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贺立

作品数：16 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
发文基金：中国科学院战略性先导科技专项更多>>
相关领域：电子电信理学文化科学更多>>

合作作者

文献类型

  • 12篇专利
  • 2篇期刊文章
  • 2篇会议论文

领域

  • 4篇电子电信
  • 3篇理学
  • 1篇文化科学

主题

  • 10篇石墨
  • 9篇石墨烯
  • 6篇纳米
  • 6篇纳米带
  • 5篇衬底
  • 4篇石墨烯纳米带
  • 4篇图形化
  • 3篇氮化
  • 3篇氮化硼
  • 3篇异质结
  • 3篇迁移率
  • 3篇接触电极
  • 3篇铌
  • 2篇形貌
  • 2篇形貌可控
  • 2篇异质结器件
  • 2篇原位生长
  • 2篇载流子
  • 2篇载流子迁移率
  • 2篇退火

机构

  • 16篇中国科学院
  • 1篇中南大学

作者

  • 16篇王浩敏
  • 16篇贺立
  • 14篇谢晓明
  • 13篇谢红
  • 10篇江绵恒
  • 9篇李蕾
  • 6篇张道礼
  • 5篇邓联文
  • 5篇吴天如
  • 4篇王秀君
  • 2篇唐述杰
  • 1篇李晓良
  • 1篇卢光远
  • 1篇张学富
  • 1篇杨鹏
  • 1篇刘胜

传媒

  • 1篇功能材料与器...
  • 1篇科技纵览

年份

  • 2篇2019
  • 3篇2018
  • 6篇2017
  • 1篇2016
  • 4篇2015
共 16 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种基于石墨烯场效应管微区加热的原位生长材料的方法
本发明的基于石墨烯场效应管微区加热的原位材料生长的方法，包括步骤：首先，制备基于石墨烯的场效应管，所述石墨烯具有窄边微区结构，所述场效应管的背面设置有背栅；然后，在所述石墨烯两端的电极之间加电压源或电流源，通过调节背栅电...
王浩敏谢红李蕾王慧山贺立陈令修吴天如邓联文谢晓明江绵恒
一种以石墨烯作为接触电极的器件结构及其制备方法
本发明提供一种以石墨烯作为接触电极的器件结构及其制备方法，涉及以石墨烯作为接触电极的器件结构技术领域，以干法转移的方法形成h-BN—石墨烯—超导/半导体材料—h-BN的新型器件结构，可以避免湿法转移工艺及图形化刻蚀、金属...
王浩敏谢红李蕾王慧山贺立陈令修张道礼邓联文谢晓明江绵恒
具有一维接触电极的双层硒化铌异质结器件制备及电学特性研究
2016年
层状硒化铌晶体因其独特的电子结构和物理特性一直是科技界的研究热点，但少层硒化铌晶体薄片在空气中不稳定、器件性能退化严重等因素制约了对其深入研究。本文提出一种具有一维接触电极的双层硒化铌异质结的制备方法，在惰性环境中对硒化铌进行机械剥离、转移和封装，用标准微纳加工工艺制备了以石墨烯为一维接触电极、薄层六角氮化硼为封装材料的双层硒化铌异质结器件。结果表明：双层硒化铌器件的超导转变温度约为6．8K，电荷密度波相变温度保持在32K；超导临界电流密度为30mA／μm2，超导临界磁场为3T，性能与硒化铌晶体体材料接近；该器件在空气中电学性能非常稳定，保存数月未出现性能退化。
李蕾邓联文刘胜杨鹏王慧山谢红陈令修贺立李晓良王浩敏
关键词：石墨烯电学特性
h-BN上石墨烯纳米带的制备方法
本发明提供一种h-BN上石墨烯纳米带的制备方法，包括：1）采用金属催化刻蚀方法于h-BN上形成具有纳米带状沟槽结构的h-BN沟槽模板；2）采用化学气相沉积方法于所述h-BN沟槽模板中的生长石墨烯纳米带。本发明采用CVD方...
王浩敏贺立陈令修谢红王慧山唐述杰李蕾张道礼谢晓明江绵恒
文献传递
h-BN上石墨烯纳米带的制备方法
本发明提供一种h‑BN上石墨烯纳米带的制备方法，包括：1）采用金属催化刻蚀方法于h‑BN上形成具有纳米带状沟槽结构的h‑BN沟槽模板；2）采用化学气相沉积方法于所述h‑BN沟槽模板中的生长石墨烯纳米带。本发明采用CVD方...
王浩敏贺立陈令修谢红王慧山唐述杰李蕾张道礼谢晓明江绵恒
文献传递
“黑金”与“白石墨”的联姻
2017年
“黑金”石墨烯与“白石墨”六方氮化硼能够互取所长，碰撞出新的火花，为石墨烯微电子应用基础研究领域带来新的可能。
王浩敏吴天如贺立张学富卢光远陈令修
关键词：石墨六方氮化硼电子应用碰撞
石墨烯边界调控方法
本发明提供一种石墨烯边界的调控方法，包括骤：提供一绝缘衬底，并将绝缘衬底置于生长腔室中；向生长腔室中通入第一反应气体，且第一反应气体至少包括碳源气体，通过控制第一反应气体的流量，以于绝缘衬底表面形成具有第一边界形状的石墨...
王浩敏陈令修贺立王慧山谢红王秀君谢晓明
文献传递
面向微纳电子学应用的石墨烯纳米带制备与物性研究
本文作者采用化学气相沉积法在六角氮化硼表面成功制备边界平整且宽度可控的石墨烯纳米带。他们采用六角氮化硼表面沿着锯齿型方向的纳米沟槽为模板，实现单层石墨烯纳米带面内外延生长。该方法得到的石墨烯纳米带在室温下也能展示出高达1...
王浩敏陈令修贺立王慧山谢晓明江绵恒
关键词：石墨烯纳米带物理性能
石墨烯边界调控方法
本发明提供一种石墨烯边界的调控方法，包括骤：提供一绝缘衬底，并将绝缘衬底置于生长腔室中；向生长腔室中通入第一反应气体，且第一反应气体至少包括碳源气体，通过控制第一反应气体的流量，以于绝缘衬底表面形成具有第一边界形状的石墨...
王浩敏陈令修贺立王慧山谢红王秀君谢晓明
文献传递
一种石墨烯-硒化铌超导异质结器件及其制备方法
本发明提供一种石墨烯‑硒化铌超导异质结器件及其制备方法，该方法提供衬底；在所述衬底上形成石墨烯；对所述石墨烯进行图形化，形成具有预设形状的沟槽；于所述沟槽内生长硒化铌，所述硒化铌沿所述石墨烯边界外延生长，形成石墨烯‑硒化...
王浩敏谢红王慧山王秀君陈令修贺立谢晓明
文献传递
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