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查钢强

作品数:91 被引量:89H指数:5
供职机构:西北工业大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划教育部“新世纪优秀人才支持计划”更多>>
相关领域:电子电信理学核科学技术一般工业技术更多>>

文献类型

  • 45篇期刊文章
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  • 13篇会议论文
  • 2篇学位论文
  • 2篇科技成果

领域

  • 34篇电子电信
  • 16篇理学
  • 10篇核科学技术
  • 7篇一般工业技术
  • 3篇自动化与计算...
  • 2篇金属学及工艺
  • 1篇天文地球
  • 1篇化学工程
  • 1篇机械工程
  • 1篇文化科学

主题

  • 29篇CDZNTE
  • 19篇晶体
  • 17篇半导体
  • 10篇探测器
  • 9篇CDZNTE...
  • 8篇电极
  • 8篇碲锌镉
  • 8篇CZT
  • 6篇碲化物
  • 6篇半导体探测器
  • 5篇射线
  • 5篇TE
  • 5篇X射线
  • 5篇X射线探测
  • 5篇AU
  • 4篇钝化
  • 4篇退火
  • 4篇准直
  • 4篇伽马射线
  • 4篇光电

机构

  • 91篇西北工业大学
  • 6篇陕西迪泰克新...
  • 2篇上海交通大学
  • 2篇中国科学技术...
  • 1篇北京航空航天...
  • 1篇西安工程大学
  • 1篇中国科学院
  • 1篇空军工程大学
  • 1篇西安石油大学
  • 1篇中核(北京)...

作者

  • 91篇查钢强
  • 62篇介万奇
  • 44篇王涛
  • 27篇徐亚东
  • 13篇傅莉
  • 10篇何亦辉
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  • 7篇杨帆
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  • 6篇曾冬梅
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  • 5篇李强
  • 4篇周伯儒
  • 4篇谷智
  • 4篇周岩
  • 4篇李阳
  • 4篇白旭旭
  • 4篇孙晓燕
  • 4篇席守智
  • 3篇高俊宁

传媒

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  • 1篇红外与激光工...
  • 1篇稀有金属材料...
  • 1篇物理
  • 1篇热加工工艺
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  • 1篇原子能科学技...
  • 1篇材料工程
  • 1篇中国有色金属...
  • 1篇机械科学与技...
  • 1篇功能材料与器...
  • 1篇中国有色金属...
  • 1篇中国科学:技...
  • 1篇第十六届全国...
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  • 1篇第十六届全国...

