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王丙义

作品数：1 被引量：0H指数：0
供职机构：中南工业大学应用物理与热能工程系更多>>
发文基金：国家重点实验室开放基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇氮磷
  • 1篇形变
  • 1篇杂质对
  • 1篇硅片
  • 1篇高温形变
  • 1篇氧

机构

  • 1篇浙江大学
  • 1篇中南工业大学

作者

  • 1篇李立本
  • 1篇谢书银
  • 1篇张锦心
  • 1篇蔡爱军
  • 1篇王丙义

传媒

  • 1篇中南工业大学...

年份

  • 1篇1998
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
氧氮磷杂质对硅片高温形变的影响
1998年
通过模拟集成电路高温工艺的１２００℃，１．５ｈ后急冷热处理，研究了硅中氧、氮、磷３种杂质对硅片高温工艺过程中塑性形变的影响．实验结果表明，普通氩气氛下直拉单晶硅（ＡＣＺＳｉ）高温弯曲度变化只是含氧很少的区熔硅（ＦＺＳｉ）的１／３左右．在含氮气氛下直拉硅（ＮＣＺＳｉ）中，氮含量为４．５×１０１５ｃｍ－３的单晶尾部高温热处理弯曲度约是氮含量很小的单晶头部的１／３，重掺磷硅片热处理形变比普通硅片大得多．
谢书银王丙义蔡爱军李立本张锦心
关键词：硅片高温形变
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共1页<1>
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