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段理

作品数:49 被引量:28H指数:3
供职机构:长安大学材料科学与工程学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金中央高校基本科研业务费专项资金陕西省自然科学基金更多>>
相关领域:一般工业技术理学电子电信化学工程更多>>

文献类型

  • 24篇专利
  • 19篇期刊文章
  • 5篇会议论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 13篇一般工业技术
  • 7篇理学
  • 4篇电子电信
  • 3篇化学工程
  • 3篇电气工程
  • 2篇建筑科学
  • 2篇交通运输工程
  • 2篇文化科学
  • 1篇金属学及工艺

主题

  • 16篇掺杂
  • 8篇发光
  • 7篇纳米
  • 7篇ZNO
  • 6篇石墨
  • 5篇稀土
  • 5篇激光防伪
  • 5篇防伪
  • 4篇氮掺杂
  • 4篇第一性原理
  • 4篇氧化锌
  • 4篇异质结
  • 4篇原料价格
  • 4篇照明
  • 4篇石墨烯
  • 4篇酸盐
  • 4篇探测器
  • 4篇稀土掺杂
  • 4篇白光
  • 3篇电特性

机构

  • 49篇长安大学
  • 4篇中国科学院
  • 3篇山东大学
  • 1篇宁波工程学院

作者

  • 49篇段理
  • 29篇于晓晨
  • 18篇樊继斌
  • 12篇蒋自强
  • 11篇程晓姣
  • 10篇田野
  • 7篇赵鹏
  • 6篇张丹丹
  • 6篇倪磊
  • 5篇李哲
  • 5篇张研
  • 4篇郭婷婷
  • 4篇杨云
  • 4篇栾丽君
  • 3篇刘剑
  • 3篇田野
  • 3篇樊小勇
  • 3篇张亚辉
  • 2篇夏慧芸
  • 2篇陈永楠

传媒

  • 7篇材料导报
  • 2篇教育教学论坛
  • 1篇化工新型材料
  • 1篇稀有金属材料...
  • 1篇科学通报
  • 1篇金属热处理
  • 1篇化学学报
  • 1篇原子与分子物...
  • 1篇电子元件与材...
  • 1篇西安石油大学...
  • 1篇地下空间与工...
  • 1篇中国科学:物...
  • 1篇2018年中...

