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蔡爱军
作品数:
2
被引量:2
H指数:1
供职机构:
中南工业大学应用物理与热能工程系
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发文基金:
国家重点实验室开放基金
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相关领域:
电子电信
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合作作者
张锦心
浙江大学材料科学与工程学系硅材...
谢书银
浙江大学材料科学与工程学系硅材...
李立本
浙江大学材料科学与工程学系硅材...
石志仪
浙江大学材料科学与工程学系硅材...
王丙义
中南工业大学应用物理与热能工程...
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2篇
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硅片
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氮磷
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杂质对
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高温形变
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氧
机构
2篇
浙江大学
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中南工业大学
作者
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李立本
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谢书银
2篇
张锦心
2篇
蔡爱军
1篇
石志仪
1篇
王丙义
传媒
2篇
中南工业大学...
年份
2篇
1998
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氧氮磷杂质对硅片高温形变的影响
1998年
通过模拟集成电路高温工艺的1200℃,1.5h后急冷热处理,研究了硅中氧、氮、磷3种杂质对硅片高温工艺过程中塑性形变的影响.实验结果表明,普通氩气氛下直拉单晶硅(ACZSi)高温弯曲度变化只是含氧很少的区熔硅(FZSi)的1/3左右.在含氮气氛下直拉硅(NCZSi)中,氮含量为4.5×1015cm-3的单晶尾部高温热处理弯曲度约是氮含量很小的单晶头部的1/3,重掺磷硅片热处理形变比普通硅片大得多.
谢书银
王丙义
蔡爱军
李立本
张锦心
关键词:
硅片
高温形变
硅片力学行为与表面损伤
被引量:2
1998年
研究了硅片力学行为与表面损伤的关系.结果表明,M20金刚砂研磨使硅片表面产生损伤和微小裂纹,研磨硅片在常温工艺中容易破碎,机械强度较低;在高温工艺中容易弯曲或翘曲,抗形变能力差.研磨后化腐30μm左右可使强度提高1倍多,达到材质固有强度,高温弯曲度变化降到磨片的1/4~1/3.研磨片表面7~8μm的微腐也可使强度提高到材质强度的70%~80%,弯曲度变化降到磨片的1/2~2/3.
谢书银
石志仪
蔡爱军
李立本
张锦心
关键词:
抗弯强度
硅片
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