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胡庆平

作品数：3 被引量：0H指数：0
供职机构：武汉纺织大学更多>>
相关领域：理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 2篇理学

主题

  • 2篇电磁
  • 2篇电磁场
  • 2篇电磁场理论
  • 2篇定标
  • 2篇梯度磁场
  • 2篇微小形变
  • 2篇均匀梯度磁场
  • 2篇霍尔元件
  • 2篇亥姆霍兹
  • 2篇亥姆霍兹线圈
  • 2篇磁场
  • 1篇电子结构
  • 1篇岩相
  • 1篇岩盐
  • 1篇子结构
  • 1篇结构和光学性...
  • 1篇光学
  • 1篇光学性
  • 1篇光学性质
  • 1篇INN

机构

  • 3篇武汉纺织大学
  • 1篇四川师范大学
  • 1篇西南民族大学

作者

  • 3篇许明耀
  • 3篇胡庆平
  • 2篇陆振帮
  • 1篇徐明
  • 1篇段满益

传媒

  • 1篇Chines...

年份

  • 1篇2024
  • 1篇2022
  • 1篇2010
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
基于反亥姆霍兹线圈测量微小形变的方法
本发明公开了一种基于反亥姆霍兹线圈测量微小形变的方法，包括以下具体操作步骤：S1：制作均匀梯度磁场，使用两块相同的磁铁(磁铁截面积及表面磁感应强度相同)相对放置，即N极与N极相对(S极与S极相对)，两磁铁之间留一等间距间...
曾中良许明耀陆振帮胡庆平
文献传递
压力对岩盐相InN电子结构和光学性质的影响
2010年
用基于密度泛函理论的第一性原理结合广义梯度近似研究了高压下盐岩相InN的电子结构和光学性质．计算得到的晶格常数与实验值非常吻合，并发现Г和X的带隙随压力增加而增大，而带隙存L点却并不明显．计算出Г点的带隙的压力系数是44meV／GPa．讨论计算得到的InN的光学性质，结合能带结构和电子态密度．
许明耀徐明段满益胡庆平
关键词：电子结构光学性质
基于反亥姆霍兹线圈测量微小形变的方法
本发明公开了一种基于反亥姆霍兹线圈测量微小形变的方法，包括以下具体操作步骤：S1：制作均匀梯度磁场，使用两块相同的磁铁(磁铁截面积及表面磁感应强度相同)相对放置，即N极与N极相对(S极与S极相对)，两磁铁之间留一等间距间...
曾中良许明耀陆振帮胡庆平
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