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王丙义
作品数:
1
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供职机构:
中南工业大学应用物理与热能工程系
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发文基金:
国家重点实验室开放基金
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相关领域:
电子电信
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合作作者
蔡爱军
中南工业大学应用物理与热能工程...
张锦心
浙江大学材料科学与工程学系硅材...
谢书银
中南工业大学应用物理与热能工程...
李立本
浙江大学材料科学与工程学系硅材...
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王丙义
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中南工业大学...
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1998
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氧氮磷杂质对硅片高温形变的影响
1998年
通过模拟集成电路高温工艺的1200℃,1.5h后急冷热处理,研究了硅中氧、氮、磷3种杂质对硅片高温工艺过程中塑性形变的影响.实验结果表明,普通氩气氛下直拉单晶硅(ACZSi)高温弯曲度变化只是含氧很少的区熔硅(FZSi)的1/3左右.在含氮气氛下直拉硅(NCZSi)中,氮含量为4.5×1015cm-3的单晶尾部高温热处理弯曲度约是氮含量很小的单晶头部的1/3,重掺磷硅片热处理形变比普通硅片大得多.
谢书银
王丙义
蔡爱军
李立本
张锦心
关键词:
硅片
高温形变
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