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高博

作品数:54 被引量:154H指数:7
供职机构:四川大学物理科学与技术学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金四川省高等教育教学改革工程人才培养质量和教学改革项目国家临床重点专科建设项目更多>>
相关领域:电子电信自动化与计算机技术医药卫生文化科学更多>>

文献类型

  • 51篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 33篇电子电信
  • 10篇自动化与计算...
  • 4篇医药卫生
  • 4篇理学
  • 3篇机械工程
  • 3篇文化科学
  • 2篇电气工程
  • 1篇核科学技术

主题

  • 11篇FPGA
  • 10篇基于FPGA
  • 5篇低功耗
  • 5篇阵列
  • 5篇滤波器
  • 5篇门阵列
  • 5篇可编程门阵列
  • 5篇功耗
  • 4篇增益
  • 4篇转换器
  • 4篇现场可编程
  • 4篇现场可编程门...
  • 4篇红外
  • 4篇放大器
  • 4篇ADC
  • 3篇电路
  • 3篇血氧饱和度
  • 3篇氧饱和度
  • 3篇系统设计
  • 3篇模数转换

机构

  • 53篇四川大学
  • 5篇四川大学华西...
  • 2篇成都理工大学
  • 2篇四川邮电职业...
  • 1篇中国电子科技...
  • 1篇中国科学院
  • 1篇中国工程物理...
  • 1篇重庆医科大学...
  • 1篇成都飞机工业...

作者

  • 53篇高博
  • 35篇龚敏
  • 4篇魏蔚
  • 4篇钱正
  • 4篇赵新
  • 3篇高博
  • 3篇王丽
  • 3篇陈昶
  • 2篇钱辉
  • 2篇刘威
  • 2篇石瑞英
  • 2篇史瑶
  • 2篇高福华
  • 2篇马瑶
  • 2篇苏平
  • 2篇石彦杰
  • 1篇罗代升
  • 1篇姚欣
  • 1篇林祥棣
  • 1篇张怡霄

传媒

  • 15篇电子与封装
  • 5篇电子测量技术
  • 5篇电子器件
  • 3篇电子工程师
  • 2篇物理学报
  • 2篇光谱学与光谱...
  • 2篇光散射学报
  • 2篇微计算机信息
  • 1篇合肥工业大学...
  • 1篇电子技术应用
  • 1篇电子世界
  • 1篇计算机工程与...
  • 1篇四川大学学报...
  • 1篇激光杂志
  • 1篇测控技术
  • 1篇微电子学
  • 1篇半导体光电
  • 1篇高等理科教育
  • 1篇压电与声光
  • 1篇高等教育发展...

