郭太良
- 作品数：1,336 被引量：993H指数：14
- 供职机构：福州大学更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划福建省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术理学一般工业技术更多>>
- 一种基于液晶透镜的集成成像多模视角可调显示方法及系统
- 本发明公开一种基于液晶透镜的集成成像多模视角可调显示方法及系统，涉及集成成像领域，方法包括：首先，获取图像采集模块所采集的第一图像，识别获得第一图像的总观众所在区域；然后，响应于第一图像中的总观众所在区域集中于透镜阵列工...
- 张永爱邹振游张家振彭玉颜周雄图吴朝兴郭太良
- 适用于微米级芯片低温共晶键合的微凸点结构及制备方法
- 本发明涉及一种适用于微米级芯片低温共晶键合的微凸点结构，包括从下至上依次设置的半导体衬底、图形化芯片、UBM金属层、第一金属层、第二金属层、金属凸点；所述半导体衬底、图形化芯片、UBM金属层、第一金属层外侧还设有介质层；...
- 张永爱陈孔杰周雄图郭太良吴朝兴严群
- 基于特征点扩充及PCA特征提取的ASM定位算法
- 本发明涉及一种基于特征点扩充及PCA特征提取的ASM定位算法，首先，采用等距插值的方法扩充手工标定的特征点；其次，建立统计特征模型，提出采用主成分分析PCA处理特征点法线灰度信息代替原算法中的灰度值求导，统计特征点的局部...
- 郭太良徐胜姚剑敏林金堂林志贤叶芸
- 文献传递
- 基于电子墨的动态光栅及控制方法和立体显示装置
- 本发明涉及显示技术领域，特别是一种基于电子墨的动态光栅及控制方法和立体显示装置。该电子墨动态光栅包括第一控制层、第二控制层和电子墨层；所述第一控制层包括第一透明基板、复数个第一透明电极、第一透明绝缘层、复数个第二透明电极...
- 叶芸郭太良张永爱林志贤姚剑敏陈填源徐胜曾祥耀颜敏蔡寿金
- 文献传递
- 氩等离子体处理聚合物/量子点表面对量子点发光二极管性能的影响
- 2015年
- 采用旋转涂布的方法在大气中制备了聚合物/量子点发光复合层,利用氩等离子体处理的方法以去除聚合物/量子点复合层的表面的氧原子等猝灭中心。结果发现,相较于无等离子处理的器件,经过氩等离子处理,量子点发光二极管能够产生具有狭窄发光峰的橙色光,器件的启亮电压为3.5伏,亮度更高,并且电流密度没有明显的衰减现象,器件更加稳定。
- 吴薇李福山吴朝兴吴晓晓胡雪花寇丽杰郭太良
- 关键词：量子点发光二极管
- Sn掺杂四针状ZnO纳米结构的形貌及其场发射特性研究
- <正>四针状Zn O纳米晶须独特的空间三维立体构型使得其电子发射效率高,且无论其如何放置,总有一个针尖指向阳极,可有效降低其开启场强,在场致发射电源方面具有潜在的价值。已有研究表明通过金属元素掺杂能有效提高ZnO纳米结构...
- 林木飞彭玉颜周雄图张永爱郭太良
- 文献传递
- 一种金属氧化物存储器及其制备方法
- 本发明涉及了一种金属氧化物存储器及其制备方法。该金属氧化物晶体管存储器采用顶栅垂直结构，器件自下而上依次是纯硅片基底、漏电极、金属氧化物半导体薄膜、网状源极和源极接触电极、绝缘层和顶部栅极。垂直结构金属氧化物存储器除电极...
- 陈惠鹏郭太良吕东旭杨倩李恩龙
- 文献传递
- 两步水热法制备枝干状ZnO纳米结构的研究被引量：3
- 2013年
- 采用两步水热法,第1步利用Au作为催化剂生长ZnO纳米杆;第2步利用醋酸锌分解成ZnO纳米颗粒作籽晶层在ZnO纳米杆的侧壁生长ZnO纳米枝条,在Si片上成功制备了枝干状ZnO纳米结构。利用SEM、XRD分别表征枝干状ZnO纳米结构的形貌和晶体结构,研究籽晶层、反应液浓度、反应时间等参数对枝干状ZnO纳米结构形貌的影响。结果表明,Au作为催化剂生长的ZnO纳米杆具有沿(103)面择优取向生长的特性,而籽晶层对在侧壁生长ZnO纳米枝条至关重要。通过调节反应参数,可控制枝干状ZnO纳米结构的形貌,当反应液浓度越小,反应时间越长,纳米枝条越细、越长。所制备的枝干状ZnO纳米结构具有很好的生物兼容性,可作为细胞支架材料。
- 周雄图林锑杭曾祥耀张永爱郭太良
- 高分辨率主动驱动型氮化镓基Micro-LED芯片的制备被引量：2
- 2022年
- 本文设计并制备了一款分辨率为1920×1080的氮化镓基Micro-LED芯片。采用单次ICP(InductivelyCoupled Plasma)刻蚀的方法完成电流扩展层的图案化和台面刻蚀,实现了电流扩展层和台面的自对准。同时,在制作过程中用HMDS(Hexamethyldisiloxane)提高光刻胶附着力,从根本上提高小尺寸台面刻蚀的一致性和完整性。此外,通过垫高N型电极解决了传统倒装芯片中P型电极和N型电极不等高的问题,有利于显示芯片与驱动芯片的键合。该芯片尺寸为17.78 mm(0.7 in),发光单元尺寸为6μm,像素周期为8μm,像素密度达到3129 PPI。I-V测试数据表明,所制备的Micro-LED的开启电压仅为3.5 V。
- 黄铭水聂君扬刘明洋李洋潘魁邓俐颖杨天溪黄忠航孙捷严群郭太良
- 关键词：高分辨率倒装芯片
- 基于ZnS/硒化亚铜/ZnS量子阱发光层的QWLED及其制备方法
- 本发明公开了一种基于ZnS/Cu<Sub>2</Sub>Se/ZnS量子阱发光层的QWLED及其制备方法，在立方体ZnS种子的基础上，合成了ZnS/Cu<Sub>2</Sub>Se/ZnS立方体量子阱结构，以此结构为发光...
- 杨尊先郭太良叶雨亮叶冰清黄桥灿沈梓鸿叶芸张永爱陈耿旭李福山
