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吴毅

作品数：9 被引量：0H指数：0
供职机构：电子科技大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 7篇专利
  • 2篇学位论文

领域

  • 6篇电子电信

主题

  • 5篇肖特基
  • 5篇肖特基接触
  • 5篇反向恢复
  • 5篇MOSFET
  • 4篇绝缘
  • 4篇绝缘介质
  • 3篇漂移区
  • 3篇肖特基二极管
  • 3篇二极管
  • 2篇异质结
  • 2篇源极
  • 2篇源区
  • 2篇漂移
  • 2篇漏极
  • 2篇空穴
  • 2篇极区
  • 2篇集电极
  • 1篇单片
  • 1篇单片机
  • 1篇电路

机构

  • 9篇电子科技大学

作者

  • 9篇吴毅
  • 7篇张波
  • 7篇孙瑞泽
  • 7篇刘超
  • 7篇陈万军
  • 7篇夏云

年份

  • 1篇2023
  • 2篇2022
  • 2篇2021
  • 3篇2020
  • 1篇2012
共 9 条 记 录，以下是 1-9
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排序方式：
一种具有异质结的超结逆导型IGBT
本发明属于功率半导体技术领域，特别涉及一种具有异质结的超结逆导型IGBT。本发明的异质结的超结逆导型IGBT，其元胞结构包括集电极结构、耐压层结构、栅极结构和发射极结构，相对于传统结构，首先本发明的集电极结构进行了改进，...
陈万军吴毅夏云孙瑞泽刘超张波
高压超结VDMOS雪崩耐量研究
以垂直型双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管（Vertical Double-Diffused Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor,VDMOS）为代表的功率半...
吴毅
关键词：金属氧化物半导体场效应晶体管
一种具有漏端肖特基接触的超结MOSFET
本发明涉及功率半导体技术，特别涉及一种具有漏端肖特基接触的超结MOSFET。相对于传统的超结MOSFET，本发明在器件的漏极一侧引入肖特基接触，其由延伸到器件漏极的N型漂移区与漏极金属形成。在反向导通时，漂移区内的空穴可...
郑崇芝夏云吴毅孙瑞泽刘超陈万军张波
一种改善反向恢复特性的超结MOSFET
本发明涉及功率半导体技术，涉及一种改善反向恢复特性的超结MOSFET。相对于传统的MOSFET，本发明在P型漂移区和N型漂移区中间引入绝缘介质，同时将P型阱区分隔为位于N型漂移区上的第一P型阱区和位于P型漂移区上的第二P...
郑崇芝吴毅夏云孙瑞泽刘超陈万军张波
一种具有源端肖特基接触的超结MOSFET
本发明涉及功率半导体技术，特别涉及一种具有源端肖特基接触的超结MOSFET。本发明在P型基区表面引入肖特基接触，因此形成一个与体PN结二极管反串联的肖特基二极管。本发明器件的栅极为分离栅，分为两个不接触的部分，一部分为真...
郑崇芝夏云吴毅孙瑞泽刘超陈万军张波
文献传递
一种具有漏端肖特基接触的超结MOSFET
本发明涉及功率半导体技术，特别涉及一种具有漏端肖特基接触的超结MOSFET。相对于传统的超结MOSFET，本发明在器件的漏极一侧引入肖特基接触，其由延伸到器件漏极的N型漂移区与漏极金属形成。在反向导通时，漂移区内的空穴可...
郑崇芝夏云吴毅孙瑞泽刘超陈万军张波
文献传递
8位MCU的可测试性设计研究
芯片复杂程度的上升，势必对芯片在制造和封装过程中可能产生的故障有更严格的要求。对于生产方来说，在芯片交付给客户前进行故障测试是必不可少的环节。传统测试方法依赖测试向量的人工编写，执行效率低，故障覆盖率低，这种方法对于小规...
吴毅
关键词：集成电路可测试性单片机
文献传递
一种具有异质结的超结逆导型IGBT
本发明属于功率半导体技术领域，特别涉及一种具有异质结的超结逆导型IGBT。本发明的异质结的超结逆导型IGBT，其元胞结构包括集电极结构、耐压层结构、栅极结构和发射极结构，相对于传统结构，首先本发明的集电极结构进行了改进，...
陈万军吴毅夏云孙瑞泽刘超张波
文献传递
一种改善反向恢复特性的超结MOSFET
本发明涉及功率半导体技术，涉及一种改善反向恢复特性的超结MOSFET。相对于传统的MOSFET，本发明在P型漂移区和N型漂移区中间引入绝缘介质，同时将P型阱区分隔为位于N型漂移区上的第一P型阱区和位于P型漂移区上的第二P...
郑崇芝吴毅夏云孙瑞泽刘超陈万军张波
文献传递
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