刘军
- 作品数：181 被引量：93H指数：5
- 供职机构：杭州电子科技大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国防科技重点实验室基金浙江省自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术电气工程机械工程更多>>
- 一种基于表面势的GaAs工艺pHEMT紧凑型模型的建模方法
- 一种基于表面势的GaAs工艺pHEMT紧凑型模型的建模方法包括：建立基于表面势的GaAs pHEMT紧凑型本征模型；建立基于表面势的GaAs pHEMT紧凑型非本征模型；结合GaAs pHEMT器件的物理结构和行为机理，...
- 汪洁陈展飞刘军
- 基于RESURF理论的SOI LDMOS耐压模型研究(英文)被引量：2
- 2011年
- 对SOI LDMOS器件的击穿电压进行了研究,建立了适用于该器件的RESURF耐压模型,获得了表面电势和电场分布解析表达式,给出了SOI LDMOS器件漂移区的最优浓度,在此基础上将该模型嵌入半导体工艺模拟以及器件模拟软件(Sen-taurus TCAD)中,并对SOI LDMOS器件的表面电场分布、击穿特性和I-V特性进行了仿真,得到的仿真结果验证了模型可以精确的表征SOI LDMOS器件的耐压。
- 苗田乐李文钧王皇郑伟申屠旭丹刘军孙玲玲
- 关键词：SOILDMOSRESURFTCAD
- 微波谐振式传感器研究进展
- 2022年
- 微波谐振式传感器具有低成本、高灵敏度、实时、无损检测等特点,在生物、医疗、环境等领域都有着广阔的应用前景.一般来说,微波谐振式传感器通过传输线激励谐振单元,通过谐振频率偏移等特征变化获得待测量.本文对微波谐振式传感器现有研究成果进行了详细的综述.首先简要介绍了微波谐振式传感器分类、基本工作原理及关键性能指标,其次以位移传感器、介质传感器及液体传感器这3种类型总结当前微波谐振式传感器国内外研究进展,之后着重探讨了群智能算法、机器学习等优化算法在微波谐振式传感器优化设计方面的应用,最后展望了微波谐振式传感器的发展前景以及存在的挑战.
- 赵文生方宇浩王大伟刘军
- 关键词：传感机理群智能算法
- 一种折叠式人工表面等离激元低通滤波器
- 本发明一种折叠式人工表面等离激元低通滤波器，包括处于顶层的金属层、中间介质层、处于底层的金属地；金属层包括：馈电微带：有两段，分别用于输入端口、输出端口的阻抗匹配；两段馈电微带的外端分别连接一SMA头；折叠型SSPP传输...
- 徐昊赵文生王大伟刘军
- 文献传递
- HICUM模型发射极及基极电阻的一种提取方法
- 2005年
- 对现存BJT等效电路模型发射极与基极电阻参数提取方法进行了总结和对比,并针对HICUM模型改进了提取发射极电阻的方法。改进后的方法有效消除了原方法固有的系统误差,并且同时提取了基极电阻。该方法已被成功应用到InGaP/GaAsHBT参数提取中。
- 黄家俊孙玲玲刘军
- 关键词：基极电阻
- 考虑位错散射的砷化镓HEMT器件表面势模型的建模方法
- 本发明公开一种考虑位错散射的砷化镓HEMT器件表面势模型的建模方法，包括以下步骤：S1、基于砷化镓HEMT器件的准弹道输运机理，使用通量计算虚源处的电荷密度；S2、由砷化镓HEMT器件异质结引入的位错散射建立迁移率模型；...
- 刘军汪洁王金叶
- 一种应用于脑域神经电信号探测的无线收发系统
- 本发明公开了一种应用于脑域神经电信号探测的无线收发系统,包括无线发射系统和无线接收系统，无线发射系统包括脑域神经电信号检测芯片、信号频率校准环路芯片和发射天线，无线接收系统包括信号接收芯片和接收天线,本发明的无线发射系统...
- 苏国东洪慧黄汐威乐熠刘军孙玲玲
- 一种垂直结构差分集成螺旋电感
- 本发明涉及一种垂直结构差分集成螺旋电感。目前多数集成在片电感所占芯片面积较大。本发明中第一引线层一端与第一左金属层一端连接，第一左金属层另一端依次各个通孔和金属层与第四左金属层一端连接，第四左金属层另一端通过第四通孔与第...
- 刘军孙玲玲王皇
- 文献传递
- 基于MLX90620的低成本红外热成像系统设计被引量：9
- 2015年
- 开发了一种基于非制冷红外焦平面阵列的红外热成像系统。为降低成本,系统选用具有16 pixel×4 pixel输出像素的红外焦平面阵列探测器MLX90620进行红外辐射强度探测。为获得高分辨率、高质量的红外图像,提出一种将多项式插值与双线性插值相结合的算法,先利用多项式插值提升热像分辨率至64 pixel×16 pixel,再通过双线性插值算法扩充分辨率至256 pixel×64 pixel,对人体进行热成像实验表明:该算法在提高图像分辨率的同时,保留了更多的细节信息。
- 杨风健刘军貌程浩霍旭阳彭成
- 关键词：红外热成像双线性插值多项式插值
- 基于表面电势的高压LDMOS晶体管直流模型改进被引量：2
- 2008年
- 针对标准MOSFET的BSIM3和PSP模型在高压LDMOS建模上的不足,提出了基于PSP表面电势方程的改进高压LDMOS晶体管I-V模型。在研究过程中,使用Agilent系列直流测试设备及ICCAP参数提取软件和ADS仿真器对高压LDMOS晶体管进行数据采集及参数提取。在开放的PSP模型Verilog-A代码基础上完成改进代码的实现。最终的结果表明,采用改进后的模型,仿真曲线与测量的I-V曲线十分吻合,该模型大大提高了PSPI-V模型模拟高压LDMOS晶体管时的精确度,对于实用高压集成电路的设计和仿真有着重要意义。
- 孙玲玲何佳刘军
- 关键词：高压LDMOSVERILOG-ABSIM3模型
