方建明
- 作品数：5 被引量：5H指数：1
- 供职机构：华中科技大学更多>>
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- 相关领域：电气工程经济管理电子电信更多>>
- 基于封装集成技术的高功率密度碳化硅单相逆变器被引量：5
- 2016年
- 针对目前家用光伏系统、电动汽车(EV)和航空航天等领域中对单相逆变器的高功率密度需求,首先提出了一种基于新型碳化硅(SiC)功率模块的高功率密度单相集成逆变器。该单相逆变器采用直流侧并联BoostAPF抑制二次纹波,以此减小直流侧电容;采用高频低损的新型宽禁带SiC器件,将boostAPF和逆变器的开关频率提高到100kHz,显著地减小无源元件的体积。再提出一种新型高功率密度低感全SiC半桥混合封装结构,其尺寸仅为10mm×20.5mm,可以极大地减小杂散电感,显著降低了器件的开关应力、EMI干扰及开关损耗;通过采用直接散热结构,并对散热器及整机热流动进行优化设计,使得装置实现高效散热。最后,基于封装集成技术,研制出一台全数字控制的2kW、功率密度58.8W/in^3、CEC效率高达97.3%及最大效率98.3%的高功率密度单相逆变器。
- 李宇雄黄志召方建明陈材康勇
- 关键词：碳化硅高功率密度硬开关单相逆变器
- 三维混合封装高功率密度SiC单相逆变器的热及可靠性设计
- 单相逆变器的主要功能是把直流电转化为交流电，广泛应用于光伏系统、风力发电、电动汽车和航空航天等领域。追求更小体积、更高集成度、更高功率密度和更高可靠性成为电力电子模块的发展趋势。 近年来随着宽禁带半导体SiC功率器件的...
- 方建明
- 关键词：逆变器碳化硅热设计
- 一种碳化硅功率器件的封装结构及封装方法
- 本发明公开了一种碳化硅功率器件的封装结构及封装方法，其封装结构包括直接覆铜陶瓷基板、碳化硅功率器件、PCB板、引线以及外壳，形成由碳化硅功率器件构成的半桥电路结构；本发明提供的这种封装结构及封装方法，有效地减少了功率回路...
- 陈材黄志召李宇雄方建明陈宇康勇
- 文献传递
- 基于封装集成的高功率密度SiC单相逆变器的热分析及优化设计
- 本文针对一种新型的基于封装集成的高功率密度SiC 单相逆变器进行热分析及优化设计.利用基于CFD 的三维热分析软件Flotherm,采用强迫风冷设计,通过对SiC 半桥封装模块的装配结构、散热器的材料和翅片数量以及整机风...
- 方建明陈材康勇吴燕庆
- 关键词：逆变器热设计FLOTHERM强迫风冷
- 一种碳化硅功率器件的封装结构及封装方法
- 本发明公开了一种碳化硅功率器件的封装结构及封装方法，其封装结构包括直接覆铜陶瓷基板、碳化硅功率器件、PCB板、引线以及外壳，形成由碳化硅功率器件构成的半桥电路结构；本发明提供的这种封装结构及封装方法，有效地减少了功率回路...
- 陈材黄志召李宇雄方建明陈宇康勇
- 文献传递
