公共文化服务平台

退火时间对SiC基GaN纳米薄膜场发射性能的影响: 采用脉冲激光沉积(PLD)方法在SiC基底上制备了系列相同厚度的GaN纳米薄膜,并将其进行不同时间的退火并对其进行了微结构表征及场发射性能测试分析,结果表明:退火时间对于GaN薄膜微结构及场发射性能具有显著的影响。随着退...; 陈程程王如志王波严辉; 关键词：SIC GAN 退火温度场发射; 文献传递

大型仪器设备实验教学与本科生、研究生创新能力培养的探索实践被引量：48: 2010年; 大型仪器设备是先进科学技术的代表,在科研工作中起着重要的作用,同时也是培养创新人才的重要途径。本文以实验教学中心的大型仪器设备教育实践为例,阐述了大型仪器设备在本科生、研究生创新能力培养中的实践教学模式、特点及成效。; 汤云晖王波李耳; 关键词：实验教学

叠片结构对铜抗热疲劳性能的影响研究: 2018年; 研究了一种多层铜箔构成的叠片式表面结构,与铜块体同时在10-5Pa真空下进行电子束热疲劳,电子束的功率密度28 MW/m^2,循环3000次。采用扫描电子显微镜(SEM)对热疲劳后的铜箔与铜块体的表面损伤进行了分析,结果表明,由于铜箔处于单轴应力状态,表面产生的热应力较小,导致表面裂纹较细较少,且多产生垂直于箔片方向的裂纹,难以扩展。结合SEM照片,利用计算机图片处理软件,对叠片结构的铜箔与铜块体表面裂纹损伤进行了定量分析。结果表明,叠片结构的铜箔表面的裂纹密度和宽度均远小于铜块体,表现出更好的抗热疲劳开裂性能。而且,铜箔的厚度越小其抗热疲劳开裂性能越优异。该思路将为解决面向等离子体、非晶甩带冷却辊等材料的热疲劳问题提供有益参考。; 李曙丹王波刘云辉齐艳飞李萌马玉田; 关键词：热疲劳

Y_2O_3:Bi,Yb减反转光薄膜制备及其性能研究: 采用脉冲激光沉积(PLD)方法在湿法腐蚀后的Si(100)衬底上成功制备出了Y_2O_3:Bi,Yb减反转光薄膜。所制备的薄膜在300-800nm可见光波长范围内的平均反射率普遍低于12%,相较裸硅的平均反射率47.8%...; 林捷王如志盖红王波严辉; 关键词：晶体硅太阳能电池 BI; 文献传递

氧气氛退火对磁控溅射Ta_2O_5薄膜结构、表面形貌及电学性能的影响被引量：4: 2007年; 本文采用磁控溅射在Si基体上制备Ta2O5薄膜,研究了退火前、500℃氧气氛退火半小时之后、800℃氧气氛退火半小时之后的Ta2O5薄膜的结构、表面形貌及电学性能.退火前和500℃退火的薄膜均为非晶薄膜,但500℃退火之后能使非晶薄膜结构更加致密,表面更加平整,并且给薄膜进行了补氧,提高了薄膜的绝缘性能.800℃退火之后的薄膜出现了结晶颗粒,晶界引起了大的漏电流,使薄膜的绝缘性能下降.; 马志伟米仪琳张铭王波严辉; 关键词：磁控溅射 TA2O5 表面形貌电学性能

稳定超亲水铝表面的制备被引量：1: 2011年; 铝是制造空调翅片的主要原料,亲水铝箔对于提高空调的散热性具有重要意义。通过铝箔与六次甲基四胺(C6H12N4)溶液的反应制备出了超亲水的铝表面。试验过程中主要考察了铝箔与C6H12N4溶液胺反应后,不同烘干温度对表面生成物及接触角(CA)的影响,经测试当烘干温度在60～300℃范围内表面生成了球状的Al(OH)3沉淀,当烘干温度达到400℃时表面生成的Al(OH)3发生了脱水反应从而生成了具有六方结构的ε-Al2O3。对不同温度烘干后的铝箔进行接触角测试,发现铝箔与水的初始接触角都达到了0°,并对接触角的稳定性进行了测量,1个月后不同温度烘干的样品接触角仍能保持0°。; 王立会王波裴明德; 关键词：超亲水接触角 AL(OH)3

