樊继斌
- 作品数：22 被引量：7H指数：2
- 供职机构：长安大学材料科学与工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中央高校基本科研业务费专项资金中国博士后科学基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术文化科学理学化学工程更多>>
- 一种柔性薄膜型PEDOT‑ZnO紫外光探测器及其制备方法
- 本发明涉及一种柔性薄膜型PEDOT‑ZnO紫外光探测器及其制备方法，该紫外光探测器为光电导型紫外光探测器，包括柔性光敏薄膜和在薄膜上的电极；具体的,所述的柔性光敏薄膜为旋涂在透明柔性塑料膜上的PEDOT‑ZnO薄膜，按质...
- 段理樊继斌程晓姣于晓晨田野何风妮
- 文献传递
- 一种用于声表面波振荡器输出信号的信号调理电路
- 本实用新型公开了一种声表面波振荡器输出信号的信号调理电路，包括LC无源低通滤波模块、整形模块和分频模块，其中，LC无源低通滤波模块的输出端连接整形模块的输入端，整形模块的输出端连接分频模块的输入端。本实用新型选用LC无源...
- 文常保党双欢李演明全思杜凯樊继斌杨小军巨永锋
- 文献传递
- 一种ZnO/PVK‑TFB杂化LED及其制备方法
- 本发明涉及一种ZnO/PVK‑TFB杂化LED及其制备方法，该方法包括两个利用石墨烯的环节，分别是以氮掺杂的石墨烯作为功能层，和以氮掺杂的石墨烯作为填充物；具体的，以氮掺杂的石墨烯作为功能层，是指将氮掺杂的石墨烯悬浊液旋...
- 段理樊继斌于晓晨田野程晓姣何凤妮
- 文献传递
- 《半导体材料及器件》教学改革与实践被引量：4
- 2017年
- 为满足我国战略新产业人才培养的需求,培养更符合发展需要的应用型人才和研究型人才,我校材料与科学工程学院能源与电子材料方向在本科培养方案中开设了《半导体材料及器件》课程,该课程以提高大学生理论与应用相结合的能力为目标,包括半导体材料、光电子器件和微电子器件的内容。结合教学实践情况,通过对本课程开设的目的和意义、教学内容建设、教师队伍配置、教学方法的思考和实践,旨在提高学生学习的热情与主动性,激发学生学习本课程的兴趣,使学生充分理解光电子器件与微电子器件的理论和原理,从而提高教学质量。
- 段理张亚辉樊继斌于晓晨张研程晓姣何风妮
- 关键词：半导体材料教学
- AlAs/InSe范德华异质结构的光学和可调谐电子特性
- 2022年
- 由不同二维(2D)材料相互堆叠形成异质结构已成为目前的研究热点,使用第一性原理的计算方法探究了AlAs/In Se异质结构的几何结构、电子性能和光学性质.结果表明,AlAs/InSe异质结构具有典型的Type-Ⅱ型能带排列并且拥有着1.28eV的间接带隙.通过调节层间距或施加外部电场和应变,可以有效地改变异质结构的带隙值.有趣的是,当应用5 V/nm的电场时,异质结构实现了从Type-Ⅱ向Type-Ⅰ的转变.此外,与孤立单层相比,AlAs/InSe异质结构的吸光度明显提高,特别是在紫外区域.表明新型的二维AlAs/In Se异质结可以作为光电材料和紫外探测器件的有力候选者.
- 郭瑞魏星曹末云张研杨云樊继斌刘剑田野赵泽坤段理
- 关键词：第一性原理计算
- 一种强红光发射的ZnO材料的制备方法
- 本发明涉及一种强红光发射的ZnO材料的制备方法，该ZnO材料生长在玻璃基片上，并进行了铜掺杂，其中ZnO和Cu的摩尔比例50:1，制备所述的ZnO材料的方法，包括配置混合前驱溶液，通过前驱溶液微波合成ZnO材料，再对Zn...
- 段理樊继斌于晓晨田野何凤妮程晓姣
- 一种用于逻辑分析仪与FPGA系统的测试接口装置
- 本实用新型公开了一种用于逻辑分析仪与FPGA系统的测试接口装置，包括电路板或电路板区域，电路板或电路板区域上制作有一组输入信号接口槽位、两组单端信号转差分功能电路模块、两组输出信号接口槽位；电路板或电路板区域上，从输入信...
