吴勤
- 作品数：3 被引量：1H指数：1
- 供职机构：四川大学物理科学与技术学院更多>>
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- 相关领域：电子电信更多>>
- 表面PIN二极管的电磁辐射特性分析被引量：1
- 2016年
- 以表面PIN二极管(SPIN)为研究对象,根据半导体内非平衡载流子双极性扩散方程,推导了外加电场条件下,稳态时本征区载流子浓度一维连续性方程,数值求解了大电流注入条件下本征区固态等离子体电导率.基于固态等离子体电导率在ADS软件中构建可重构贴片单极天线结构,仿真验证了大电流注入条件下,SPIN具有一定的类金属电磁辐射特性.实验结果表明可以用SPIN替代金属作为基本辐射单元构建可重构天线阵列.
- 吴勤翟玉翠高博高福华王志宽龚敏
- 关键词：SPIN电导率电磁辐射
- 可重构的硅基等离子体通道的辐射性能研究
- 2016年
- 表面PIN二极管导通时可以形成固态硅基等离子体通道,这种通道具有类金属性并能够传递电磁波.当由上述通道单元耦合形成特定的结构时,它将对外辐射电磁波信号.本文简要阐述了此种通道的形成机理,通过软件设计并导通表面PIN二极管阵列上不同单元,构造形成单极、双频、八木天线等结构.期望通过以上不同结构实现对硅基等离子体通道辐射性能的研究.仿真结果表明,利用动态调控表面PIN二极管阵列的方法,硅基等离子体通道能够实现对电磁波的辐射,并能改变辐射频率、多频段的调节及辐射方向图的动态可重构等.因此,硅基等离子体阵列天线具有可重构、智能化、隐身等诸多优点.这些系统的理论研究进一步促进了人们对硅基固体等离子通道的理解,为此类天线的设计和加工提供理论指导.
- 谭建军吴勤翟玉翠陶宏黄小磊张志友高福华
- 关键词：等离子体阵列天线可重构
- 一种新型的栅下阱结构4H-SiCMOSFET器件
- 本发明公开了一种平面工艺中栅下阱结构的新型4H-SiCMOSFET器件结构.该结构主要应用于高压电路设计中。该结构中栅下阱可以接地,也可以悬空。带栅下阱的新型4H-SiCMOSFET器件结构设计能够明显提高4H-SiC？...
- 高博吴勤
- 文献传递
