张晋敏
- 作品数：98 被引量：146H指数：6
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- 磁控溅射制备TbFeCo薄膜及其光学和磁光性质研究
- 采用放电等离子烧结(SPS)TbFeCo合金靶,分别在Si衬底和K9玻璃衬底上磁控溅射制备了磁光薄膜TbFeCo/Si和TbFeCo/K9;利用扫描型可变入射角全自动椭偏仪,室温下测量了复介电常数谱,测量结果表明两样品介...
- 张晋敏郜小勇李晶周鹏郑玉祥王松有张冬青陈良尧
- 关键词：磁光薄膜椭偏光谱
- 文献传递
- 一种基于硅化镁薄膜的传感器
- 本实用新型公开了一种基于硅化镁薄膜的传感器，它包括：连接套（1）和紧固套（9），紧固套（9）固定连接套（1）底端，紧固套（9）底部开有检测孔（8），其特征在于：连接套（1）内设置有上压环（4）和下压环（7），上压环（4）...
- 王坤谢泉肖清泉张晋敏马家君廖杨芳王立贺腾施建磊王新悦
- 文献传递
- 退火对Fe/Si结构原子间互扩散及显微结构的影响(英文)被引量：5
- 2007年
- 在Si（100）衬底上,用直流磁控溅射沉积约100nm的纯金属Fe膜,然后在600-1000℃真空退火2h，用能量为3MeV的C离子进行了卢瑟福背散射（RBS）测量,并用SIMNRA6.0程序分析了测量结果,给出了界面附近Fe原子与Si原子间互扩散的完整图像，扫描电镜（SEM）观察和X射线衍射（XRD）测量表征了不同温度退火2h后Fe/Si系统表面的显微结构和晶体结构，由RBS、XRD测量与SEM观察结果,分析了退火过程对磁控溅射制备的Fe/Si双层膜结构原子间的互扩散行为、硅化物形成及显微结构的影响。
- 张晋敏谢泉曾武贤梁艳张勇余平田华
- 关键词：磁控溅射退火互扩散
- 一种还原真实书写的电子笔
- 本发明提供了一种还原真实书写的电子笔，包括中央处理器；所述中央处理器连接控制初始设置按钮、上翻页按钮、下翻页按钮、激光灯开光、激光灯头、状态指示灯，激光灯头、激光灯开光、上翻页按钮、下翻页按钮、状态指示灯、初始设置按钮均...
- 张晋敏潘王衡谢泉肖清泉王勤
- 热处理对环境半导体材料β-FeSi_2形成的影响被引量：5
- 2006年
- 作者对采用非质量分离离子束注入沉积法(IBD)在Si(100)上制备的β-FeSi2薄膜进行了研究,通过X射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)以及原子力显微镜(AFM)分析表明:当退火温度在600℃和700℃附近时有利于β-FeSi2的形成。
- 罗胜耘谢泉张晋敏肖清泉金石声朱林山闫万珺陈坤罗娇莲Koji YamadaKiyoshi Miyake
- 关键词：Β-FESI2IBD退火温度
- 机械合金化-热压烧结制备金属间化合物Fe_3Si
- 2012年
- 采用机械合金化(MA)和真空热压烧结(HP)法制备金属间化合物Fe3Si。X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、差热分析(DTA)和振动样品磁强计(VSM)分别用于分析化合物的物相、显微形貌、致密度和磁学性质。研究表明球磨55h可达到完全合金化,Si溶入Fe中形成饱和固溶体α-Fe(Si),晶粒尺寸约7～8nm。热压烧结后,α-Fe(Si)固溶体发生有序转变生成Fe3Si。磁性能测量表明:样品的矫顽力随烧结温度的升高而减小;随烧结时间的延长而减小;饱和磁化强度随烧结时间的延长而增大。
- 陈站张晋敏赵清壮朱培强郑旭谢泉
- 关键词：机械合金化热压烧结
- Si衬底上低真空热处理制备单一相Mg_2Si半导体薄膜被引量：4
- 2013年
- 采用磁控溅射沉积方法制备Mg2Si半导体薄膜。首先在Si衬底上沉积Mg膜,随后低真空热处理。采用X射线衍射、扫描电镜、拉曼光谱对Mg2Si薄膜的结构进行表征。研究了在低真空(10-1～10-2Pa)条件下热处理温度(350～550℃)和热处理时间(3～7h)对Mg2Si薄膜形成的影响。结果表明,低真空热处理条件下制备了单一相Mg2Si半导体薄膜,400～550℃热处理4～5h是最佳的热处理条件。在拉曼谱中256和690cm-1处观察到两个散射峰,这与Mg2Si的拉曼特征峰峰位一致。
- 肖清泉谢泉沈向前张晋敏陈茜
- 关键词：半导体薄膜MG2SI磁控溅射
- 环境友好半导体材料Ca_2Si的研究进展被引量：1
- 2007年
- Ca2Si是由两种丰富且无毒的化学元素构成,被认为是很有前景的新型环境半导体材料之一。文章综述了近年来Ca2Si的晶格特性、光电性质及其制备方法的研究进展,并着重对两步法制备Ca2Si薄膜进行了介绍,最后展望了Ca2Si的应用前景,探讨了当前Ca2Si研究领域中存在的问题。
- 肖清泉谢泉杨吟野张晋敏任雪勇
- 关键词：光电性质
- 一种半导体材料β‑SiC薄膜的制备方法
- 本发明提供一种半导体材料β‑SiC薄膜的制备方法，首先，选取普通石墨片或热解石墨为衬底，清洗吹干；然后在衬底上溅射沉积一层Si膜，形成Si/C结构；最后放置于高真空热处理炉中1000℃退火10～14小时获得宽带隙半导体β...
- 谢泉范梦慧艾学正王凯杨云飞张晋敏肖清泉廖杨芳谢晶黄晋马瑞陈茜
- 文献传递
- 电子科学与技术专业开设物理及材料科学类课程调查
- 2009年
- 本文对目前国内高校电子科学与技术专业开设物理及材料科学类课程的情况进行了调查,结果表明:96%的高校开设了物理及材料科学类的课程,作为必修课的高校占64%,使用通用教材的高校占78%,认为开设此类课程有必要性的高校占95%,认为对学生就业和继续深造有作用的高校为100%。调查结果为电子科学与技术专业教学指导分委员会制定专业规范和发展战略提供了数据依据。
- 谢泉陈茜肖清泉高冉张晋敏崔冬萌李旭珍
- 关键词：电子科学与技术专业百分比