- 文常保雪程飞李演明全思杜凯樊继斌杨小军巨永锋
- 文献传递
- 一种Zn<Sub>x</Sub>Ag<Sub>（1-x）</Sub>N<Sub>y</Sub>O<Sub>（1-y）</Sub>纳米阵列/Ag肖特基结及其制备方法
- 本发明公开了一种Zn<Sub>x</Sub>Ag<Sub>(1-x)</Sub>N<Sub>y</Sub>O<Sub>(1-y)</Sub>纳米阵列/Ag肖特基结及其制备方法,肖特基结包括半导体部分和金属部分，所述的半导...
- 段理于晓晨樊继斌王佩韦丰张亚辉
- 文献传递
- 具有可调谐电子性能的AlAs/CdS异质结的第一性原理计算
- 2022年
- 本文采用基于密度泛函理论(Density Functional Theory, DFT)的第一性原理计算了AlAs/CdS异质结的几何结构、电子和光学性质.结果显示, AlAs/CdS异质结是具有0.688 eV直接带隙的Ⅱ型范德华(vdW)异质结,这有利于促进光生电子-空穴对的有效分离.当给异质结施加电场和应变时,异质结的带隙均可以调控为零,成功实现半导体到金属的转变,同时还伴随直接带隙-间接带隙的改变.更有趣的是,与两个单层相比, AlAs/CdS异质结的光吸收系数更高,吸收范围更加宽泛.上述特性表明AlAs/CdS异质结在光电探测器等光电子器件领域具有极大潜力.
- 赵佳恒栾丽君陈晶亮张研杨云魏星樊继斌刘剑田野段理
- 关键词：第一性原理外加电场
- 一步溶剂热法合成高催化性能的Gd^3+掺杂氧化锌纳米晶体被引量：3
- 2020年
- 近年来,ZnO作为性能优异的光催化剂受到广大研究者的密切关注。它是一种宽带隙半导体,禁带宽度为3.37 eV,具有良好的稳定性。但也不可避免地存在一些不足,如光生电子空穴复合率太高、光能利用率太低等。为进一步提高ZnO的光催化降解活性,研究者们对其进行了一系列改性。其中,掺杂是一种行之有效的方法,它可以通过调控ZnO禁带宽度、晶体结构和缺陷利用,进而提高光催化性能。本工作采用具有特殊电子结构的稀土离子钆(Gd)作为掺杂剂,研究了其对ZnO晶体结构、形貌及光催化性能的影响。通过一步溶剂热法合成了纯氧化锌(ZnO)和不同Gd^3+掺杂浓度的ZnO纳米颗粒。采用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、比表面积分析、傅里叶变换红外(FT-IR)光谱、紫外-可见(UV-vis)吸收光谱和光致发光(PL)光谱等手段对所得样品进行了表征。光催化降解实验以20 mg/L罗丹明B为模拟污染物,在300 W氙灯光源下进行。同时也分析了Gd^3+掺杂氧化锌纳米颗粒的光催化机理。实验结果显示,稀土Gd掺杂后ZnO晶体结构没有发生改变,仍为六方纤锌矿结构。在Gd^3+浓度较低时,Gd^3+进入ZnO晶格,取代部分Zn 2+或进入间隙位置;但是当Gd^3+浓度达到3 mol%时,检测到了少量Gd 2O 3的衍射峰,可能的原因是两种离子的半径和化合价存在差异,ZnO晶格难以容纳较多的Gd^3+。同时,Gd离子掺杂引起ZnO衍射峰位置向低角度偏移,晶胞参数发生变化,这也进一步证实Gd^3+进入到了ZnO晶格中。观察样品的形貌发现,Gd离子掺杂对ZnO纳米颗粒的生长有较强的抑制作用,使得晶粒尺寸相比纯ZnO有较明显的减小,这主要是由于稀土离子掺杂后会在ZnO表面形成Re-O键,抑制ZnO的生长,通过XRD结果计算也可得出同样的晶粒尺寸变化趋势。比表面积测试发现掺杂Gd离子后ZnO的比表面积显著提高,暗示着更多的反应活性位点和更强的吸附污
- 于晓晨党快乐宋泽钰李华健曹欣吴俊樊继斌段理赵鹏
- 关键词：溶剂热法罗丹明B
