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陈惠鹏

作品数：49 被引量：8H指数：1
供职机构：福州大学更多>>
发文基金：福建省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信机械工程一般工业技术自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 42篇专利
  • 6篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 11篇电子电信
  • 1篇化学工程
  • 1篇机械工程
  • 1篇电气工程
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 36篇晶体管
  • 17篇晶体
  • 16篇薄膜晶体
  • 16篇薄膜晶体管
  • 15篇有机薄膜晶体...
  • 10篇电极
  • 10篇氧化物
  • 10篇突触
  • 9篇激光
  • 8篇金属
  • 7篇喷墨
  • 7篇喷墨打印
  • 7篇金属氧化物
  • 6篇电路
  • 6篇迁移率
  • 6篇集成电路
  • 6篇大规模集成电...
  • 5篇自供电
  • 5篇绝缘
  • 5篇存储器

机构

  • 49篇福州大学
  • 5篇福建工程学院

作者

  • 49篇陈惠鹏
  • 41篇郭太良
  • 16篇张国成
  • 10篇杨辉煌
  • 6篇杨倩
  • 5篇胡利勤
  • 4篇张国成
  • 4篇陈赐海
  • 2篇胡海龙
  • 2篇叶芸
  • 2篇王心晨
  • 2篇王晖
  • 2篇张军
  • 1篇杨尊先
  • 1篇周雄图
  • 1篇张永爱
  • 1篇李福山
  • 1篇林涛

传媒

  • 3篇发光学报
  • 1篇光子学报
  • 1篇液晶与显示
  • 1篇中国科学：化...

年份

  • 5篇2024
  • 2篇2022
  • 6篇2021
  • 9篇2020
  • 9篇2019
  • 10篇2018
  • 4篇2017
  • 4篇2016
共 49 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种基于驻极体的突触晶体管及其制备方法
本发明涉及一种基于驻极体的突触晶体管及其制备方法，所述的晶体管自下而上由带有绝缘层的基底、驻极体介电层、有机半导体层以及顶部电极组成；所述的驻极体介电层在绝缘层与半导体之间形成一个界面捕获层，用于捕获电子与空穴，形成额外...
陈惠鹏俞礽坚陈耿旭郭太良李恩龙
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一种金属氧化物光晶体管及其制备方法
本发明涉及了一种金属氧化物光晶体管及其制备方法。该金属氧化物光晶体管采用底栅垂直结构，器件从下往上依次是带有一定厚度二氧化硅氧化层的高掺杂硅片、网状源极和源极接触电极、金属氧化物半导体薄膜以及漏电极。垂直结构金属氧化物光...
陈惠鹏郭太良曹曙光汪秀梅陈奇珍严育杰
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纤维状垂直沟道晶体管及其制备方法
本发明提出纤维状垂直沟道晶体管，所述晶体管从内至外依次设有栅极衬底、聚合物绝缘层、氧化物绝缘层、网状源极、半导体层和电极；所述电极包括半导体层上的漏极接触电极，还包括位于半导体层旁的设于网状源极上的源极接触电极；所述栅极...
陈惠鹏柯钰丹陈耿旭郭太良俞礽坚
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自供电多栅极人工突触晶体管的制备方法和触觉学习
本发明提出自供电多栅极人工突触晶体管的制备方法和触觉学习，自供电多栅极人工突触晶体管包括摩擦纳米发电机和人工突触晶体管装置；摩擦纳米发电机上电极、下电极处均引出供电导线；人工突触晶体管装置的漏电极为输出端；源电极和栅极为...
陈惠鹏刘亚倩郭太良钟建峰李恩龙杨辉煌汪秀梅赖登晓
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一种喷墨打印技术中的半导体金属氧化物墨水及使用方法
本发明公开一种喷墨打印技术中的半导体金属氧化物墨水的优化工艺，属于氧化物半导体技术和印刷电子技术领域，该工艺通过掺杂的方式改善薄膜性能，且掺杂比例可调，掺杂效果显著。该溶液以半导体氧化物前驱体及其对应溶剂作为基础溶液，通...
陈惠鹏郭太良孙大卫张国成
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一种垂直结构的有机电化学晶体管及其制备方法
本发明涉及一种垂直结构的有机电化学晶体管及其制备方法，所述垂直结构的有机电化学晶体管为顶栅垂直结构，从下往上依次为基底、漏电极、有源层、网状源电极，电解质层和栅电极。其制备方法包括以下步骤：1）在具有图案化漏电极的基底上...
陈惠鹏严育杰郭太良陈耿旭陈奇珍巫晓敏柯钰丹
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基于有机薄膜晶体管的光写入多级存储器被引量：1
2020年
由于依靠不断缩小存储单元尺寸来提升单位面积存储能力的传统方法将会面临着器件尺寸的物理极限等瓶颈,人们逐渐将目光投向了能够在单一器件上实现高密度存储的多级存储器件。本文利用有机薄膜晶体管中存在的持续光电导率(PPC)效应制备了一个光写入操作的多级存储器件,有效地避免了电写入操作对器件的接触破坏性和较大功耗问题。研究了在不同功率(60,100,150μW/cm 2)和不同持续时间(50~1000 ms)700 nm光写入脉冲作用下的器件存储状态,器件在光功率为60μW/cm 2、持续时间为100 ms的光脉冲下展现出了低至0.189 nJ的极低工作功耗。通过对器件施加16个连续光写入脉冲证实器件具有16个有效的存储状态,实现了存储容量为4 bits的多级光写入存储功能。
何伟欣何立铧陈惠鹏张国成
关键词：有机薄膜晶体管
一种基于有机薄膜晶体管的可拉伸突触及其制备方法
本发明涉及一种基于有机薄膜晶体管的可拉伸突触及其制备方法，其结构由下至上依次包括可拉伸复合共面栅衬底、褶皱形的有机半导体层以及离子凝胶绝缘层。所述可拉伸复合共面栅衬底是由聚二甲基硅氧烷（PDMS）薄膜与设置于其上的图案化...
陈惠鹏汪秀梅陈耿旭郭太良严育杰李恩龙刘亚倩
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一种基于激光刻蚀技术的薄膜晶体管阵列及其制作方法
本发明涉及一种基于激光刻蚀技术的薄膜晶体管阵列及其制作方法。该薄膜晶体管阵列中的单个薄膜晶体管器件从下往上依次是激光刻蚀好ITO/银等源漏电极的聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)或玻璃基板，并五苯/P3HT/ PDVT-8/...
陈惠鹏张国成杨辉煌胡利勤蓝淑琼郭太良
一种金属氧化物存储器及其制备方法
本发明涉及了一种金属氧化物存储器及其制备方法。该金属氧化物晶体管存储器采用顶栅垂直结构，器件自下而上依次是纯硅片基底、漏电极、金属氧化物半导体薄膜、网状源极和源极接触电极、绝缘层和顶部栅极。垂直结构金属氧化物存储器除电极...
陈惠鹏郭太良吕东旭杨倩李恩龙
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