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李刚: 作品数：47 被引量：21H指数：2; 供职机构：中国建材国际工程集团有限公司更多>>; 发文基金：安徽省科技攻关计划更多>>; 相关领域：一般工业技术化学工程理学电子电信更多>>

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一种具有微结构的多层膜透明导电玻璃制备方法: 本发明公开一种具有微结构的多层膜透明导电玻璃制备方法，包括以下步骤：S1、在玻璃衬底表面室温下溅射生长下ZnO基薄膜；S2、采用线棒刮涂法，在下ZnO基薄膜表面制备单层离散分布的聚苯乙烯小球掩膜层；S3、采用射频磁控溅射...; 彭寿马立云姚婷婷李刚杨勇汤永康沈洪雪金克武王天齐彭赛奥甘治平; 文献传递

直流磁控溅射功率对溅射生长GZO薄膜光电性能的影响被引量：2: 2017年; 本文采用直流磁控溅射沉积系统在玻璃基底上沉积镓掺杂氧化锌(GZO)薄膜,将溅射功率从120W调整到240W,步长为30W,研究功率变化对GZO薄膜的晶体结构、表面形貌、光学性能和电学性能的影响。结果表明,溅射功率对GZO薄膜电阻率有显著的影响。溅射功率为210W时薄膜呈现最低电阻率为3.31×10^(-4)Ω·cm,可见光波段平均光学透光率接近84%。随着溅射功率的增加,薄膜表面形貌和生长形态发生较大变化,并直接得到具有一定凸凹不平的微结构,GZO薄膜的致密性先增加后降低。; 姚婷婷杨勇李刚仲召进张宽翔张宽翔蒋继文曹欣曹欣王芸王芸马立云; 关键词：溅射功率电学性能光学性能

一种薄膜太阳能电池用光伏背板玻璃的制备方法: 本发明公开一种薄膜太阳能电池用光伏背板玻璃的制备方法，包括以下步骤：选取高应变点玻璃作为玻璃基底，高应变点玻璃的应变点≥575℃、软化点≥800℃；通过磁控溅射，在玻璃基底顶面由下至上依次溅射生长80～120nm厚度的S...; 彭寿马立云姚婷婷李刚彭赛奥杨勇金克武王天齐沈洪雪杨扬甘治平; 文献传递

一种微纳粒子乳液滴加制备层数可控胶体晶体的方法: 本发明公开一种微纳粒子乳液滴加制备层数可控胶体晶体的方法，包括以下步骤：S1、确定所需制备胶体晶体的成膜面积S；S2、根据胶体晶体的成膜面积以及制备采用胶粒的直径，计算胶体晶体所需的胶粒小球数量及质量；S3、根据胶体晶体...; 彭寿汤永康甘治平姚婷婷苏文静马立云李刚; 文献传递

具有太阳能选择性吸收薄膜膜系的制备方法: 一种具有太阳能选择性吸收薄膜膜系的制备方法，包括如下步骤：(1)采用氢氟酸和TMAH混合后的复合溶液对金属基片进行喷淋(2)清洗金属基片，后用高压N<Sub>2</Sub>吹干；(3)采用磁控溅射技术在所述金属基片表面微...; 彭寿杨勇王芸徐根保李刚曹欣姚婷婷蒋继文张宽翔金克武; 文献传递

不同退火气氛对氮掺杂二氧化钛薄膜性能的影响: 利用射频磁控溅射技术,在室温下用TiO陶瓷靶在玻璃基底上制备N掺杂TiO薄膜。利用X射线衍射、扫描电子显微镜、X射线光电子能谱分析仪和紫外可见光分光光度计研究了不同退火气氛对薄膜的微观结构和光学性能的影响。实验结果表明:...; 杨勇姚婷婷李刚金克武王天齐沈洪雪杨扬彭赛奥甘治平马立云; 关键词：射频磁控溅射禁带宽度; 文献传递

一种低辐射镀膜玻璃: 本发明涉及一种低辐射镀膜玻璃，包括玻璃基板（1），自玻璃基板表面向外采用磁控溅射法依次沉积第一电介质层（2）、第一保护层（3）、低辐射功能膜层（4）、第二保护层（5）、第二电介质层（6）,其特征在于在第二电介质层上面制有...; 李刚彭塞奥沈洪雪金克武杨勇姚婷婷王天齐; 文献传递

W掺杂DLC薄膜的性能研究: 以高纯C、高纯金属钨为实验靶材,利用共溅射法制备了一系列W掺杂DLC薄膜。利用相关检测仪器分别对薄膜结晶质量、薄膜成分、电学性能等进行了表征。结果表明:薄膜质量较高,生长状态较好,W元素已经成功掺入到DLC薄膜中,而且有...; 沈洪雪李刚甘治平金克武杨勇姚婷婷; 关键词：类金刚石薄膜碳化钨; 文献传递

一种石墨烯电致变色玻璃的制备方法: 本发明公开一种石墨烯电致变色玻璃的制备方法，包括以下步骤：a、沿玻璃基板传输方向依次设置加热段、镀膜段与退火段；镀膜段内的玻璃传输辊道上方沿玻璃基板传输方向依次装配有石墨烯镀膜反应器与氧化钨镀膜反应器；b、玻璃基板在加热...; 金良茂汤永康甘治平李刚王东金克武彭赛奥; 文献传递

靶材刻蚀对磁控溅射制备ZnO:Al薄膜性能空间分布的影响: 2016年; 采用未经使用和经长时间使用后的新旧掺铝氧化锌(AZO)圆形平面陶瓷靶,直流磁控溅射制备AZO薄膜,基片分别正对靶材水平放置和立在屏蔽罩旁竖直放置,并通过X射线衍射仪、霍尔效应测试系统、光学椭偏仪等设备分析其结构和光电性能,系统地研究靶材刻蚀对磁控溅射制备AZO薄膜性能空间分布的影响。研究表明,氧负离子是造成靶材刻蚀导致薄膜性能空间差异的主要原因,对于水平放置径向分布的AZO薄膜,采用新靶制备时,靶材刻蚀位置处,氧负离子对薄膜损伤作用最大,(002)晶面间距增大,电学性能最差,而在正对靶中心及其他位置处电学性能较佳,随着靶材刻蚀的加深,氧负离子对正对靶中心位置处的薄膜损伤作用最大,结晶性能和电学性能最差;而对于竖直放置纵向分布的AZO薄膜,由于受氧负离子作用弱,采用新旧靶制备的薄膜性能分布规律相似,薄膜电学和结晶性能较水平放置均有所提升,某些位置处电阻率可达(7~8)×10^(-4)Ω·cm,但可见光透过率有所下降。; 彭寿张宽翔蒋继文杨勇姚婷婷曹欣李刚金克武徐根保王芸; 关键词：AZO薄膜氧负离子