年份

  • 4篇2023
  • 3篇2022
  • 1篇2021
  • 4篇2020
  • 5篇2019
  • 9篇2018
  • 10篇2017
  • 5篇2016
  • 2篇2015
  • 1篇2014
  • 2篇2012
  • 1篇2011
  • 2篇2010
49 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种近紫外光激发的白光LED用蓝光荧光粉及其制备方法
本发明提供了一种近紫外光激发的白光LED用蓝光荧光粉及其制备方法,所述的蓝光荧光粉的化学式为Ca<Sub>4‑x</Sub>ZrGe<Sub>3</Sub>O<Sub>12</Sub>:xBi<Sup>3+</Sup>;...
蒋自强孙志华于晓晨段理闵一桐黄慈航吕婉毓
文献传递
一种柔性薄膜型PEDOT‑ZnO紫外光探测器及其制备方法
本发明涉及一种柔性薄膜型PEDOT‑ZnO紫外光探测器及其制备方法,该紫外光探测器为光电导型紫外光探测器,包括柔性光敏薄膜和在薄膜上的电极;具体的,所述的柔性光敏薄膜为旋涂在透明柔性塑料膜上的PEDOT‑ZnO薄膜,按质...
段理樊继斌程晓姣于晓晨田野何风妮
文献传递
一种含PMOT:PPV/ZnO:Cu/ZnO:Al异质结的LED及其制备方法
本发明公开了一种含PMOT:PPV/ZnO:Cu/ZnO:Al异质结的LED的制备方法,其特征在于,包括在ITO衬底上生长ZnO:Cu/ZnO:Al异质结,将PMOT和PPV的混合溶液旋涂于ZnO:Cu/ZnO:Al异质...
段理魏星郭婷婷王昭
文献传递
一种ZnO/PVK‑TFB杂化LED及其制备方法
本发明涉及一种ZnO/PVK‑TFB杂化LED及其制备方法,该方法包括两个利用石墨烯的环节,分别是以氮掺杂的石墨烯作为功能层,和以氮掺杂的石墨烯作为填充物;具体的,以氮掺杂的石墨烯作为功能层,是指将氮掺杂的石墨烯悬浊液旋...
段理樊继斌于晓晨田野程晓姣何凤妮
文献传递
微孔二氧化钛光催化陶瓷的制备及力学性能研究
TiO2及TiO2复合薄膜在紫外光作用下可以实现有机物的光催化降解,在污染治理、室内空气净化、自清洁涂层等方面有着广阔的应用前景.针对目前应用过程中材料失效的问题,采用浸渍工艺制备了微孔TiO2陶瓷,研究了制备工艺对其力...
陈永楠付鑫唐飞翔段理
关键词:二氧化钛多孔陶瓷机械性能
Ⅱ型C_(2)N/ZnO异质结水分解光催化剂的第一性原理研究
2023年
基于单层C_(2)N和ZnO,构建了一种新型2D范德华(vdW)异质结。在第一性原理下进行密度泛函理论计算,系统地研究了C_(2)N/ZnO异质结的光催化应用。结果表明,C_(2)N/ZnO异质结具有1.68 eV的直接带隙,其Ⅱ型带对准可以促使光生电子和空穴分离在不同层上。由Mulliken电荷布局分析可知,C_(2)N层有0.53个电子转移到ZnO层,在异质结界面处形成了一个较强的内建电场E int,抑制了光生电子空穴对的复合。此外,C_(2)N/ZnO异质结的带边位置跨过了pH=2~7时的水氧化还原电位,同时拉伸应变可以增大其光催化水分解pH范围。特别地,C_(2)N/ZnO异质结保留了高载流子迁移率和优异的光吸收性能,太阳能-氢能(STH)转换效率可达到24.6%。因此,C_(2)N/ZnO异质结是一种具有应用前景的水分解光催化剂。
陈晶亮栾丽君张茹张研杨云刘剑田野魏星樊继斌段理
关键词:第一性原理光催化
CaCu_3Ti_4O_(12)/P(VDF-TrFE)复合材料的制备和介电性能研究被引量:1
2018年
采用固相法制备了微米级CaCu_3Ti_4O_(12)(CCTO)粉体,将CCTO粉体作为填料与P(VDF-TrFE)(摩尔比为70/30)共聚物进行热压复合,主要研究了热压温度和CCTO填料含量对CCTO/P(VDF-TrFE)复合材料的微结构和介电性能的影响。CCTO/P(VDF-TrFE)复合材料中CCTO粉体较均匀地分散于P(VDF-TrFE)共聚物中,形成0-3型复合。随着热压温度的升高,P(VDF-TrFE)基体对CCTO陶瓷颗粒的包覆性增强,结合更紧密。随着CCTO体积分数的增加,CCTO/P(VDF-TrFE)复合材料的介电常数和介电损耗都有所增大,主要分别源于界面极化和填料自身较高的介电损耗。随着热压温度的升高,CCTO添料与P(VDFTrFE)共聚物结合更紧密,界面缺陷减少,复合材料的介电常数逐渐增大。而其介电损耗在一定的频率范围内随热压温度的升高变化不大。当CCTO体积分数为50%、热压温度为140℃时,CCTO/P(VDF-TrFE)复合材料介电性能最优。不同的复合材料介电理论模型对比表明,Yamada模型与实验数值重合度最高,可有效地预测CCTO/P(VDF-TrFE)复合材料的介电增强现象。
