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文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 2篇专利

领域

  • 3篇电子电信
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 2篇液晶
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  • 2篇面板
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  • 1篇刻蚀
  • 1篇刻蚀液
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  • 1篇厚度
  • 1篇PS
  • 1篇
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  • 1篇常温

机构

  • 5篇北京京东方光...
  • 2篇京东方科技集...

作者

  • 5篇陈思
  • 3篇王威
  • 2篇张家祥
  • 2篇黄东升
  • 2篇卢凯
  • 2篇杨得坡
  • 1篇焦宇
  • 1篇王亮
  • 1篇孙亮
  • 1篇覃一锋
  • 1篇张磊
  • 1篇冀新友
  • 1篇王凤涛
  • 1篇王彦强
  • 1篇张洁

传媒

  • 3篇液晶与显示

年份

  • 1篇2020
  • 1篇2019
  • 2篇2018
  • 1篇2015
5 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
电子纸的2W2D工艺改善研究
2020年
在电子纸行业中,为了减少光刻次数、降低成本,部分产品的TFT基板会采用半色调掩膜工艺,传统的一次湿刻一次干刻(1W1D)方法要求半色调掩膜光刻胶厚度与均一性同时满足较高要求,管控难度大,导致曝光多次返工浪费产能;而且,1W1D的刻蚀均一性很差,使玻璃四周沟道a-Si过薄,影响良率。为了改善这两方面的问题,我们参考了非电子纸产品的两次湿刻两次干刻(2W2D)工艺。然而非电子纸的2W2D工艺会产生较长的a-Si拖尾现象,导致较大的寄生电容,造成良率损失;此外,a-Si残留和沟道特性问题也阻碍了电子纸良率的进一步提升。因此,我们通过降低两次湿刻时间,改善灰化条件,减小a-Si拖尾长度;建立a-Si处理工序,消除a-Si残留;调整a-Si成膜条件和钝化层成膜前处理条件,改善沟道特性。实验结果表明:采用改善后的2W2D工艺可以完全满足电子纸的特性要求,并且相比于1W1D方法,得到的沟道厚度均一性提升50%,阵列检测良率提升4%~10%;同时无需管控半色调掩膜光刻胶的均一性,仅满足光刻胶厚度的管控要求即可,使曝光返工比例降低60%。改善后的2W2D工艺有效改善了电子纸产品的沟道特性与刻蚀均一性,提升了产品良率,减少了产能浪费,降低了成本,对4次光刻电子纸产品具有重要指导意义。
佟月佟硕王凤涛曹洪韬刘艳葵耿红帅李森张鹏曲卢凯孙亮张磊陈思王威
关键词:电子纸
显示面板检测台
本发明是关于一种显示面板检测台,属于液晶显示领域。所述显示面板检测台包括:基台,底座,探针组件和联动组件;底座上设置有基台移动组件;基台通过基台移动组件能够在底座上移动,基台用于固定显示面板;联动组件设置于底座上,用于将...
杨得坡陈思徐洪亮王阔海郑亮
文献传递
刻蚀液的调整对Array Mura影响的研究被引量:1
2018年
生产中经常出现常温污渍(Array Mura)不良。针对TFT面板布线细线化及低电阻电极的要求,纯铝工艺迫切需要新型湿法刻蚀液的对应。目前,本文通过对比3种产线中测试的刻蚀液,得出Array Mura的产生主要与纯铝工艺的顶层金属钼的刻蚀后缩进有关,其中测试的刻蚀液C可以有效控制金属钼的缩进至0.1μm以内。控制顶层金属钼缩进的主要原因与刻蚀液C的硝酸浓度和添加剂含量有关,通过控制药液进而控制了刻蚀过程内的电化学反应,最终使得Array Mura得到了有效的改善,后续无相关不良发生。采用刻蚀液C刻蚀后线宽、坡度角等相关刻蚀参数均满足要求,目前已经导入量产使用。
冀新友张家祥王亮张洁卢凯黄东升陈思王威
关键词:刻蚀液
高PS材料制备及工艺研究
2019年
本文对高膜厚PS材料进行了研究,通过工艺优化,成功在G5线实现了60~120μm的高PS。通过前烘工艺和固化工艺优化调整,得到了无气泡、膜面良好的高PS材料。本文还对曝光量对PS影响进行了研究,发现曝光量低于50mJ时,PS材料无法有效成型;当曝光量达到150mJ时,得到形貌良好,达到设计值的PS。最后还对不同基底高PS材料进行了研究,发现未进行增粘处理时,SiN基底粘附性良好,Mo基底还需继续优化处理。
张家祥王威王彦强焦宇周海龙张芳徐闪闪陈召覃一锋张文余黄东升陈思
显示面板检测台
本发明是关于一种显示面板检测台,属于液晶显示领域。所述显示面板检测台包括:基台,底座,探针组件和联动组件;底座上设置有基台移动组件;基台通过基台移动组件能够在底座上移动,基台用于固定显示面板;联动组件设置于底座上,用于将...
杨得坡陈思徐洪亮王阔海郑亮
文献传递
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