李宇雄
- 作品数：11 被引量：17H指数：3
- 供职机构：华中科技大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术电气工程金属学及工艺更多>>
- 基于新型混合封装的高速低感SiC半桥模块被引量：6
- 2017年
- 针对现有商用SiC功率模块寄生电感大这一问题,提出一种基于直接覆铜陶瓷基板(DBC)+柔性印刷电路板(FPC)的新型混合封装结构,并设计了一种基于该结构的高速低感SiC半桥功率模块。利用DBC+FPC的多层结构,通过优化布局,形成了互感抵消回路,同时利用FPC薄的特点来增强互感抵消作用,使得主回路的寄生电感降至2.5 nH左右。设计并加工了一个1200 V,40 A的全SiC半桥功率模块,通过阻抗测试和双脉冲测试,验证了模块的低寄生电感特点及高速开关的性能。
- 黄志召李宇雄陈材康勇
- 一种碳化硅功率器件的封装结构及封装方法
- 本发明公开了一种碳化硅功率器件的封装结构及封装方法，其封装结构包括直接覆铜陶瓷基板、碳化硅功率器件、PCB板、引线以及外壳，形成由碳化硅功率器件构成的半桥电路结构；本发明提供的这种封装结构及封装方法，有效地减少了功率回路...
- 陈材黄志召李宇雄方建明陈宇康勇
- 文献传递
- 基于封装集成技术的高功率密度碳化硅单相逆变器被引量：5
- 2016年
- 针对目前家用光伏系统、电动汽车(EV)和航空航天等领域中对单相逆变器的高功率密度需求,首先提出了一种基于新型碳化硅(SiC)功率模块的高功率密度单相集成逆变器。该单相逆变器采用直流侧并联BoostAPF抑制二次纹波,以此减小直流侧电容;采用高频低损的新型宽禁带SiC器件,将boostAPF和逆变器的开关频率提高到100kHz,显著地减小无源元件的体积。再提出一种新型高功率密度低感全SiC半桥混合封装结构,其尺寸仅为10mm×20.5mm,可以极大地减小杂散电感,显著降低了器件的开关应力、EMI干扰及开关损耗;通过采用直接散热结构,并对散热器及整机热流动进行优化设计,使得装置实现高效散热。最后,基于封装集成技术,研制出一台全数字控制的2kW、功率密度58.8W/in^3、CEC效率高达97.3%及最大效率98.3%的高功率密度单相逆变器。
- 李宇雄黄志召方建明陈材康勇
- 关键词：碳化硅高功率密度硬开关单相逆变器
- 基于层叠DBC的低杂散参数SiC混合封装集成模块关键技术研究
- 功率模块作为电力电子设备的核心元件，其性能将直接决定装置的性能。相比传统Si基器件，宽禁带碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）半导体器件具有小结电容、快的开关速度和低的损耗，可显著提高装置的开关频率、提升装置的功率密度。因...
- 李宇雄
- 关键词：封装结构寄生参数
- 一种功率器件的三维封装结构及封装方法
- 本发明公开了一种功率器件的三维封装结构及封装方法，该封装结构包括功率器件、直接覆铜陶瓷基板(即DBC基板)、柔性印刷电路板(即FPC板)、引线、散热基板、解耦电容、用于集成风扇的散热器以及外壳，形成由功率器件构成的半桥电...
- 陈材黄志召李宇雄陈宇康勇
- 文献传递
- 一种功率器件的多DBC封装结构及封装方法
- 本发明公开了一种功率器件的多DBC封装结构及封装方法，其中，该封装结构包括功率器件、直接覆铜陶瓷基板(即DBC板)、引线、散热基板、解耦电容、功率端子和驱动端子以及外壳，这个封装结构形成由功率器件组成的半桥电路；本发明提...
- 陈材黄志召李宇雄陈宇康勇
- 文献传递
- 基于极低寄生参数SiC模块的传导EMI噪声抑制被引量：4
- 2018年
- 为减小碳化硅(SiC)器件的高频电磁干扰(EMI),提出一种具有低寄生电感和对地电容的混合封装结构SiC功率模块来抑制传导EMI。构建了两个具有同样功率回路和驱动电路的Buck变换器进行实验验证。两个变换器分别采用所提功率模块和TO-247封装的商用器件。实验证明低寄生电感可大幅增加开关速率但对EMI影响甚微;而低对地电容能有效减小地面电流。考虑到软开关也能减小EMI,在此进一步对比两个变换器在两种工况下的EMI噪声,证明所提结构功率模块在两种工况下均可有效抑制共模噪声。
- 李宇雄陈材康勇
- 关键词：功率模块电磁干扰
- 一种功率器件的三维封装结构及封装方法
- 本发明公开了一种功率器件的三维封装结构及封装方法，该封装结构包括功率器件、直接覆铜陶瓷基板(即DBC基板)、柔性印刷电路板(即FPC板)、引线、散热基板、解耦电容、用于集成风扇的散热器以及外壳，形成由功率器件构成的半桥电...
- 陈材黄志召李宇雄陈宇康勇
- 文献传递
- 基于DBC和PCB的多层混合型低感SiC半桥封装集成模块
- 针对传统直接覆铜陶瓷板(DBC)铝线键合的半导体封装模块线路杂散电感大的缺点,提出一种新型的基于DBC与PCB的具有多层结构的混合型低感碳化硅(SiC)半桥封装集成模块.该模块主回路及驱动回路杂散电感低.不仅直流侧电容可...
- 陈材李宇雄康勇
- 关键词：碳化硅器件杂散电感结构参数
- 一种功率器件的多DBC封装结构及封装方法
- 本发明公开了一种功率器件的多DBC封装结构及封装方法，其中，该封装结构包括功率器件、直接覆铜陶瓷基板(即DBC板)、引线、散热基板、解耦电容、功率端子和驱动端子以及外壳，这个封装结构形成由功率器件组成的半桥电路；本发明提...
- 陈材黄志召李宇雄陈宇康勇