任新苗倪磊段理苏媛
关键词:介电性能热压温度
稀土CeO_(2)改性Ni60/50%WC涂层的制备及性能被引量:3
2021年
通过添加稀土CeO_(2)对Ni60/50%WC涂层进行改性,制备了不同CeO_(2)含量的涂层,研究了CeO_(2)含量对涂层表面裂纹的影响。结果表明,随着CeO_(2)含量的增大,涂层的表面裂纹先逐渐减少,后又逐渐增多,在添加1%CeO_(2)时,Ni60/50%WC涂层无裂纹,且涂层组织均匀且致密,WC粒子圆润,其物相含有γ-(Fe,Ni)、M_(23)C_(6)、M_(7)C_(3)、Fe_(3)W_(3)C、Ni_(4)W、W_(2)C、CeNi_(5)和CeNi_(2)等。与未添加CeO_(2)的涂层相比,在添加1%CeO_(2)后涂层的硬度提高了11.88%,磨损率降低了26%。
张蕾涛段理刘德鑫张伟樯王雪松戴娇燕徐金富
关键词:激光熔覆稀土改性WC
磁控溅射制备银掺杂ZnO薄膜结构及光电性质研究
2010年
利用磁控溅射法在玻璃衬底上制备了银掺杂ZnO薄膜,通过改变制备条件生长了一系列样品,样品退火后呈现p型导电特性。测量了样品的结构特性、光学性质和电学性质,实验表明薄膜厚度与淀积时间、溅射功率分别呈近似线性关系;薄膜晶体质量随溅射功率、背景气压的增加而降低;退火过程是银元素形成受主的重要环节,且退火能有效提高薄膜晶体质量,改善薄膜的光学性质和电学性质。分析了这些影响的机理和来源。
段理樊小勇于晓晨倪磊
关键词:溅射银掺杂P型ZNO薄膜光电性能
一步溶剂热法合成高催化性能的Gd^3+掺杂氧化锌纳米晶体被引量:3
2020年
近年来,ZnO作为性能优异的光催化剂受到广大研究者的密切关注。它是一种宽带隙半导体,禁带宽度为3.37 eV,具有良好的稳定性。但也不可避免地存在一些不足,如光生电子空穴复合率太高、光能利用率太低等。为进一步提高ZnO的光催化降解活性,研究者们对其进行了一系列改性。其中,掺杂是一种行之有效的方法,它可以通过调控ZnO禁带宽度、晶体结构和缺陷利用,进而提高光催化性能。本工作采用具有特殊电子结构的稀土离子钆(Gd)作为掺杂剂,研究了其对ZnO晶体结构、形貌及光催化性能的影响。通过一步溶剂热法合成了纯氧化锌(ZnO)和不同Gd^3+掺杂浓度的ZnO纳米颗粒。采用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、比表面积分析、傅里叶变换红外(FT-IR)光谱、紫外-可见(UV-vis)吸收光谱和光致发光(PL)光谱等手段对所得样品进行了表征。光催化降解实验以20 mg/L罗丹明B为模拟污染物,在300 W氙灯光源下进行。同时也分析了Gd^3+掺杂氧化锌纳米颗粒的光催化机理。实验结果显示,稀土Gd掺杂后ZnO晶体结构没有发生改变,仍为六方纤锌矿结构。在Gd^3+浓度较低时,Gd^3+进入ZnO晶格,取代部分Zn 2+或进入间隙位置;但是当Gd^3+浓度达到3 mol%时,检测到了少量Gd 2O 3的衍射峰,可能的原因是两种离子的半径和化合价存在差异,ZnO晶格难以容纳较多的Gd^3+。同时,Gd离子掺杂引起ZnO衍射峰位置向低角度偏移,晶胞参数发生变化,这也进一步证实Gd^3+进入到了ZnO晶格中。观察样品的形貌发现,Gd离子掺杂对ZnO纳米颗粒的生长有较强的抑制作用,使得晶粒尺寸相比纯ZnO有较明显的减小,这主要是由于稀土离子掺杂后会在ZnO表面形成Re-O键,抑制ZnO的生长,通过XRD结果计算也可得出同样的晶粒尺寸变化趋势。比表面积测试发现掺杂Gd离子后ZnO的比表面积显著提高,暗示着更多的反应活性位点和更强的吸附污
于晓晨党快乐宋泽钰李华健曹欣吴俊樊继斌段理赵鹏
关键词:溶剂热法罗丹明B
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