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林煊

作品数：3 被引量：1H指数：1
供职机构：杭州电子科技大学电子信息学院微电子CAD研究所更多>>
发文基金：国家科技重大专项更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 2篇VERILO...
  • 1篇物理效应
  • 1篇高压LDMO...
  • 1篇PSP
  • 1篇SOI_MO...
  • 1篇VDMOS
  • 1篇FREESC...
  • 1篇ME

机构

  • 3篇杭州电子科技...

作者

  • 3篇林煊
  • 2篇刘军
  • 2篇李文钧

传媒

  • 1篇电子器件

年份

  • 1篇2015
  • 2篇2014
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
基于MET模型的VDMOSFET建模被引量：1
2015年
研究了VDMOS的独特结构,建立了适合该器件的拓扑结构,电容、源漏二极管和源漏电流方程,提出了一个基于MET模型的VDMOS模型。以Verilog-A语言嵌入到EDA设计工具Cadence和电路模拟程序HSPICE中,基于Verilog-A的仿真结果可实现与测试数据的准确拟合。应用模型到士兰微电子S-Rin系列第三代高压VDMOS产品的建模中,工作电压涵盖500V、600 V、650 V和800 V,测量和仿真所得I-V,C-V特性曲线对比结果吻合很好,验证了模型具有良好的精度,可以表征VDMOS交直流特性。
韩山李文钧林煊刘军
关键词：VDMOSFREESCALEVERILOG-A
800伏高压LDMOS建模
本文对800V高压LDMOS进行了研究。详细分析了LDMOS准饱和区、击穿区、二极管正向偏置区的直流特性、CV特性和自热效应，提出了适用于高压LDMOS的经验模型。模型由Verilog-A描述，使用ADS、Hspice仿...
林煊李文钧刘军
关键词：高压LDMOSVERILOG-A
基于PSP扩展的SOI MOSFET模型研究
随着器件特征尺寸的减小，体硅CMOS遇到了许多技术上的问题和挑战，短沟道效应（SCE）和二极管泄漏电流的增加使得体硅技术很难遵循摩尔定律继续向前发展。相比于体硅CMOS技术，全介质隔离技术使得SOI拥有众多的优点，如消除...
林煊
关键词：物理效应
文献传递
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