于凯
- 作品数：5 被引量：4H指数：1
- 供职机构：中国电子科技集团公司第四十六研究所更多>>
- 发文基金：中国人民解放军总装备部预研基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：自动化与计算机技术电子电信理学更多>>
- LEC法GaSb晶体生长数值模拟研究被引量：1
- 2016年
- 采用有限元模拟软件对液封直拉(LEC)法生长锑化镓晶体过程进行计算机建模。模拟分析了晶体旋转、坩埚旋转及隔热屏等因素对GaSb固-液界面形貌的影响。结果表明,晶体旋转与坩埚旋转分别具有促使凸向熔体的固-液界面曲率减小及增大的作用,且同等转速条件下,坩埚旋转对固-液界面形貌影响更大。此外,减小放肩角度、去除炉体上部的隔热屏等措施,均具有使凸向熔体的固-液界面曲率降低的作用。而使用液封剂使凸向熔体的固-液界面曲率增大。坩埚在加热器中存在某一位置,使熔体内部轴向梯度最大。炉膛内氩气流速最剧烈部位为保温罩与拉晶杆间的区域,Ar气对流导致上炉膛温度提高,并降低熔体表面温度约8℃。
- 李璐杰程红娟张颖武于凯
- 关键词：固-液界面隔热屏
- 碳化硅智能制造系统综述被引量：1
- 2021年
- 国内高纯半绝缘碳化硅单晶未能实现工程化的原因,在于生产效率和产品的一致性较差,因此提出了建立碳化硅智能制造平台这一解决途径,以提高晶体生产效率和产品的一致性为目标,以数据监控等为基础,建立基于模型的仿真方法,采用生长过程仿真分析、制造过程监控和工艺参数自适应控制,来提高碳化硅单晶生长过程的智能化控制水平,进而推进高纯半绝缘碳化硅单晶片的产业化进程。
- 于凯王利杰刘金鑫
- 关键词：碳化硅数据监控模拟仿真自适应控制
- LEC-GaSb单晶生长技术研究被引量：1
- 2016年
- 采用液封直拉(LEC)法进行了生长GaSb单晶的实验研究,对比了等摩尔比的(LiCl+KCl)和氧化硼(B2O3)两种液封剂作用下的生长控制效果。通过模拟了解了保温罩是如何改善系统温场的梯度,进而分析了温场对成晶的影响。对晶体单晶区域的测试结果给出了晶体内部的位错分布特点,X线衍射(XRD)的测试结果显示该区域的晶体质量较好。
- 于凯李璐杰程红娟张颖武
- 关键词：GASB晶体温场
- 碳化硅晶体生长的压力模糊PID控制研究被引量：1
- 2021年
- 针对碳化硅单晶生长过程中压力控制范围大,控制精度高的需求,改变了常规的PID控制,将模糊PID算法应用到碳化硅单晶生长的压力控制系统中,根据系统压力的测量值和目标值实时的修正控压仪表的PID3个控制参数,并由控压仪表的输出调节真空室和真空泵之间的蝶阀开启比例,保证碳化硅晶体生长中全程压力范围内的压力的精确控制,有助于提高碳化硅单晶的晶体质量。
- 于凯王利杰刘金鑫
- 关键词：碳化硅单晶生长模糊PID压力控制晶体质量
- 不同Te掺杂量对InSb晶体性能的影响被引量：1
- 2021年
- InSb原料因含受主杂质,制备出的InSb晶体通常呈P型特性,其迁移率低无法满足低温(77 K)时红外探测器需求。为了获得高迁移率特性,通过直拉法(Cz)生长了不同Te掺杂量的InSb∶Te晶体。利用霍尔测试仪测量晶体电学特性,结果表明,InSb∶Te晶体在77 K下的导电类型为N型。随着Te掺杂浓度从10^(16) cm^(-3)增加到1018 cm^(-3),电阻率从10^(-1)Ω·cm减小到10^(-4)Ω·cm,迁移率从103 cm^(2)·V^(-1)·s^(-1)增加到10^(4) cm^(2)·V^(-1)·s^(-1)。利用拉曼光谱仪、X射线衍射仪和傅里叶变换红外光谱仪对晶体的结晶质量和光学性能进行测试。结果表明,与非掺杂InSb晶体相比,Te掺杂使晶体半峰宽(FWHM)增大,透过率降低,带隙变宽,吸收截止波长向短波方向移动,Te掺杂会对拉曼峰强度产生影响。当Te掺杂浓度为6×10^(16) cm^(-3)时,获得最优的迁移率为6.95×10^(4) cm^(2)·V^(-1)·s^(-1),晶体半峰宽为0.51°,吸收截止波长为7.5μm。
- 马林杨瑞霞于凯王健王健
- 关键词：INSB迁移率带隙
