邬瑞彬
- 作品数：4 被引量：12H指数：2
- 供职机构：四川大学物理科学与技术学院物理学系更多>>
- 相关领域：理学电子电信更多>>
- 利用红外反射光谱法研究6H-SiC表面的SiO_2特性被引量：6
- 2003年
- 通过干氧氧化的方法,在6H SiC表面生长一层SiO2层,接着置于N2气氛中经过不同的温度退火,使用红外显微仪分别测量退火前后的红外反射谱,通过观测表面氧化层SiO2的红外反射谱图中特征反射峰位(1090cm-1附近)的变化,以判断退火前后表面氧化层密度的变化情况,进一步推断氧化层的结构变化与杂质类型.
- 刘洪军王鸥邬瑞彬龚敏
- 关键词：6H-SICSIO2红外反射退火
- 通过改变费米能级钉扎效应制备6H-SiC欧姆接触的特性研究被引量：6
- 2002年
- 作者通过氧化、刻蚀和沸水处理的方法 ,在n型 6H SiC的C面上制备了线性较好的欧姆接触 .作者对C面和Si面的欧姆接触的退火特性进行了比较和研究 ;并对形成欧姆接触的物理机理进行了讨论 ,研究了这种欧姆接触在大密度电流下的特性 .
- 洪根深廖勇明廖伟丁元力邬瑞彬刘洪军龚敏
- 关键词：6H-SIC欧姆接触
- H_2表面处理形成Al/n型6H-SiC欧姆接触及其退化机制被引量：1
- 2003年
- 作者通过氢气表面热处理,获得了具有较好特性的Al/n 6H SiC欧姆接触.在这种H2处理后的SiC表面,可以直接通过蒸铝(Al)形成欧姆接触,而无须进行退火处理.该方法也适用于低掺杂外延层上的欧姆接触.XPS测试表明,这种欧姆接触是在400℃以上的退化时,由Al及6H SiC中的Si元素互扩散所致.
- 邬瑞彬候永洪根深龚敏
- 关键词：欧姆接触氢化互扩散
- n型6H-SiC金半接触及相关工艺研究
- 该文讨论了n型6H-SiC欧姆接触的制备工艺及其基本电学及热学特性,并在此基础上采用金属Au及Ni在n型6H-SiC硅面(0001晶向)上制备了具有一定特性的肖特基势垒二极管.通过氢气处理6H-SiC表面并镀铝后直接形成...
- 邬瑞彬
- 关键词：6H-SIC欧姆接触肖特基势垒二极管
- 文献传递
