您的位置： 专家智库 > >

李蕾

作品数：17 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
发文基金：中国科学院战略性先导科技专项更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 16篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 9篇石墨
  • 9篇石墨烯
  • 5篇迁移率
  • 5篇接触电极
  • 5篇半导体
  • 5篇衬底
  • 4篇载流子
  • 4篇载流子迁移率
  • 4篇保护器件
  • 4篇超导
  • 4篇磁场屏蔽
  • 3篇线接触
  • 2篇氮化
  • 2篇氮化硼
  • 2篇电子器件
  • 2篇多晶
  • 2篇多晶硅
  • 2篇多晶硅栅
  • 2篇形貌
  • 2篇形貌可控

机构

  • 17篇中国科学院
  • 1篇中南大学

作者

  • 17篇王浩敏
  • 17篇谢红
  • 17篇李蕾
  • 16篇谢晓明
  • 14篇江绵恒
  • 9篇贺立
  • 6篇吴天如
  • 6篇张道礼
  • 5篇邓联文
  • 3篇杨鹏
  • 2篇唐述杰
  • 2篇陈吉
  • 2篇卢光远
  • 2篇张学富
  • 1篇李晓良
  • 1篇刘胜

传媒

  • 1篇功能材料与器...

年份

  • 5篇2018
  • 3篇2017
  • 4篇2016
  • 4篇2015
  • 1篇2014
共 17 条 记 录，以下是 1-10
全选 清除 导出
排序方式：
h-BN上石墨烯纳米带的制备方法
本发明提供一种h‑BN上石墨烯纳米带的制备方法，包括：1）采用金属催化刻蚀方法于h‑BN上形成具有纳米带状沟槽结构的h‑BN沟槽模板；2）采用化学气相沉积方法于所述h‑BN沟槽模板中的生长石墨烯纳米带。本发明采用CVD方...
王浩敏贺立陈令修谢红王慧山唐述杰李蕾张道礼谢晓明江绵恒
文献传递
一种石墨烯闪存存储器的制备方法
本发明提供一种石墨烯闪存存储器的制备方法，所述方法采用单层或者多层的连续石墨烯薄膜替代多晶硅栅或者氮氧化物存储电荷，能够在有限的物理空间内提高电荷存储容量，由于石墨烯厚度较薄，缩小器件纵向尺寸的同时，消除器件中电容耦合的...
王浩敏谢红王慧山李蕾卢光远张学富陈吉吴天如谢晓明江绵恒
文献传递
一种用于磁场屏蔽的半导体器件及其制作方法
本发明提供一种用于磁场屏蔽的半导体器件及其制作方法，包括：衬底；位于衬底上表面的第一超导层；位于第一超导层表面的第一介电层；位于第一介电层表面、由二维半导体薄膜层形成的霍尔结构；位于霍尔结构表面的第二介电层；位于第二介电...
王浩敏谢红李蕾王慧山谢晓明
文献传递
一种基于石墨烯场效应管微区加热的原位生长材料的方法
本发明的基于石墨烯场效应管微区加热的原位材料生长的方法，包括步骤：首先，制备基于石墨烯的场效应管，所述石墨烯具有窄边微区结构，所述场效应管的背面设置有背栅；然后，在所述石墨烯两端的电极之间加电压源或电流源，通过调节背栅电...
王浩敏谢红李蕾王慧山贺立陈令修吴天如邓联文谢晓明江绵恒
一种以石墨烯作为接触电极的器件结构及其制备方法
本发明提供一种以石墨烯作为接触电极的器件结构及其制备方法，涉及以石墨烯作为接触电极的器件结构技术领域，以干法转移的方法形成h-BN—石墨烯—超导/半导体材料—h-BN的新型器件结构，可以避免湿法转移工艺及图形化刻蚀、金属...
王浩敏谢红李蕾王慧山贺立陈令修张道礼邓联文谢晓明江绵恒
具有一维接触电极的双层硒化铌异质结器件制备及电学特性研究
2016年
层状硒化铌晶体因其独特的电子结构和物理特性一直是科技界的研究热点，但少层硒化铌晶体薄片在空气中不稳定、器件性能退化严重等因素制约了对其深入研究。本文提出一种具有一维接触电极的双层硒化铌异质结的制备方法，在惰性环境中对硒化铌进行机械剥离、转移和封装，用标准微纳加工工艺制备了以石墨烯为一维接触电极、薄层六角氮化硼为封装材料的双层硒化铌异质结器件。结果表明：双层硒化铌器件的超导转变温度约为6．8K，电荷密度波相变温度保持在32K；超导临界电流密度为30mA／μm2，超导临界磁场为3T，性能与硒化铌晶体体材料接近；该器件在空气中电学性能非常稳定，保存数月未出现性能退化。
李蕾邓联文刘胜杨鹏王慧山谢红陈令修贺立李晓良王浩敏
关键词：石墨烯电学特性
h-BN上石墨烯纳米带的制备方法
本发明提供一种h-BN上石墨烯纳米带的制备方法，包括：1）采用金属催化刻蚀方法于h-BN上形成具有纳米带状沟槽结构的h-BN沟槽模板；2）采用化学气相沉积方法于所述h-BN沟槽模板中的生长石墨烯纳米带。本发明采用CVD方...
王浩敏贺立陈令修谢红王慧山唐述杰李蕾张道礼谢晓明江绵恒
文献传递
一种石墨烯闪存存储器的制备方法
本发明提供一种石墨烯闪存存储器的制备方法，所述方法采用单层或者多层的连续石墨烯薄膜替代多晶硅栅或者氮氧化物存储电荷，能够在有限的物理空间内提高电荷存储容量，由于石墨烯厚度较薄，缩小器件纵向尺寸的同时，消除器件中电容耦合的...
王浩敏谢红王慧山李蕾卢光远张学富陈吉吴天如谢晓明江绵恒
文献传递
一种高灵敏度石墨烯磁场传感器及其制备方法
本发明提供一种高灵敏度石墨烯磁场传感器及其制备方法。涉及半导体技术领域，以干法转移的方法形成h‑BN—石墨烯—h‑BN的霍尔器件作为磁场传感器的核心结构，可以避免湿法转移工艺及图形化刻蚀、金属沉积工艺等对材料晶格造成的污...
王浩敏谢红王慧山李蕾谢晓明江绵恒
文献传递
一种氮化硼衬底表面台阶刻蚀方法
本发明提供一种氮化硼衬底表面台阶刻蚀方法，包括如下步骤：S1：提供一六角氮化硼衬底；S2：在所述六角氮化硼衬底表面形成掩膜层，并在所述掩膜层中形成暴露出所述六角氮化硼衬底表面的预设刻蚀图形；S3：在所述掩膜层表面及所述预...
王浩敏谢红贺立王慧山陈令修李蕾吴天如张道礼谢晓明江绵恒
文献传递
全选 清除 导出
共2页<12>
聚类工具0