年份

  • 5篇2022
  • 2篇2021
  • 3篇2020
  • 4篇2019
  • 9篇2018
  • 5篇2017
  • 5篇2016
  • 1篇2015
  • 2篇2014
  • 1篇2013
  • 3篇2011
  • 1篇2010
  • 6篇2009
  • 3篇2008
  • 2篇2003
  • 1篇2002
54 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
惯性约束聚变驱动器终端束匀滑器件前置时频率转换系统优化研究
2009年
在惯性约束聚变驱动器终端光学系统中,束匀滑器件前置有许多优点,但它同时也将对频率转换系统的工作状态产生影响.从系统集成优化的观点研究了这种影响,并基于高强度激光非线性传输理论,采用耦合波方程组及微扰理论,模拟计算了连续相位板前置时基频光束通过频率转换系统的三倍频转换效率及出射光束的近远场分布和焦斑形态,提出了优化倍频晶体失谐角和晶体厚度以减小CPP前置对系统性能的影响.模拟计算了频率转换系统优化前后的三倍频转换效率、光束通量对比度和能量集中度,并进行了对比分析.分析结果表明,频率转换系统的优化对减小CPP前置对光束质量和三倍频转换效率的影响是十分有效的.
姚欣高福华高博张怡霄黄利新郭永康林祥棣
关键词:惯性约束聚变
单波长光声光谱血氧饱和度检测技术研究(英文)被引量:1
2017年
血氧饱和度(SO_2)为临床观察病情变化提供了有意义的指标。传统血氧饱和度检测研究工作多采用双光源和多光源光电容积脉搏波描记法实现无创检测来减少病人痛苦。通过研究生物组织对光的吸收和散射特性,将光谱学和光声技术相结合提出了一种无创式单光源检测血氧饱和度(SO_2)、脱氧血红蛋白浓度[HBR]和氧合血红蛋白浓度[HbO_2]的新方法。该方法基于血液对光信号的吸收和散射理论基础和光声信号呈现吸收线形关系建立单波长光声光谱血氧饱和度检测技术,不仅可以进行指标性参数分析还可以对组织成像。为了验证该技术可行性,在实验中采用单波长激光脉冲光源,以绿色和红色墨水的混合液体作为含有脱氧血红蛋白和氧合血红蛋白的血液模型注入软管模拟人体血液环境。其中红色墨水的含量类比于血液中含氧血红蛋白含量,从而可通过测量计算出红色和绿色墨水浓度来表征伪血氧饱和度(poseudo-SO_2)。实验结果表明,所测的伪血氧饱和度与实际浓度误差不超过6.97%,采用该方法量化血氧饱和度是可行的;同时利用实验结果,结合光声成像技术完成了对伪血液中单圆管截面成像。该方法替代多波长光谱分析的方法能显著降低激光系统和便携式实现成本。
马瑶高博陈昶赵新钱正龚敏
关键词:单波长散射光
基于FPGA的VGA显示模式和像素频率的识别被引量:7
2008年
描述了一种基于FPGA(现场可编程门阵列)识别VGA(视频图形阵列)显示模式和像素频率值的方案。主要基于频率计的设计方法实现,并通过硬件电路的验证。利用Verilog HDL语言和FPGA的灵活性,应用FPGA设计嵌入式系统视频采集卡,提高了数据处理速度,节省了硬件成本。
刘威石彦杰高博
关键词:FPGAVGA频率计
基于FPGA的二维图像空域滤波电路设计被引量:1
2019年
基于傅里叶变换轮廓术的三维面型重建过程,需要从形变条纹图像中提取出模度图与幅角图,现有的软件处理方式不能满足实时成像的要求。采用现场可编程门阵列(FPGA)并行计算的特点设计二维空域滤波电路,对原始图像进行二维卷积以代替频域滤波。这一方式有效地提取了所需频率,同时减少对硬件资源的占用。基于Altera CycloneⅣ EP4CE115F29C7N FPGA器件的测试结果表明,50 MHz的时钟频率下完成零频与基频分量的提取,得到模度图与幅角图仅需16.8 ms。
林志滨高博龚敏
关键词:空域滤波FPGA三维重建
四川大学拔尖创新人才培养模式创新试验区——吴玉章学院2007级人才培养方案的改革与思考被引量:19
2009年
为适应四川大学拔尖创新人才培养模式的需要,四川大学吴玉章学院特别制定了2007级本科人才培养方案,从课程模块设置、公共基础平台课程教学方法、学生科研能力和创新能力、国际化教育等多个方面推进我校本科拔尖创新人才培养的教育教学改革。
张红伟刘黎高博
关键词:拔尖创新人才教学方法改革国际化教育
基于70 nm GaAs MHEMT单管芯的低噪声放大器设计
2019年
设计了一种基于70nm GaAs MHEMT(变形高电子迁移率晶体管)单管芯的宽带低噪声放大器(LNA),频率覆盖50MHz到3GHz。采用负反馈和输入输出匹配技术补偿晶体管增益随频率的滚降,以及优化稳定性和反射系数。所设计的单管芯LNA增益大约为15dB,噪声系数约为0.77dB左右。这种基于70nmGaAsMHEMT单管芯的LNA电路设计具有较高的灵活性,对于工艺验证和灵活快速实现板级LNA具有重要意义。
官劲官劲龚敏高博
关键词:MMICLNAGAASMHEMT负反馈
一种12GHz的高增益低噪声放大器被引量:1
2022年
通过分析GaAs pHEMT器件特性设计了一款两级高增益、低功耗的低噪声放大器。采用两级结构提高低噪声放大器的增益,设计了一种共用电流结构,降低了放大器的功耗,同时降低电路噪声。输入、输出匹配均采用LC阶梯匹配网络,具有良好的匹配性,并使用CAD软件对电路进行设计优化。电路仿真结果表明,在中心频率12 GHz下实现了增益为27.299 dB、噪声系数为0.889 dB、S11和S22均小于-10 dB的性能,工作带宽为600 MHz。此低噪声放大器作为12 GHz频段的接收机的前端设计研究,具有一定意义。
何谟谞胡钧剑高博贺良进
关键词:LNA高增益
一种二次补偿的带隙电压基准被引量:1
2019年
为了降低带隙基准电压源的温漂系数,设计了一种采用β倍增器电流源和IPTAT2电流源作为二次曲率补偿技术的超低温漂基准电压源。运用SMIC0.18μm工艺,仿真结果表明,在-40~85℃,该基准电压源的温漂系数为0.336×10^-6/℃,大大降低了温度对电压源的影响。
陈光华陈俊飞高博
关键词:带隙基准温度系数
以“学”为中心的集成电路专业教学课堂改革探索实践被引量:2
2020年
在微电子科学与工程专业新工科建设中对"半导体集成电路原理"专业理论教学课堂改革开展研究,旨在培养具有创新实践能力的工程师。借鉴工信部国际名家讲堂的教学形式,提出将以"学"为中心的科研讨论融合到以教为主的理论课堂。在传统理论课堂教学活动插入三个阶段的考核:国际会议和期刊论文的研读阶段、特定主题电路设计的研讨阶段和EDA工具辅助项目设计的实践活动阶段。通过实践过程化考核教学模式,探索探究式课堂教学改革方法。学生在阶段性学习中不断提高,更积极主动参与小班学习项目,提升对教学内容的认知,锻炼了解决实际问题的能力。
高博李晶莹
关键词:集成电路教学改革
K波段高功率放大器MMIC设计被引量:1
2018年
基于GaAs p HEMT在微波领域的卓越性能,设计并实现了一款K波段GaAs功率放大器电路。根据阻抗匹配电路、三级级联放大结构来实现输出功率为2 W的K波段GaAs功率放大器。采用ADS软件对电路原理图进行了电学参数优化、版图绘制和电磁场仿真。采用0.25μm栅长GaAs p HEMT工艺完成电路的设计,放大器输出输入端口均匹配到50Ω。ADS仿真表明,功率放大器工作在21~24.5 GHz时,该放大器的输出功率大于33 d Bm,功率附加效率大于25%,功率增益大于19 d B,电路尺寸为2.5 mm×3.2 mm。
陆雨茜陈华康高博龚敏
关键词:砷化镓K波段单片微波集成电路功率放大器高功率
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