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魏大程
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复旦大学
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相关领域:
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刘冬华
复旦大学
李孟林
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复旦大学
夏冬云
复旦大学
蔡智
复旦大学
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一种高精度光刻图案化PVDF基铁电性介电层的制备与应用
本发明涉及一种高精度光刻图案化PVDF基铁电性介电层的制备方法与应用,制备方法包括:首先将铁电性PVDF基聚合物、环状或体状硅氧烷交联单体、光引发剂混合并配制成溶液,得到前驱体溶液;之后将前驱体溶液涂覆成膜,并进行图案化...
魏大程
陈仁忠
常城
一种等离子体化学气相沉积设备生长六方氮化硼的方法
本发明属于六方氮化硼制备技术领域,具体为一种等离子体化学气相沉积设备生长六方氮化硼的方法。本发明通过加热硼氮源,基底材料放入等离子体化学气相沉积系统中的生长区域,抽真空到10<Sup>-3</Sup>Torr,通入惰性气...
魏大程
刘冬华
李孟林
夏冬云
曹敏
文献传递
六方氮化硼粉体及三维氮化硼的制备方法
本发明属于无机合成技术领域,具体为一种六方氮化硼粉体和三维氮化硼的制备方法。本发明采用化学气相沉积法,以过渡金属单质粉末或含过渡金属元素的化合物为催化剂,经过高温还原反应,制备出多孔金属催化剂骨架;再利用化学气相沉积法生...
魏大程
夏冬云
李孟林
李科
亓国强
曹敏
张彩云
蔡智
彭兰
刘冬华
文献传递
一种电子器件介电衬底的表面修饰方法
本发明属于电子器件技术领域,具体为一种电子器件介电衬底的表面修饰方法。本发明是在介电衬底表面直接生长二维结构的六方氮化硼薄膜,厚度在1‑100nm之间,用于电子器件半导体与介电层之间界面的修饰。本发明通过控制原料浓度,达...
魏大程
金哲鹏
刘冬华
蔡智
文献传递
等离子体增强化学气相沉积制备石墨烯的方法
本发明属于石墨烯制备技术领域,具体为一种等离子体增强化学气相沉积制备石墨烯的方法。本发明以固态碳为碳源,利用等离子增强化学气相沉积法生长石墨烯,其步骤为:(1)将衬底和活化后的固态碳置入等离子体增强化学气相沉积设备中的不...
魏大程
李科
夏冬云
李孟林
蔡智
刘冬华
亓国强
曹敏
文献传递
检测病毒SARS-CoV-2核酸的场效应晶体管传感器及其制备方法和应用
本发明涉及一种检测病毒SARS‑CoV‑2核酸的场效应晶体管传感器及其制备方法和应用,该场效应晶体管传感器包括绝缘衬底、设于绝缘衬底上的半导体层及电极,所述半导体层上设有暴露的半导体沟道,所述半导体沟道内修饰固定DNA探...
魏大程
王学军
王丽倩
孔德荣
一种基于共价有机框架材料的紫外与可见光探测器及其制备方法
本发明属于光电探测器技术领域,具体为一种基于共价有机框架材料的紫外与可见光探测器及其制备方法。本发明方法包括:首先,制备半导体沟道暴露在外的晶体管器件;然后,在半导体沟道上沉积一层光敏性的共价有机框架材料;最后,将器件置...
魏大程
艾昭琳
郭倩颖
张聪
一种分子级厚度聚噻吩二维薄膜的制备方法
本发明属于二维材料制备技术领域,具体为分子级厚度聚噻吩二维薄膜的制备方法。本发明方法包括:首先,将单体和经过退火处理的金属衬底放入化学气相沉积系统中,在特定气流下使单体和衬底达到需要的反应温度,反应一定时间;然后,待体系...
魏大程
易孔阳
文献传递
基于人工核苷酸适配体的场效应晶体管传感器及其制备与应用
本发明涉及传感器技术领域,尤其是涉及基于人工核苷酸适配体的场效应晶体管传感器及其制备与应用。基于人工核苷酸适配体的场效应晶体管传感器包括绝缘衬底、超薄半导体材料、源极、漏极、人工核苷酸适配体和加样槽;绝缘衬底上设置有存在...
魏大程
陈奕恒
孔德荣
一种基于核酸材料的紫外剂量探测器及其制备方法
本发明属于紫外线检测技术领域,具体公开了一种基于核酸材料的紫外剂量探测器及其制备方法,首先,制备半导体沟道暴露在外的晶体管器件;然后,将不同构型的核酸材料通过探针连接体修饰在半导体沟道表面,得到表面均匀分布有核酸材料的晶...
魏大程
王丽倩
艾昭琳
郭倩颖
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