梁枫
- 作品数：14 被引量：0H指数：0
- 供职机构：贵州大学更多>>
- 发文基金：国际科技合作与交流专项项目国家自然科学基金贵州省科学技术基金更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术更多>>
- 一种新型热蒸发镀膜器及其使用方法
- 本发明公开了一种新型热蒸发镀膜器，其特征在于：圆台式垂直筒（304）下端连接支架（309），放置于镀膜器底盘上，圆台式垂直筒（304）下口直径大于挡板（305）直径及钨舟（307）的长度。通过对现有的热蒸发镀膜器进行改进...
- 谢泉吴宏仙张晋敏廖杨芳房迪王善兰刘小军梁枫肖清泉陈茜
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- 一种便携式便后清洗器
- 本实用新型公开了一种便携式便后清洗器，包括储水箱以及盖箱，在盖箱的一侧设置有进水口，在盖箱内设置有蓄电池，所述的蓄电池通过导线分别与盖箱上的加热开关以及出水开关连接，加热开关通过导线与设置在盖箱内的逆变器连接，逆变器通过...
- 谢泉廖杨芳王善兰房迪吴宏仙刘小军梁枫肖清泉张晋敏陈茜马瑞谢晶范梦慧黄晋章竞予
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- 一种智能车位锁
- 本实用新型公开了一种智能车位锁，包括埋入地面的固定套筒以及设置在固定套筒内的升降筒，所述的升降筒与设置在固定套筒内的电机主轴连接，在固定套筒的底部还设置有控制箱，在控制箱内设置有与电机连接的电源以及单片机，所述的单片机分...
- 谢泉廖杨芳吴宏仙房迪王善兰刘小军梁枫肖清泉张晋敏陈茜马瑞谢晶范梦慧黄晋章竞予
- 文献传递
- 一种红外探测器
- 本实用新型公开一种红外探测器，包括衬底，在衬底上表面设置Mg<Sub>2</Sub>Si薄膜，Mg<Sub>2</Sub>Si薄膜上表面连接上电极，在衬底下表面设置下电极，本实用新型所用的材料用资源丰富、毒性小、对生态的...
- 谢泉廖杨芳张宝晖杨云良肖清泉梁枫张晋敏陈茜谢晶范梦慧黄晋章竞予
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- Mg2Si/Si异质结的制备及I-V特性研究
- 2016年
- 采用磁控溅射和热处理系统制备Mg_2Si/Si异质结。首先在n-Si(111)衬底上沉积Mg膜,经热处理后得到Mg_2Si/Si异质结。利用XRD、SEM、表面轮廓仪、伏安特性测试仪和霍尔效应测试仪,研究了Mg_2Si/Si异质结的晶体结构、表面形貌、Mg_2Si薄膜厚度、I-V特性及导电类型。结果表明,成功制备了Mg_2Si/Si异质结,并得到其平均载流子浓度(-9.30×1012 cm-3)、导通电压(0.31V)、导通电流(0.6mA)、工作电压(0.53V)等,测得该异质结为n-n型。
- 王善兰廖杨芳吴宏仙梁枫杨云良肖清泉谢泉
- 关键词：磁控溅射I-V特性
- 一种智能车位锁及其控制方法
- 本发明公开了一种智能车位锁及其控制方法，该智能车位锁包括埋入地面的固定套筒以及设置在固定套筒内的升降筒，所述的升降筒与设置在固定套筒内的电机主轴连接，在固定套筒的底部还设置有控制箱，在控制箱内设置有与电机连接的电源以及单...
- 谢泉廖杨芳吴宏仙房迪王善兰刘小军梁枫肖清泉张晋敏陈茜马瑞谢晶范梦慧黄晋章竞予
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- 一种发光二极管及其制备方法
- 本发明公开了一种发光二极管及其制备方法，它包括衬底，衬底的刻蚀处设置有n电极，衬底的上表面为n‑Mg<Sub>2</Sub>Si薄膜，n‑Mg<Sub>2</Sub>Si薄膜的上表面为p‑Mg<Sub>2</Sub>Si...
- 谢泉廖杨芳杨云良肖清泉张宝晖梁枫王善兰吴宏仙张晋敏陈茜谢晶范梦慧黄晋章竞予
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- 负偏压对磁控溅射Mg_2Si薄膜的影响
- 2016年
- 采用直流磁控溅射加负偏压方法和退火工艺制备了Mg_2Si半导体薄膜,研究了不同负偏压对Mg膜的沉积速率、Mg_2Si薄膜结构以及电阻率的影响。结果表明,随着负偏压的增大,因压实膜层和二次溅射效应,Mg膜的沉积速率越来越小;在未加负偏压时,Mg_2Si薄膜的衍射峰最强、样品表面平整致密,当衬底加上负偏压后,Mg_2Si衍射峰都有所减弱,样品表面变得凹凸不平;当负偏压达到–150 V时,表面已呈现明显的熔融状态,表明负偏压对Mg_2Si薄膜的晶体结构没有有益影响。Mg_2Si薄膜的电阻率随着所加负偏压的增大先减小后增大,并在–90 V时达到最小值。
- 梁枫廖杨芳肖清泉谢泉
- 关键词：磁控溅射沉积速率表面形貌电阻率
- 一种红外探测器及其制备方法
- 本发明公开了一种红外探测器的制备方法，该方法采用磁控溅射技术在衬底上生长Mg<Sub>2</Sub>Si薄膜，然后在衬底下表面镀一层下电极，在Mg<Sub>2</Sub>Si薄膜上表面上镀一层上电极，本发明所用的材料用资...
- 谢泉廖杨芳张宝晖杨云良肖清泉梁枫张晋敏陈茜谢晶范梦慧黄晋章竞予
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- 一种在非硅衬底上制备Mg<Sub>2</Sub>Si薄膜的方法
- 本发明公开了一种在非硅衬底上制备Mg<Sub>2</Sub>Si薄膜的方法，其特征在于：包含以下步骤：第一、在清洁的非硅衬底上沉积一层Si膜，然后在Si膜上沉积一层Mg膜；第二、退火工艺，沉积完成后的样品置于高真空退火炉...
- 谢泉廖杨芳肖清泉梁枫王善兰吴宏仙房迪张晋敏陈茜谢晶范梦慧黄晋章竞予
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