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王长河

作品数：1 被引量：0H指数：0
供职机构：河北半导体研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇中子
  • 1篇高压二极管
  • 1篇二极管
  • 1篇辐照
  • 1篇Γ辐照

机构

  • 1篇河北半导体研...
  • 1篇南京大学

作者

  • 1篇程开甲
  • 1篇吴凤美
  • 1篇滕敏康
  • 1篇施毅
  • 1篇王长河

传媒

  • 1篇南京大学学报...

年份

  • 1篇1989
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
高压二极管中子、电子和γ辐照特征的研究
1989年
本文对加固P^+nn^+高压整流二极管分别进行了中子、电子和γ射线不同剂量的辐照,测试和分析了辐照感生缺陷的能级位置、密度及俘获截面,并研究了材料少数载流子寿命和器件正向电压等参量的变化特征及退火行为.实验结果表明,由于采用了新工艺、新材料使器件只有良好的抗辐照性能,同时NTD材料亦显示出较好的耐辐照特性.三种不同辐照源的辐照结果反映了它们各自的损伤特征。
施毅吴凤美滕敏康沈德勋程开甲王长河
关键词：二极管中子辐照
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共1页<1>
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