卢凯
- 作品数：16 被引量：1H指数：1
- 供职机构：北京京东方光电科技有限公司更多>>
- 相关领域：电子电信交通运输工程一般工业技术自动化与计算机技术更多>>
- 触控基板及其制备方法、触控面板
- 本发明实施例提供一种触控基板及其制备方法、触控面板。触控基板包括形成在显示区域的显示结构层和形成在扇出区域的扇出结构层，所述扇出结构层包括多条信号引出线，所述扇出结构层上设置有覆盖所述信号引出线的保护层。本发明通过在扇出...
- 潘宗玮卢凯王彦强王丽君
- 文献传递
- 一种加热装置及光刻设备
- 本申请实施例提供一种加热装置及光刻设备，涉及显示技术领域，用于解决前烘或后烘工艺结束后，玻璃基板与加热盘不容易分离的问题。该加热装置包括加热盘；加热盘包括多个子加热部；相邻的子加热部通过活动连接件相连接，相邻两个子加热部...
- 毛元杰卢凯李京鹏
- 柔性基材、柔性基板及其制备方法
- 本公开的实施例提供一种柔性基材及其制备方法、柔性基板及其制备方法，该柔性基材包括：主体柔性材料；分散于主体柔性材料中的吸附有磁性粒子的载体；该载体的表面具有亲有机物的官能团。
- 覃一锋卢凯周永山黄东升
- 文献传递
- 一种液晶显示装置及其相位补偿方法
- 本发明提供了一种液晶显示装置及其相位补偿方法，液晶显示装置包括：位于下基板表面的第一偏光片组件、位于上基板表面的第二偏光片组件、位于上基板和下基板之间的液晶层；第一偏光片组件包括第一波片；第二偏光片组件包括第二波片；第一...
- 侯学成肖昂卢凯
- 文献传递
- 触控基板及其制备方法、触控面板
- 本发明实施例提供一种触控基板及其制备方法、触控面板。触控基板包括形成在显示区域的显示结构层和形成在扇出区域的扇出结构层，所述扇出结构层包括多条信号引出线，所述扇出结构层上设置有覆盖所述信号引出线的保护层。本发明通过在扇出...
- 潘宗玮卢凯王彦强王丽君
- 薄膜晶体管及阵列基板的制备方法、阵列基板及显示装置
- 薄膜晶体管及阵列基板的制备方法、阵列基板及显示装置。该薄膜晶体管的制备方法，包括在有源层薄膜上形成第一光刻胶图案，其包括第一厚度光刻胶和第二厚度光刻胶，并覆盖有源层薄膜中待形成有源层的区域；以第一光刻胶图案为掩模对有源层...
- 张家祥卢凯
- 文献传递
- TFT-LCD阵列基板及其构成的液晶面板、显示装置和显示设备
- 本实用新型公开了一种TFT-LCD阵列基板及其构成的液晶面板、显示装置和显示设备，该TFT-LCD阵列基板包括：玻璃基板、分布于所述玻璃基板上TFT阵列和信号扫描线；其中，在所述TFT阵列中的栅极扫描线与所述信号扫描线交...
- 卢凯宋省勳朱海波
- 文献传递
- 一种阵列基板及其制备方法、显示装置
- 本发明提供一种阵列基板及其制备方法、显示装置，属于显示技术领域，其可解决现有的阵列基板树脂过孔处的光刻胶比其他位置更厚，难以被完全去除的问题。本发明的阵列基板包括多个薄膜晶体管和具有至少一个树脂过孔的树脂层，所述薄膜晶体...
- 侯学成卢凯郭建
- 文献传递
- 电子纸的2W2D工艺改善研究
- 2020年
- 在电子纸行业中,为了减少光刻次数、降低成本,部分产品的TFT基板会采用半色调掩膜工艺,传统的一次湿刻一次干刻(1W1D)方法要求半色调掩膜光刻胶厚度与均一性同时满足较高要求,管控难度大,导致曝光多次返工浪费产能;而且,1W1D的刻蚀均一性很差,使玻璃四周沟道a-Si过薄,影响良率。为了改善这两方面的问题,我们参考了非电子纸产品的两次湿刻两次干刻(2W2D)工艺。然而非电子纸的2W2D工艺会产生较长的a-Si拖尾现象,导致较大的寄生电容,造成良率损失;此外,a-Si残留和沟道特性问题也阻碍了电子纸良率的进一步提升。因此,我们通过降低两次湿刻时间,改善灰化条件,减小a-Si拖尾长度;建立a-Si处理工序,消除a-Si残留;调整a-Si成膜条件和钝化层成膜前处理条件,改善沟道特性。实验结果表明:采用改善后的2W2D工艺可以完全满足电子纸的特性要求,并且相比于1W1D方法,得到的沟道厚度均一性提升50%,阵列检测良率提升4%~10%;同时无需管控半色调掩膜光刻胶的均一性,仅满足光刻胶厚度的管控要求即可,使曝光返工比例降低60%。改善后的2W2D工艺有效改善了电子纸产品的沟道特性与刻蚀均一性,提升了产品良率,减少了产能浪费,降低了成本,对4次光刻电子纸产品具有重要指导意义。
- 佟月佟硕王凤涛曹洪韬刘艳葵耿红帅李森张鹏曲卢凯孙亮张磊陈思王威
- 关键词：电子纸
- 刻蚀液的调整对Array Mura影响的研究被引量：1
- 2018年
- 生产中经常出现常温污渍(Array Mura)不良。针对TFT面板布线细线化及低电阻电极的要求,纯铝工艺迫切需要新型湿法刻蚀液的对应。目前,本文通过对比3种产线中测试的刻蚀液,得出Array Mura的产生主要与纯铝工艺的顶层金属钼的刻蚀后缩进有关,其中测试的刻蚀液C可以有效控制金属钼的缩进至0.1μm以内。控制顶层金属钼缩进的主要原因与刻蚀液C的硝酸浓度和添加剂含量有关,通过控制药液进而控制了刻蚀过程内的电化学反应,最终使得Array Mura得到了有效的改善,后续无相关不良发生。采用刻蚀液C刻蚀后线宽、坡度角等相关刻蚀参数均满足要求,目前已经导入量产使用。
- 冀新友张家祥王亮张洁卢凯黄东升陈思王威
- 关键词：刻蚀液
