、结构和电学特性的影响
2018年
采用Cd_(0.9)Zn_(0.1)Te晶圆作为溅射靶材,利用射频磁控溅射法在FTO衬底上制备了CdZnTe薄膜。系统研究了溅射氩气压从0.08~1Pa的变化对CdZnTe薄膜的形貌、结构、成分和电学特性的影响。随着氩气压的降低,薄膜晶粒尺寸下降,形貌由柱状结构转化为片状结构、再转化为细小的颗粒状结构。同时,CZT薄膜逐渐呈现(111)择优取向的闪锌矿结构,内应力减少,并且当气压降至0.5和0.3Pa时薄膜出现了ZnTe和Te相。薄膜中的Zn和Cd原子含量大于靶材中的对应原子含量。薄膜的方块电阻随着氩气压的降低先减少,后增大。而薄膜的载流子浓度和迁移率则随着氩气压降低呈现先增大后减小的趋势。
席守智席守智介万奇王涛查钢强于晖于晖张昊徐凌燕张昊杨帆周伯儒
关键词:磁控溅射平均自由程
CdZnTe晶体中缺陷能级引入光电导特性的研究
本文研究了Cd0.9Zn0.1Te:In晶体在低温光照条件下的光电导(PPC)特性.载流子在缺陷能级上的产生-复合-俘获过程趋于相对平衡,形成PPC瞬变特性并揭示载流子输运特性.因此,输运特性可以反映在PPC特性中,并且...
徐凌燕
共2页<12>
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