新型化学汽相沉积技术Cat-CVD的发展趋势: Catalytic CVD(简称Cat-CVD)是一种不同于传统化学汽相沉积(CVD)技术的薄膜制备方法,由于具有简便低廉的特点,逐步受到人们重视.此项技术在Si系材料的制备方面已有较大进展,更表现出与其它技术结合的发展...; 严辉王波汪浩宋雪梅王玫李建超赵谦; 关键词：CAT-CVD SIC薄膜; 文献传递

ZnO薄膜p型掺杂的研究进展被引量：6: 2007年; ZnO薄膜作为一种多功能半导体材料,近年来一直受到广泛关注。然而,如何制备高质量的p型ZnO薄膜是实现其实用化的关键。概括了p型掺杂困难的原因,并指出Ⅲ-Ⅴ族元素共掺杂可能是p型掺杂的最好方法。简单回顾了ZnO薄膜p型掺杂的研究现状,并对今后的发展趋势进行了展望。; 李驰平张铭宋雪梅王波李彤严辉; 关键词：ZNO薄膜 P型掺杂

不同过渡层和电场方向对碳纳米管或纤维生长的影响: 2003年; 利用等离子体增强化学气相沉积系统沉积了碳纳米管或纤维,并用扫描电子显微镜研究了它们的生长和结构.为避免碳纳米管或纤维在生长过程中从衬底Si表面上脱落,先在Si表面上溅射沉积了金属过渡层Ti或Ta,然后再沉积催化剂NiFe.结果发现Ti和Ta过渡层对碳纳米管或纤维的结构有很大的影响.另外,还发现衬底Si放在支架的不同位置,碳纳米管或纤维的生长方向不同,这可能是由于辉光放电产生的非均匀电场所致.对不同过渡层和电场方向对碳纳米管或纤维生长的影响进行了分析和讨论.; 张兵王必本郑坤侯碧辉王国菊王波朱满康严辉; 关键词：过渡层碳纳米管辉光放电

四方结构GaN纳米线制备、掺杂调控及其场发射性能研究被引量：1: 2020年; 作为最重要的第三代半导体材料之一,纳米氮化镓(Ga N)也引起了人们的广泛关注与重视.本文采用微波等离子体化学气相沉积(microwave plasma chemical vapor deposition, MPCVD)系统,成功地制备出了四方截面的Ga N纳米线,其纳米线半径为300-500 nm,长度为15-20μm.研究发现,通过调控掺杂Mg的比例,可以实现其截面结构从三方向四方转变.通过进一步地研究Mg掺杂调控其截面结构的物理机制,提出其三方-四方截面结构的转变应该来源于其纳米线的气-液-固(VLS)生长向自催化气-固(VS)生长模式的转变.对所制备的纳米线进行了光致发光(photoluminescence, PL)光谱分析,结果表明四方结构Mg掺杂Ga N纳米线发光峰红移至386 nm.采用所制备的纳米线进行了场发射性能研究,结果表明四方结构Mg掺杂Ga N纳米线开启电场为5.2 V/μm,并能保持较高电流密度,相较于三方结构未掺杂Ga N纳米线场发射性能有一定提高,进而分析掺杂以及形貌结构对Ga N纳米线场发射的影响机制.研究结果不仅给出了一种四方结构Ga N纳米线的制备方法,同时也为纳米线结构调控提出了新的思路与方法,将为新型纳米线器件设计与制作提供了新的技术手段.; 杨孟骐姬宇航梁琦王长昊张跃飞张铭王波王如志; 关键词：掺杂场发射

渝B2-20050021-1　渝公网安备 50019002500403号　违法和不良信息举报中心　互联网出版许可证　新出网证(渝)字10号

王波