周仁伟
- 作品数：8 被引量：2H指数：1
- 供职机构：中国科学院上海硅酸盐研究所更多>>
- 发文基金：中国科学院知识创新工程重要方向项目国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术化学工程更多>>
- 碳硅比对近正角4H-SiC同质外延薄膜结晶质量和表面形貌的影响
- 本文以近正角4H-SiC(0001)面为衬底，利用水平式常压冷壁化学气相沉积(APCVD)系统在不同碳硅比下外延生长了4H-SiC薄膜.研究发现，碳硅比对外延层薄膜的结晶质量和表面形貌有显著的影响，当碳硅比小于2.5时，...
- 周仁伟刘学超郭慧君施尔畏
- 关键词：4H-SIC表面形貌
- 碳化温度对异质外延3C-SiC 薄膜结晶质量及表面形貌的影响
- -SiC 优异的物理和化学性能使其在高温、高频、高压、大功率等领域具有广泛的应用前景[1].由于生长3C-SiC 体单晶较为困难,目前主要采用化学气相沉积法(CVD)在硅(Si)衬底上异质外延3C-SiC.在外延3C-S...
- 石彪刘学超周仁伟杨建华施尔畏
- 一种SiC基稀磁半导体薄膜及其制备方法
- 本发明涉及一种SiC基稀磁半导体薄膜及其制备方法，所述方法以一定剂量的碳粒子<Sup>12</Sup>C<Sup>+</Sup>对SiC薄膜材料进行辐照，即制得SiC基稀磁半导体薄膜。通过本发明的方法处理后的SiC薄膜，...
- 周仁伟刘学超郑燕青施尔畏
- 文献传递
- 碳化温度对异质外延3C-SiC薄膜结晶质量及表面形貌的影响被引量：2
- 2013年
- 本文以Si(100)为衬底,利用水平式常压冷壁化学气相沉积(APCVD)系统在不同温度(1100～1250℃)下制备的"缓冲层"上生长了3C-SiC薄膜。结果表明,薄膜为外延生长的单一3C-SiC多型,薄膜表面呈现"镶嵌"结构特征,Si/3C-SiC界面平整无孔洞。碳化温度对薄膜的结晶质量和表面粗糙度有显著的影响,当碳化温度低于或高于1200℃时,薄膜的结晶质量有所降低,且随着碳化温度的升高,薄膜表面粗糙度呈现增大的趋势。当在1200℃下制备的"缓冲层"上生长薄膜时,可以获得最优质量的3C-SiC外延膜,其(200)晶面摇摆曲线半峰宽约为0.34°,表面粗糙度约为5.2 nm。
- 石彪刘学超周仁伟杨建华郑燕青施尔畏
- 关键词：3C-SIC碳化缓冲层
- SiC同质外延薄膜中Ehrlich-Schwoebel势垒的计算
- 台阶位置和平面位置原子构型的区别,在台阶位置存在额外的势垒,即Ehrlich-Schwoebel(ES)势垒。ES势垒对外延薄膜生长质量有重要影响,不仅增加薄膜的表面粗糙度和降低薄膜的最大生长速率,还会影响生长过程中台阶...
- 郭慧君黄维刘熙卓世异周仁伟郑燕青施尔畏
- 关键词：4H-SIC分子动力学模拟
- 文献传递
- SiC同质外延薄膜中Ehrlich-Schwoebel势垒的计算
- 台阶位置和平面位置原子构型的区别，在台阶位置存在额外的势垒，即Ehrlich-Schwoebel(ES)势垒.ES势垒对外延薄膜生长质量有重要影响，不仅增加薄膜的表面粗糙度和降低薄膜的最大生长速率，还会影响生长过程中台阶...
- 郭慧君黄维刘熙卓世异周仁伟郑燕青施尔畏
- 关键词：4H-SIC分子动力学模拟
- 一种SiC基稀磁半导体薄膜及其制备方法
- 本发明涉及一种SiC基稀磁半导体薄膜及其制备方法，所述方法以一定剂量的碳粒子<Sup>12</Sup>C<Sup>+</Sup>对SiC薄膜材料进行辐照，即制得SiC基稀磁半导体薄膜。通过本发明的方法处理后的SiC薄膜，...
- 周仁伟刘学超郑燕青施尔畏
- 文献传递
- 碳硅比对近正角4H-SiC同质外延薄膜结晶质量和表面形貌的影响
- 本文以近正角4H-SiC(0001)面为衬底,利用水平式常压冷壁化学气相沉积(APCVD)系统在不同碳硅比下外延生长了4H-SiC薄膜。研究发现,碳硅比对外延层薄膜的结晶质量和表面形貌有显著的影响,当碳硅比小于2.5时,...
- 周仁伟刘学超郭慧君施尔畏
- 关键词：4H-SIC表面形貌
- 文献传递