年份

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  • 6篇2010
  • 3篇2009
  • 2篇2008
  • 6篇2007
  • 5篇2006
  • 1篇2005
91 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
新型CZT半导体X射线探测器研制与应用展望
CdZnTe(CZT)半导体是一种性能优异的室温X射线和γ射线探测材料,在环境监测、医学诊断、工业无损检测、安全检查、空间科学等众多领域有广泛的应用前景.本文简要介绍了CZT探测器的基本工作原理和性能评价指标,阐述了CZ...
查钢强
近空间升华法制备CdZnTe外延厚膜及其性能研究
2014年
采用近空间升华法在GaAs(100)衬底上外延生长CdZnTe单晶厚膜,用化学腐蚀的方法去除掉GaAs(100)衬底后,对CdZnTe外延膜上、下表面的形貌、成分、结构以及电学性能进行了表征分析。SEM和EDS的结果表明,CdZnTe外延膜表面平滑致密且膜中成分分布较均匀;红外透过成像分析的结果表明,CdZnTe厚膜中无明显的Te夹杂相;X射线摇摆曲线、PL谱的结果表明,随着薄膜厚度的增加,CdZnTe外延膜中的晶体缺陷减少,应变弛豫,结晶质量提高,通过增加膜厚可以获得高质量的CdZnTe外延膜;电学测试表明,CZT外延膜的电阻率在1010Ω·cm数量级,且具有较好的光电响应特性,可用于高能射线探测。
蔺云介万奇查钢强张昊周岩汤三奇李嘉伟
关键词:PL谱应变弛豫
CdZnTe薄膜的CdCl_2退火及性能表征
2012年
采用近空间升华法制备了CdZnTe薄膜,并对其进行CdCl2退火,采用扫描电镜(SEM)、能谱仪(EDS)、X射线衍射仪(XRD)、紫外光谱仪、I-V测试仪等研究了退火对薄膜表面形貌、成分、结构以及光电性能的影响。结果表明,经过CdCl2退火后薄膜的晶粒尺寸明显增大,晶粒分布更加均匀;XRD分析结果显示,退火后薄膜的最强峰(111)峰的半峰宽变窄,薄膜沿(111)方向的择优取向明显增强;退火后薄膜的光学透过率降低,截止边红移,光学禁带宽度减小;薄膜的电阻率在退火后下降了两个数量级。
仝俊利介万奇高俊宁查钢强
关键词:CDZNTE
检测碲化物半导体晶体中富Te相的装置及方法
本发明公开了一种检测碲化物半导体晶体中富Te相的装置及方法,用于解决现有检测半导体晶体中富Te相的装置很难获得尺寸较大的视场,以及不能实现对晶体厚度方向的分层域聚焦成像的技术问题。技术方案是通过改变变焦镜筒的放大倍数实现...
介万奇徐亚东王涛查钢强何亦辉郭榕榕
文献传递
Au/p-CZT晶体的光致发光以及电学性能研究被引量:1
2006年
对比了CZT晶片经腐蚀与钝化表面处理的PL谱,结果表明NH4F/H2O2作为CZT晶体表面钝化剂,钝化后CZT晶体表面陷阱态密度减小到最低程度,同时减小了与Cd空位复合有关的深能级杂质浓度。用Agilent 4339B高阻仪进行CZT晶片I-V特性测试以及Agilent 4294A高精度阻抗分析仪进行CZT晶片的C-V特性测试,结果表明钝化均能不同程度提高Au/p-CZT接触的势垒高度,减小了漏电流。主要原因是在CZT表面钝化生成的TeO2氧化层增加接触势垒高度,并减小了电荷因隧道效应而穿过氧化层的几率。
李强介万奇傅莉汪晓芹查钢强曾冬梅杨戈
关键词:PL谱I-V特性C-V特性
CdZnTe晶体的加工与表面质量控制
CdZnTe/(CZT/)晶体材料由于其优异的光电性能,得到了人们的广泛注意。它不仅是生长红外探测器材料HgCdTe最理想的外延衬底,而且还被广泛用于制备高性能x射线或γ射线探测器、光电调制器、太阳能电池和激光窗口等。 ...
查钢强
文献传递
碲锌镉晶体与电极界面对探测器性能的影响
席守智王涛查钢强杨帆董江鹏李颖锐符旭余竞一于晖徐亚东徐凌燕魏登科介万奇
CdZnTe单晶的机械抛光及其表面损伤层的测定被引量:11
2006年
研究了CdZnTe单晶片的机械抛光工艺。采用SiO2和MgO进行分步机械抛光后的晶片光亮平整,在光学显微镜下观察没有划伤,采用New View5000TM测得抛光后晶片的表面粗糙度Ra为8.752nm。采用X射线摇摆曲线的半峰宽表征了表面损伤程度。通过分析不同时间腐蚀后晶片的质量和半峰宽值,计算出机械抛光产生的表面损伤层厚度约为26.7μm。
查钢强介万奇李强刘永勤
关键词:CDZNTE机械抛光
CdZnTe单晶表面原子结构
2008年
半导体表面是一个特殊区域,其表面原子结构与体态有很大区别,而且他们对材料的整体性能又起着十分重要的影响。本文通过真空Ar+离子刻蚀并原位退火的办法,获得理想清洁的CdZnTe单晶表面,采用低能电子衍射(LEED)观察了(110)、(111)A面和(111)B面的表面原子结构。发现(110)面为稳定面没有发生重构,而在(111)A面上发现了由空位形成的(31/2×31/2)R30o重构,在(111)B面上发现了由Te顶戴原子形成的(2×2)重构。
张育潜查钢强傅莉介万奇
高能射线探测器用碲锌镉晶体材料及制备技术
介万奇王涛查钢强徐亚东李国强李宇杰
X射线和伽马射线探器是核科学技术、公共安全监测、核医学成像、工业无损检测、空间天文观测等领域的核心器件。当前基于射线探测器的仪器设备逾百种,每年有数百亿美元的市场。在经历了第一代气体探测器、第二代闪烁体探测器的发展之后,...
关键词:
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