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刘冬华

作品数：12 被引量：0H指数：0
供职机构：复旦大学更多>>
相关领域：一般工业技术电子电信化学工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 11篇专利
  • 1篇会议论文

领域

  • 3篇一般工业技术
  • 1篇化学工程
  • 1篇电子电信

主题

  • 5篇氮化
  • 5篇氮化硼
  • 5篇等离子体
  • 5篇化学气相
  • 5篇化学气相沉积
  • 5篇衬底
  • 4篇氮化硼薄膜
  • 4篇等离子体化学
  • 4篇离子
  • 3篇石墨
  • 3篇石墨烯
  • 3篇气相沉积
  • 3篇六方氮化硼
  • 3篇活性基团
  • 3篇基底表面
  • 3篇基团
  • 2篇单质
  • 2篇电子器件
  • 2篇多孔金属
  • 2篇氧化石墨

机构

  • 12篇复旦大学

作者

  • 12篇魏大程
  • 12篇刘冬华
  • 9篇李孟林
  • 7篇曹敏
  • 7篇夏冬云
  • 5篇蔡智
  • 5篇亓国强
  • 5篇李科
  • 4篇彭兰
  • 2篇杨伟
  • 2篇王振
  • 2篇张彩云
  • 1篇陈小松

年份

  • 1篇2020
  • 1篇2019
  • 3篇2018
  • 2篇2017
  • 4篇2016
  • 1篇2015
共 12 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种三维石墨烯的制备方法
本发明属于石墨烯制备技术领域，具体公开了一种三维石墨烯的制备方法。本发明方法包括以下步骤：将氧化石墨烯分散获得氧化石墨烯水溶液；将三维金属泡沫浸入氧化石墨烯溶液，通过物理或化学方法获得孔内负载有石墨烯气凝胶的三维金属泡沫...
魏大程亓国强杨伟夏冬云李科李孟林刘冬华曹敏彭兰
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一种拉曼增强衬底的制作方法
本发明为一种拉曼增强衬底的制作方法。本发明将基底（无机衬底）放入等离子体化学气相沉积系统中的生长区域，通入含有碳元素的反应源气体，控制反应源气体的气压值为0.01Torr‑760Torr；控制基底温度在300‑1200℃...
魏大程刘冬华王振李孟林
六方氮化硼粉体及三维氮化硼的制备方法
本发明属于无机合成技术领域，具体为一种六方氮化硼粉体和三维氮化硼的制备方法。本发明采用化学气相沉积法，以过渡金属单质粉末或含过渡金属元素的化合物为催化剂，经过高温还原反应，制备出多孔金属催化剂骨架；再利用化学气相沉积法生...
魏大程夏冬云李孟林李科亓国强曹敏张彩云蔡智彭兰刘冬华
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一种电子器件介电衬底的表面修饰方法
本发明属于电子器件技术领域，具体为一种电子器件介电衬底的表面修饰方法。本发明是在介电衬底表面直接生长二维结构的六方氮化硼薄膜，厚度在1‑100nm之间，用于电子器件半导体与介电层之间界面的修饰。本发明通过控制原料浓度，达...
魏大程金哲鹏刘冬华蔡智
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一种三维石墨烯的制备方法
本发明属于石墨烯制备技术领域，具体公开了一种三维石墨烯的制备方法。本发明方法包括以下步骤：将氧化石墨烯分散获得氧化石墨烯水溶液；将三维金属泡沫浸入氧化石墨烯溶液，通过物理或化学方法获得孔内负载有石墨烯气凝胶的三维金属泡沫...
魏大程亓国强杨伟夏冬云李科李孟林刘冬华曹敏彭兰
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一种等离子体化学气相沉积设备生长六方氮化硼的方法
本发明属于六方氮化硼制备技术领域，具体为一种等离子体化学气相沉积设备生长六方氮化硼的方法。本发明通过加热硼氮源，基底材料放入等离子体化学气相沉积系统中的生长区域，抽真空到10<Sup>‑3</Sup>Torr，通入惰性气...
魏大程刘冬华李孟林夏冬云曹敏
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六方氮化硼粉体及三维氮化硼的制备方法
本发明属于无机合成技术领域，具体为一种六方氮化硼粉体和三维氮化硼的制备方法。本发明采用化学气相沉积法，以过渡金属单质粉末或含过渡金属元素的化合物为催化剂，经过高温还原反应，制备出多孔金属催化剂骨架；再利用化学气相沉积法生...
魏大程夏冬云李孟林李科亓国强曹敏张彩云蔡智彭兰刘冬华
一种等离子体化学气相沉积设备生长六方氮化硼的方法
本发明属于六方氮化硼制备技术领域，具体为一种等离子体化学气相沉积设备生长六方氮化硼的方法。本发明通过加热硼氮源，基底材料放入等离子体化学气相沉积系统中的生长区域，抽真空到10<Sup>-3</Sup>Torr，通入惰性气...
魏大程刘冬华李孟林夏冬云曹敏
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等离子体增强化学气相沉积制备石墨烯的方法
本发明属于石墨烯制备技术领域，具体为一种等离子体增强化学气相沉积制备石墨烯的方法。本发明以固态碳为碳源，利用等离子增强化学气相沉积法生长石墨烯，其步骤为：（1）将衬底和活化后的固态碳置入等离子体增强化学气相沉积设备中的不...
魏大程李科夏冬云李孟林蔡智刘冬华亓国强曹敏
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一种电子器件介电衬底的表面修饰方法
本发明属于电子器件技术领域，具体为一种电子器件介电衬底的表面修饰方法。本发明是在介电衬底表面直接生长二维结构的六方氮化硼薄膜，厚度在1‑100nm之间，用于电子器件半导体与介电层之间界面的修饰。本发明通过控制原料浓度，达...
魏大程金哲鹏刘冬华蔡智
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