洪根深
- 作品数：5 被引量：11H指数：2
- 供职机构：四川大学物理科学与技术学院物理学系更多>>
- 相关领域：理学电子电信更多>>
- 通过改变费米能级钉扎效应制备6H-SiC欧姆接触的特性研究被引量：6
- 2002年
- 作者通过氧化、刻蚀和沸水处理的方法 ,在n型 6H SiC的C面上制备了线性较好的欧姆接触 .作者对C面和Si面的欧姆接触的退火特性进行了比较和研究 ;并对形成欧姆接触的物理机理进行了讨论 ,研究了这种欧姆接触在大密度电流下的特性 .
- 洪根深廖勇明廖伟丁元力邬瑞彬刘洪军龚敏
- 关键词：6H-SIC欧姆接触
- 离子注入6H-SiC引起的损伤及其光学性质的研究
- 离子注入是制作半导体器件和集成电路的重要工艺之一。对于Si而言，离子注入技术已经相当成熟，但对于SiC，则仍然是需要进一步研究的课题。本文就利用椭圆偏振光技术、拉曼光谱和吸收光谱对离子注入6H-SiC所引起的损伤及其光学...
- 洪根深
- 关键词：6H-SIC离子注入拉曼光谱吸收光谱
- 文献传递
- H_2表面处理形成Al/n型6H-SiC欧姆接触及其退化机制被引量：1
- 2003年
- 作者通过氢气表面热处理,获得了具有较好特性的Al/n 6H SiC欧姆接触.在这种H2处理后的SiC表面,可以直接通过蒸铝(Al)形成欧姆接触,而无须进行退火处理.该方法也适用于低掺杂外延层上的欧姆接触.XPS测试表明,这种欧姆接触是在400℃以上的退化时,由Al及6H SiC中的Si元素互扩散所致.
- 邬瑞彬候永洪根深龚敏
- 关键词：欧姆接触氢化互扩散
- SiO_2/6H-SiC界面的物理性质及其辐照特性的研究被引量：3
- 2001年
- 在p型及n型 6H -SiC外延衬底上成功地制备了MOS电容 ,通过高频C～V测试 ,研究了SiO2 /SiC系统的物理性质和电学性质 .发现在SiO2 /p -SiC界面存在大量的施主型界面态 ,在p -SiC热氧化生成的SiO2 中有净的正电荷中心 ,而在n -SiC热氧化生成的SiO2 中有净的负电荷中心 .对n -SiC和SiMOS电容进行了γ辐照对比实验 ,证实了n -SiCMOS电容器具有优异的抗辐照性能 .
- 廖伟罗小蓉廖勇明洪根深龚敏
- 关键词：6H-SICMOS电容Γ辐照
- p型Al/6H-SiC肖特基二极管特性的研究被引量：2
- 2001年
- 作者研究了p型Al/6H -SiC肖特基二极管的基本制作工艺及其电学参数 .采用电流 -电压法 (I～V) ,测试了肖特基二极管的理想因子n和肖特基势垒高度b.对其基本电学参数n和b 的温度特性进行了研究 .分析了串联电阻对I～V特性的影响 .
- 罗小蓉廖伟廖勇明洪根深龚敏
- 关键词：肖特基二极管宽禁带半导体
