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程开甲

作品数：3 被引量：3H指数：1
供职机构：南京大学物理学院物理学系更多>>
相关领域：电子电信核科学技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 2篇中子
  • 1篇载流子
  • 1篇载流子寿命
  • 1篇少数载流子
  • 1篇少数载流子寿...
  • 1篇少子寿命
  • 1篇中子辐照
  • 1篇高压二极管
  • 1篇二极管
  • 1篇辐照
  • 1篇Γ辐照
  • 1篇硅

机构

  • 2篇河北半导体研...
  • 2篇南京大学

作者

  • 2篇程开甲
  • 2篇吴凤美
  • 2篇施毅
  • 1篇滕敏康
  • 1篇王长河
  • 1篇王长河

传媒

  • 1篇Journa...
  • 1篇南京大学学报...

年份

  • 2篇1989
共 3 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
高压二极管中子、电子和γ辐照特征的研究
1989年
本文对加固P^+nn^+高压整流二极管分别进行了中子、电子和γ射线不同剂量的辐照,测试和分析了辐照感生缺陷的能级位置、密度及俘获截面,并研究了材料少数载流子寿命和器件正向电压等参量的变化特征及退火行为.实验结果表明,由于采用了新工艺、新材料使器件只有良好的抗辐照性能,同时NTD材料亦显示出较好的耐辐照特性.三种不同辐照源的辐照结果反映了它们各自的损伤特征。
施毅吴凤美滕敏康沈德勋程开甲王长河
关键词：二极管中子辐照
中子辐照损伤区对硅少数载流子寿命的影响被引量：3
1989年
中子辐照在半导体硅晶体中形成无序区,使其电学性能受到严重影响.本文根据无序区基本特征,系统分析中子辐照对少数载流子寿命影响的过程,给出了一个完整自洽的计算表达式;理论计算了材料掺杂浓度、无序区辐照缺陷分布态,以及载流子注入量等参量对少数载流子寿命的影响.最后,将计算结果与点缺陷模型、及实验测量数量进行比较和讨论.
施毅吴凤美沈德勋程开甲王长河
关键词：硅少子寿命中子辐照
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共1页<1>
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