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王香泉

作品数:2 被引量:0H指数:0
供职机构:机电部更多>>
相关领域:金属学及工艺更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇金属学及工艺

主题

  • 1篇电镜
  • 1篇断口分析
  • 1篇射电
  • 1篇透射电镜
  • 1篇金丝
  • 1篇键合
  • 1篇键合金丝
  • 1篇拔丝

机构

  • 1篇中国电子科技...
  • 1篇机电部

作者

  • 2篇齐芸馨
  • 2篇王利杰
  • 2篇丁丽
  • 2篇王香泉
  • 2篇姜春香

传媒

  • 1篇物理测试
  • 1篇兵器材料科学...

年份

  • 1篇1994
  • 1篇1993
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
键合金丝断口分析
1993年
用扫描电镜和X射线能谱仪分析研究了半导体器件键合用金丝的断口。结果表明,金丝正常断口呈圆锥状,其缺陷断口有:外环层状断口、裂口、气孔、异金属夹杂、非金属夹杂、偏心、菠萝状断口、无塑性平断口等。国产键合金丝生产中拔丝断头过多,主要是由于气体、夹杂和毛坯表面粗糙等造成的。合理调整成份,采取措施切实提高冶金质量(净化金液、降低含气量、提高铸坯和粗丝表面质量等),是提高国产金丝质量和性能的关键。
齐芸馨丁丽王香泉姜春香王利杰
关键词:金丝断口分析键合金丝拔丝
键合金线透射电镜样品制备方法
1994年
前 言 键合金丝是集成电路的内引线材料,其性能的优劣直接影响了集成电路的质量。研究这种材料的组织状态与性能的关系是使其生产、使用自动化的必要途径。然而,键合金线的直径通常在φ20~60μm之间,这使得透射电镜薄膜样品的制备非常困难。本文就此薄膜样品的制备进行了研究。
王利杰丁丽王香泉姜春香齐芸馨
共1页<1>
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